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• 常用存儲單元的原理和特點

  在芯片設計時，通常需要用到各種類型的存儲單元，用以臨時或者永久地存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)應用場合的不同，所用到的存儲單元也不同。本文對常見的幾個存儲單元進行了介紹，并簡述了其工作原理和特點。需要特別說明的是，由于作者為數(shù)模混合集成電路工程師，因此本文是以作者的角度進行介紹和分析的，側重于一些類如ADC數(shù)據(jù)處理...

  3639次閱讀 · 0評論 DRAM存儲單元sramEPROM
  

• DRAM和NAND預計將占汽車內存收入的近90%

  2021 年，獨立內存市場規(guī)模高達1670億美元。占整個半導體市場的 28%。相比之下，汽車存儲器市場（2021 年為 43億美元）占全球存儲器市場收入的 2.6%，占汽車半導體的 10%——表明非存儲器電子元件在當前車輛中的普及。...

  1145次閱讀 · 0評論 NAND存儲器

• PCle 5.0接口的NVMe國態(tài)硬盤已不再遙遠？

  3DMark儲存基準測試支持現(xiàn)在最新的存儲技術，并專注于實用、真實的游戲性能，而且該項測試同樣基于真實應用的磁盤軌跡回放，可以反映最真實的性能表現(xiàn)。...

  1910次閱讀 · 0評論 SSDPCIe

• 信號完整性仿真：DDR3/4/5系列地址信號端接優(yōu)化對比

  導讀：DDR5協(xié)議發(fā)布已經(jīng)有一段時間了，其中的變化還是比較大的，地址信號采取了ODT的端接形式，本篇文章為大家仿真一下DDR5地址信號。同時，我也推薦大家關注我在仿真秀原創(chuàng)的精品課《DDR3/4/5系列信號完整性仿真24講》，讓你清楚掌握DDR協(xié)議和仿真關鍵技術要點。...

  2299次閱讀 · 0評論 DDR3仿真信號完整性DDR4DDR5

• 技術前沿：半導體存儲器

  按照存儲介質的不同，現(xiàn)代數(shù)字存儲主要分為光學存儲器、磁性存儲器和半導體存儲器三類。光學存儲器包括 CD、DVD 等。磁性存儲器包含磁帶、軟盤、HDD 硬盤等。半導體存儲器是目前存儲領域市場規(guī)模最大的存儲器件。自上世紀 40 年代電子計算機問世以來，計算機存儲設備隨著其他硬件設備的發(fā)展和軟件、數(shù)據(jù)量的...

  3336次閱讀 · 0評論 半導體NANDFlaSh存儲器存儲控制芯片

• 一文詳解DMA控制器(DMA)主要特征及參數(shù)

  CPU無時不刻的在處理著大量的事務，但有些事情卻沒有那么重要，比方說數(shù)據(jù)的復制和存儲數(shù)據(jù)，如果我們把這部分的CPU資源拿出來，讓CPU去處理其他的復雜計算事務，是不是能夠更好的利用CPU的資源呢？...

  6114次閱讀 · 0評論 存儲器cpusramdma

• 一文搞懂各種RAM、ROM存儲的異同點

  半導體存儲器是指通過對半導體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲密度高、耗電量少、耐震等特點。...

  3220次閱讀 · 0評論 半導體存儲器ROMRAM

• 基于垂直架構的新型二維半導體/鐵電多值存儲器

  二維層狀半導體材料得益于原子級薄的厚度，其受到靜電場屏蔽效應大大減弱，利用門電壓可以對其電學性能進行有效調控。利用二維層狀半導體材料構建的多端憶阻晶體管(Memtransistor)可以模擬人腦中復雜的突觸活動，有望應用于未來非馮架構的神經(jīng)形態(tài)計算等。此外，相比于平面構型，二維納米功能材料通常具有開...

  790次閱讀 · 0評論 MOSFET半導體存儲器憶阻器

• DDR、DDR2、DDR3、DDR4、LPDDR區(qū)別

  DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉”。DDR是一種技術，中國大陸工程師習慣用DDR稱呼用了DDR技術的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習慣用DRAM來稱呼。...

  11205次閱讀 · 0評論 DDR3DDRDDR2DDR4LPDDR

• 是什么導致存儲器需求下降？

  三星電子因為晶圓代工廠規(guī)模小，所以租下了龐大的DRAM廠的一部分來練習EUV曝光30萬到40萬張，但似乎還不夠，7nm和5nm的良率也很低。更糟糕的是，它傳聞3nm這邊的尖端已經(jīng)無藥可救了，他們正在為2nm修煉。...

  566次閱讀 · 0評論 DRAM存儲器

• 提供即時寫入功能的FRAM存儲器

  FRAM存儲器提供即時寫入功能，無限的耐用性和接近零的軟錯誤率，以支持對功能安全標準的遵守。引起人們對用于汽車EDR的FRAM非易失性存儲技術的興趣，因為其使用解決了這些缺點。...

  636次閱讀 · 0評論 存儲器EEPROMframEDR
  

• 高性價比NVMe SSD深度測試

  盡管SSD現(xiàn)在已經(jīng)非常普及，但從很多已經(jīng)配備SSD的電腦來看，其實SSD還是不夠用。因為很多電腦，從品牌機到DIY機器一般只會采用一塊性能較高、容量不大的SSD，往往只有512GB或1TB。...

  2047次閱讀 · 0評論 存儲器SSDPCIeCrucialnvme

• 主存儲器的基本組成

  基本上主存由三部分組成 存儲體 地址寄存器 數(shù)據(jù)寄存器。...

  3581次閱讀 · 0評論 存儲器存儲單元計算機存儲體Mar
  

• 介紹關于SRAM兩大問題挑戰(zhàn)

  平面到FinFET的過渡對SRAM單元的布局效率有重大影響。使用FinFET逐漸縮小關鍵節(jié)距已導致SRAM單元尺寸的迅速減小。鑒于對更大的片上SRAM容量的需求不斷增長，這樣做的時機不會更糟。離SRAM將主導DSA處理器大小的局面并不遙遠。...

  1250次閱讀 · 0評論 CMOS存儲器sramFlash單片機
  

• 億鑄存算一體AI大算力芯片：存算一體架構

  在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構中，處理與存儲單元是分離的。由于存算分離，AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大，會導致功耗大大增加，也就是存儲墻。...

  2309次閱讀 · 0評論 存儲器sramAIreram存算一體

• 英特爾數(shù)據(jù)存儲如何操作和實現(xiàn)

  隨著CPU性能的不斷提升，以及PCIe 4.0時代的來臨，原本基于磁盤的存儲方案越發(fā)捉襟見肘。磁盤存儲容量有所提升，但單位容量的性能卻不斷降低，從而使得SLA下降。...

  995次閱讀 · 0評論 英特爾數(shù)據(jù)存儲云存儲PCIe 4.0

• FM25V02A-GTR型號存儲器的產(chǎn)品介紹

  　　FM25V02A-GTR型號元器件是一款鐵電存儲器，采用先進的鐵電工藝，可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能，可以保持151年，同時消除了復雜性，串行通信引起的開銷和系統(tǒng)級可靠性問題閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器。與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V02A執(zhí)行寫入以總線速度運行，不會產(chǎn)生寫入延遲...

  2514次閱讀 · 0評論 存儲器EEPROMF-RAM鐵電存儲器
  

• 全面解析存儲知識：RAID、CDP、集群、VTL虛擬帶庫等存儲技術

  　　RAID （Redundant Array of Independent Disks）即獨立磁盤冗余陣列，RAID技術將多個單獨的物理硬盤以不同的方式組合成- -個邏輯硬盤，從而達到提升存儲容量、讀寫性能和數(shù)據(jù)安全性的目的。...

  1029次閱讀 · 0評論 存儲技術RAIDCDP

• 什么是列存儲，特點及場景在哪？

  列式存儲(column-based)是相對于傳統(tǒng)關系型數(shù)據(jù)庫的行式存儲(Row-basedstorage)來說的。簡單來說兩者的區(qū)別就是如何組織表：...

  5746次閱讀 · 0評論 cpu存儲

• 利用STM32系列豐富的外設資源來外擴SRAM芯片

  具有高達2MB的嵌入式閃存，在某些設備上具有讀-寫功能。兩個用于以太網(wǎng)的通用DMA控制器和專用DMA控制器（在某些變型中），高速USB On-The-Go接口和Chrom-ART圖形加速器（在某些變型中）。...

  1317次閱讀 · 0評論 QSPISRAM芯片STM32F7
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