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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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Intel的FPGA和SoCs FPGA進(jìn)行設(shè)計(jì)和開發(fā)
Open CL(開放運(yùn)算語言)在概念上更加抽象,該框架適用于編寫可跨異構(gòu)平臺(tái)執(zhí)行的程序。除了 FPGA,這些平臺(tái)還包括中央處理單元 (CPU)、圖形處理...
2022-08-01 標(biāo)簽:fpgasram物聯(lián)網(wǎng) 1477 0
從Cache驗(yàn)證參考模型對(duì)比來談復(fù)雜度權(quán)衡
總體而言,在驗(yàn)證L1 cache system (L1SYS)的過程中,L1SYS的機(jī)構(gòu)被拆分為多個(gè)模塊,包括shadow command buffer...
2023-04-28 標(biāo)簽:sramCachemesh技術(shù) 1463 0
FPGA是一種集成電路,包含許多(64至10,000多個(gè))相同的邏輯單元,可以將它們視為標(biāo)準(zhǔn)組件。每個(gè)邏輯單元可以獨(dú)立承擔(dān)一組有限的個(gè)性中的任何一個(gè)...
采用基于字的檢測方法對(duì)單向雙端口SRAM進(jìn)行測試
單向雙端口SRAM是一種專用的存儲(chǔ)器,它具有獨(dú)立的寫地址總線和讀地址總線,不僅可以實(shí)現(xiàn)單端口的讀寫,還可以對(duì)不同地址的存儲(chǔ)單元進(jìn)行同時(shí)讀寫操作,提高了S...
磁性隧道結(jié)(MTJ)通常是由兩層鐵磁材料中間夾著薄絕緣屏蔽(MgO 或Al2O3)層組成的,它可以實(shí)現(xiàn)雙穩(wěn)態(tài)隧道磁電阻 ( Tunneling Magn...
先楫HPM片上Cache使用指南經(jīng)驗(yàn)分享
高速緩存(Cache)主要是為了解決CPU運(yùn)算速度與內(nèi)存(Memory)讀寫速度不匹配的矛盾而存在, 是CPU與存儲(chǔ)設(shè)備之間的臨時(shí)存貯器,容量小,但是交...
OTA更新的設(shè)計(jì)權(quán)衡和經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)
這些結(jié)果表明,設(shè)計(jì)決策將對(duì)軟件性能產(chǎn)生切實(shí)的影響。沒有放之四海而皆準(zhǔn)的解決方案——每個(gè)系統(tǒng)都有不同的要求和約束,OTA更新軟件需要進(jìn)行調(diào)整才能解決這些問...
一、BL32(TEE OS)的準(zhǔn)備 ATF啟動(dòng)流程 ATF流程 ATF冷啟動(dòng)實(shí)現(xiàn)分為5個(gè)步驟: ? BL1 - AP Trusted ROM,一般為Bo...
嵌入式微控制器應(yīng)用中的無線更新:設(shè)計(jì)權(quán)衡和經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)
許多嵌入式系統(tǒng)部署在人類操作員難以或不切實(shí)際的地方。對(duì)于物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應(yīng)用尤其如此,這些應(yīng)用通常部署量較大且電池壽命有限。一些例子是監(jiān)控人或機(jī)器健...
MRAM是以磁性隧道結(jié)(MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層,和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同...
ADS-NPU芯片內(nèi)存計(jì)算之設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
模擬內(nèi)存計(jì)算IMC對(duì)打破傳統(tǒng)的Von Neumann計(jì)算機(jī)架構(gòu)內(nèi)存墻和能耗墻應(yīng)該更有優(yōu)勢,但需要同時(shí)打破設(shè)計(jì)中的模擬墻問題,這也是當(dāng)前數(shù)字設(shè)計(jì)IMC-S...
2022-07-13 標(biāo)簽:傳感器sram自動(dòng)駕駛 1335 0
機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)推理主要計(jì)算之存內(nèi)計(jì)算芯片
機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)應(yīng)用已經(jīng)在汽車、醫(yī)療保健、金融和技術(shù)等各個(gè)領(lǐng)域變得無處不在。這導(dǎo)致對(duì)高性能、高能效 ML 硬件解決方案的需求不斷增加。
2024-04-07 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)gpu 1332 2
你知道在5nm節(jié)點(diǎn)上, STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果?
研究機(jī)構(gòu)IMEC已經(jīng)發(fā)表了一篇論文,該研究表明,在5nm節(jié)點(diǎn)上,STT-MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果。這種優(yōu)勢比非易失性和較小的空間占用...
隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪問的要求越來越高,SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問題。
由于FPGA需要被反復(fù)燒寫,它實(shí)現(xiàn)組合邏輯的基本結(jié)構(gòu)不可能像ASIC那樣通過固定的與非門來完成,而只能采用一種易于反復(fù)配置的結(jié)構(gòu)。
EMI7512NTMI串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器概述及特點(diǎn)
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責(zé)任公司是一家以市場為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注SRAM存儲(chǔ)、顯示驅(qū)動(dòng),接口轉(zhuǎn)換芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及銷售。公司擁有國際知名設(shè) 計(jì)專家...
2022-04-28 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器sram偉凌創(chuàng)芯 1238 0
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