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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。

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PT32x00x存儲器和總線構(gòu)架說明

n Cortex?-M0 內(nèi)核系統(tǒng)總線(S-bus)

2022-06-29 標(biāo)簽：存儲器內(nèi)核 sram 1028 0

NV-SRAM與BBSRAM的對比，誰的優(yōu)勢更加明顯

隨著無鉛技術(shù)在全球的推廣，NV-SRAM成為NVRAM的普遍選擇。本篇文章主要介紹了NV-SRAM與電池供電SRAM（BBSRAM）技術(shù)相比較。 BBS...

2020-12-22 標(biāo)簽：存儲器 sram 1026 0

ISSI具有糾錯功能的Async SRAM

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2020-05-28 標(biāo)簽：存儲器 sram ISSI 1023 0

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）

65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)...

2009-11-02 標(biāo)簽：SRAM 999 0

復(fù)旦微電子榮獲第三十四屆上海市優(yōu)秀發(fā)明選拔賽優(yōu)秀發(fā)明銀獎

為進一步鼓勵全市廣大職工和青少年開展群眾性科技創(chuàng)新活動，充分激發(fā)廣大職工和青少年的聰明才智，加快上海建設(shè)具有世界影響力的社會主義現(xiàn)代化國際大都市，上海市...

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路 RFID sram 984 0

MC51F003A4A0Y助力松下EMS眼罩EW-RAD11

近年來，隨著人們生活節(jié)奏的加快和工作壓力的增大，大部分人都會出現(xiàn)眼部疲勞和眼睛不適的情況。

2023-10-26 標(biāo)簽：振蕩器 sram EEPROM 981 0

基于單片機的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法

基于單片機的復(fù)雜可編程邏輯器件快速配置方法基于SRAM（靜態(tài)隨機存儲器）的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現(xiàn)，為系統(tǒng)設(shè)計者動態(tài)改變運行電路

2009-03-28 標(biāo)簽：cpld sram 980 0

靈動微電子榮膺年度創(chuàng)新IC設(shè)計獎

近日，靈動微電子受邀參加了由Aspencore主辦的2024國際集成電路展覽會暨研討會（IIC），靈動再度榮膺中國IC設(shè)計成就獎。

2024-04-02 標(biāo)簽：集成電路 mcu IC設(shè)計 969 0

EERAM解決方案可消除電池備份問題的不可靠性

MRAM芯片用備用電池代替SRAM的雄心可能與Microchip Technology最新的EERAM產(chǎn)品形式的舊式現(xiàn)存存儲器競爭。串行外圍設(shè)備接口（...

2020-08-27 標(biāo)簽：存儲器 sram 960 0

低功耗SRAM存儲器IS62WV1288DALL的特征

ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應(yīng)用在汽車、通信、...

2021-08-24 標(biāo)簽：芯片存儲器 sram 952 0

QDR SRAM體系結(jié)構(gòu)提供了網(wǎng)絡(luò)所需的隨機存儲器訪問功能

Cypress是同步高速SRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)者，累計發(fā)貨量超過27億個，交貨周期為六周或更短，準(zhǔn)時交貨率達到99％或更高，而傳統(tǒng)產(chǎn)品支持長達20年。賽普拉...

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采用低功耗可重編程解決方案的FPGA器件

當(dāng)然，并非所有的可編程邏輯技術(shù)都能很好地滿足低功耗要求。事實上，當(dāng)今市場某些所謂的“低功耗”器件的電流消耗高達30mA，這往往比對功率敏感的典型電池供電...

2020-07-20 標(biāo)簽：fpga sram 低功耗 944 0

賽普拉斯推出32位總線寬度低功耗異步SRAM

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長電池使用壽命)異步SRAM

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簡單說明如何計算產(chǎn)品設(shè)計中的FRAM耐久性

鐵電存儲器是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機存取兩個特長的鐵電隨機存儲器（內(nèi)存）。FRAM的數(shù)據(jù)保持不僅不需要備用電池，而且與EEP...

2020-10-19 標(biāo)簽：存儲器 sram fram 922 0

非易失MRAM是BBSRAM完美替代產(chǎn)品

MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器，使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...

2022-11-21 標(biāo)簽：存儲器 sram MRAM 921 0

256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器EMI7256概述及特征

國產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機存取存儲器，內(nèi)部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMO...

2022-04-24 標(biāo)簽：存儲器 sram 917 0

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns

Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個晶體管﹐采用6個晶體管存儲單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SR...

2020-11-17 標(biāo)簽：存儲器 sram 914 0

為什么鐵電RAM比串行SRAM更加的具有優(yōu)勢

對于特定的產(chǎn)品設(shè)計，關(guān)于鐵電RAM為何比串行SRAM更好，有幾個原因值得一提。以下各節(jié)將介紹其中的一些注意事項。優(yōu)越的頻率和帶寬傳統(tǒng)和ULE FRA...

2020-10-20 標(biāo)簽：存儲器 sram RAM 909 0

關(guān)于高耐久低成本NRAM工作原理的大揭秘

對比別的存儲器，納米碳管運行內(nèi)存（NRAM）是一個近些年出現(xiàn)的新東西，它具備眾多優(yōu)點：可以DRAM的速度提供非易失性，具有超越DRAM的可擴展性和對閃存...

2020-09-11 標(biāo)簽：存儲器 sram 905 0

SRAM存儲器已成為大多數(shù)高性能應(yīng)用程序的首選存儲器

從純技術(shù)角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質(zhì)性...

2020-09-28 標(biāo)簽：存儲器 sram 896 0

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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