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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。
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DRAM(Dynamic Random Access Memory) 即動態(tài)隨機存取存儲器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,...
什么是F-RAM? F-RAM:鐵電隨機存儲器。相對于其它類型的半導體技術而言,鐵電隨機存儲器(F-RAM)具有一些獨一無二的特性。已經(jīng)確定的半導體存儲...
基于SRAM結(jié)構(gòu)FPGA邏輯資源的測試編程
隨著現(xiàn)場可編程門陣列( FPGA)芯片在商業(yè)、軍事、航空航天等領域越來越廣泛的應用,其可靠性和可測試性也顯得尤為重要。本文介紹一種基于SRAM結(jié)構(gòu)FPG...
3D NAND, 即立體堆疊技術,如果把2D NAND看成平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積成倍擴增,理論上可以無限堆疊,可以擺脫對先 進制...
在調(diào)試FPGA電路時要遵循必須的原則和技巧,才能降低調(diào)試時間,防止誤操作損壞電路。通常情況下,參考以下步驟執(zhí)行 FPGA硬件系統(tǒng)的調(diào)試。 1、在焊接硬件...
想想買保險產(chǎn)品的時候,各種產(chǎn)品選的是頭暈眼花,腦子里整天就想著對比兩個字。空間應用首要考慮的因素就是可靠性,要保險的產(chǎn)品,而不僅僅是給產(chǎn)品買保險,所以更...
靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)是隨機存取存儲器(RAM)的一種,以其獨特的靜態(tài)存儲方式而著稱。所謂“靜態(tài)”,意味著只要保持通電狀態(tài),SRAM內(nèi)部存儲的數(shù)...
基于ARM?Cortex?-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列特色分析
對于微處理界第一顆基于ARMCortex-M7內(nèi)核的高性能微控制器STM32F7系列,相信很多人對它都不陌生了。比如STM32F7系列微控制器采用90n...
基于TMS320的高速系統(tǒng)的示例數(shù)據(jù)集
本應用筆記描述了通過IDT雙端口靜態(tài)RAM在IBM PC型背板和TMS320C30 DSP芯片之間的“無麻煩”接口。該接口提供了一種非常簡單的方法,可以...
現(xiàn)代PLD的核電源為內(nèi)部多數(shù)電路供電,所消耗的功率也最高。每一次新工藝的出現(xiàn),都會產(chǎn)生新的核電源要求。支持PLD輔助電路的核電電源用于配置邏輯電路、時鐘...
AVR自帶的BOD電路,作用是在電壓過低(低于設定值)時產(chǎn)生復位信號,防止CPU意外動作。對EEPROM的保護作用是當電壓過低時保持RESET信號為低,...
下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時間表,以及多晶硅柵刻蝕技術后從90nm到22nm技術節(jié)點6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖...
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