電橋電路柵驅動器和MOSFET柵驅動器產品介紹
2024-03-19 09:43:36
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半橋 驅動器 通用 功率 MOSFET PowerPAK? MLP55-31L
2024-03-14 23:22:22
半橋 驅動器 通用 功率 MOSFET 41-LGA（5x6）
2024-03-14 23:16:04
電子發燒友網站提供《雙高速MOSFET驅動器TPS2811-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:40:47
0 電子發燒友網站提供《帶驅動調節器的同步降壓MOSFET驅動器TPS2838/39/48/49數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-14 09:32:560 電子發燒友網站提供《具有反極性保護、短路保護和診斷功能的100V、汽車類、低IQ 高側驅動器TPS4800-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:45:580 電子發燒友網站提供《雙高效同步MOSFET驅動器TPS51601A數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 11:07:200 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 伺服驅動器的三環，電流環，速度環，位置環，伺服驅動器比通用變頻器多了一個位置環，那么請問這個位置環的檢測是用什么器件檢測的，分為哪幾種檢測方式？又怎么傳遞給伺服的，傳遞的方式波形有哪幾種？如果要在
2024-03-11 22:52:23
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢，為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而，GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵極驅動器和控制器的發展。因此，電路設計師經常轉向為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器，這就需要仔細考慮多個因素以實現最佳性能。
2024-02-29 17:54:08188 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器 - TI | 貿澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅動器
2024-02-22 13:39:55
CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機驅動電路，主要應用于
較低功率電機驅動，如風扇電機。其內置了 6 個快恢復 MOSFET 和 3 個半橋 HVIC 柵極
驅動電路。內部
2024-01-30 15:53:16
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2024-01-15 14:47:230 半橋電路的電壓是24V，ADUM6132接5V和15V能正常驅動它嗎？是A通道驅動上功率管，B通道驅動下管嗎？
芯片除了正常的供電接地還需要接什么別的元件嗎？
2024-01-11 06:09:16
作者：Bill Schweber 投稿人：DigiKey 北美編輯 所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC
2024-01-01 13:25:00401 
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-20 11:30:41
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-20 11:13:03
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2023-12-20 11:09:10
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2023-12-19 13:43:56
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 13:39:52
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 13:36:17
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 12:01:33
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器，能提供最大4A/6A的拉灌電流能力，驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 11:55:58
報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
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2023-11-22 16:48:150 EVAL-6ED2742S01QM1評估套件包括一塊三相逆變功率板，內含額定電壓為160V 的6ED2742S01Q(5x5 VQFN-32)三相柵極驅動器，驅動六個額定電壓為150V
2023-11-17 17:08:41534 
H橋驅動器，可以驅動兩個直流有刷電機，或者一個雙極步進電機，或者螺線管及其它感性負載。每一個H橋的功率輸出級由N通道功率MOSFET組成，叫作H橋驅動器。每個橋包含整流電路和限流電路。內部關斷功能包含
2023-11-08 10:20:06
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8，原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
在電源與充電樁等高功率應用中，通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應用通常需要專用驅動器來驅動最后一級的功率晶體管，主要是出于以下幾個方面的考慮。 首先，最后一級
2023-10-22 14:47:33409 發現，像 Arduino 或樹莓派這樣的設備不能直接驅動重負載。在這種情況下，我們需要一個“驅動器”，也就是一個可以接受來自微控制器的控制信號，并且具有足夠功率來驅動負載的電路。在許多情況下，MOSFET
2023-10-16 09:19:231185 
今天在畫電路的時候突然想到一個問題，如圖的半橋驅動芯片，上半橋14腳未直接接地而16腳接驅動電壓正極，在上橋臂開通的時候，那么這個自舉電容是如何充電的呢？上橋臂開通的時候MOS管GS極間驅動壓差
2023-10-11 09:32:12
步進電機的半步驅動是由驅動器來設置的嗎
2023-10-11 06:52:18
與器件接地參考控制信號。自舉電容器 CBST、圖騰柱雙極驅動器和常規柵極電阻器都可作為電平位移電路。此外，一些驅動芯片已內置自舉電路，可直接將自舉信號接入功率器件基準端。
驅動電路按照電路結構分為隔離型
2023-10-07 17:00:40
瑞薩MCU內置LCD控制器/驅動器漫談
2023-09-28 16:12:42438 
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2023-09-25 11:27:500 單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制，采用節省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率，STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間，并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
在電機驅動系統中，柵極驅動器或“預驅動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅動電機所需的大電流。在選擇驅動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關無源元件時，有很多需要考量的設計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:34807 
請問：半橋LLC的MOS如何更換，之前使用國外品牌。目前采購不到，想替換國產，請問可以直接換同等規格的國產MOS嗎？驅動電路是否要特別處理？還有哪些細節要注意呢？
2023-07-31 17:52:57
這是使用IC MD7120作為MOSFET驅動器的D類功率音頻放大器的電路設計。 MD7120 用于驅動在 H 橋開關兩側運行的四個 N 溝道 MOSFET 晶體管。它由控制器邏輯電路、電平轉換器
2023-07-28 16:20:50801 
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V，IO的電流輸出能力在20MA以下，不足以直接驅動功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來設計電機驅動器時，通常需要搭配外部的MOSFET驅動器
2023-07-25 10:13:59683 
介紹
在設計電源開關系統（例如電機驅動器或電源）時，設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 供應ID2006SEC-R1 200V高低側半橋驅動芯片IC，提供id2006驅動芯片關鍵參數 ，廣泛應用于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、半橋功率逆變器、全橋功率逆變器、任意互補驅動轉換器等領域，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:30:38
供應ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請。>>
2023-07-20 14:10:05
應用領域： ??廣泛應用于風扇、水泵等小功率直流無刷電機領域。CMS3960是一款內置 MOSFET三相直流無刷電機驅動IC，集成故障輸出、過壓、過流、欠壓、過溫等多種保護功能。工作溫度-20
2023-07-07 10:09:44577 
TF1388M/TF2366M/TF2388M是一種三相柵極驅動IC，設計用于高壓三相應用，在半橋配置中驅動n通道模塊和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2388M高側
2023-07-04 11:38:27
TF21364M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF21364M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC，設計用于高壓、高速應用，驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
該芯片是一款單通道低側GaN FET和邏輯電平MOSFET驅動器，可應用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側驅動的功率轉換器等領域。
2023-06-30 09:58:50263 TFB0527是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器，內部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝，使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2003M高側切換到250V的引導操作
2023-06-27 16:35:30
，
具備互鎖功能、輸入耐負壓和HS耐負壓能力
互鎖功能
NSD1224具備互鎖功能，能有效避免因輸入干擾造成的功率管橋臂直通問題。
在電源應用中，受高頻開關噪聲的影響，半橋驅動芯片的輸入引腳容易受到
2023-06-27 15:14:07
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器，能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器，能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
寬禁帶生態系統的一部分，還將提供? NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南 。本文為
2023-06-25 14:35:02377 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。 圖 1.1 所示為雙極晶體管。要在集電極中產生電流，必須在基極端子和發射極端子之間施加電流。
2023-06-25 12:24:00556 
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
電源和信號，一直是業界無法實現的。因為硅器件的開關速度太慢，而且存在驅動器和 FET 之間的寄生阻抗、高電容硅 FET 以及性能不佳的電頻轉換器/隔離器，導致了硅器件無法做到更高的頻率。氮化鎵半橋電源芯片
2023-06-15 14:17:56
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。
2023-06-14 14:25:171548 
目前使用的無線充電方案是半橋+諧振電路，搭半橋的MOS芯片通過板子散熱最終可以達到50℃，天線可以到45℃，發射理論功率1W，有沒有什么可以降低發熱的辦法==
2023-06-14 10:20:43
BDR6120S
特性
● 內置 PMOS/NMOS 功率開關的單通道 H 橋驅動器
● 有正轉/反轉/停止/剎車四個功能
● 低待機電流 (typ.0.1uA)
● 寬工作電壓范圍，適用于鋰電池
2023-06-01 11:36:17
最近在研究一個無人機電池管理系統，RDDRONE-BMS772。文檔中關于電池平衡的內容不清楚——芯片組是內置 FET 還是只是驅動器？
2023-06-01 07:23:40
分享功率MOSFET驅動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:54:02518 
常規的雙極晶體管是電流驅動器件，而MOSFET 是電壓驅動器件。
2023-05-22 09:52:08747 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發射極）。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391473 
半橋驅動電路通過 SPWM 已經能生成正弦波了，請問一下各位大神，能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
推薦一款雙功率橋電機驅動芯片，帶有精確的電流監控，電流控制和電流限制徹底解決傳統功率橋芯片電流控制復雜的問題。提高控制感性線圈負載的電流精度。內置低功耗MOSFET
2023-05-06 19:03:31
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉換器的高效驅動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
請問一下半橋LLC諧振變換器功率最大可以做多大啊？
2023-04-25 15:23:47
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器，但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先，是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
OC5822 是一款內置功率 MOSFET的單片降壓型開關模式轉換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內實現 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
每個 H 橋的輸出驅動器模塊由配置為 H 橋的 N 溝道功率 MOSFET 組成，用于驅動電機繞組。每個 H 橋均具備調節或限制繞組電流的電路。
2023-04-07 12:26:21311 電機驅動是中微半導體集驅動和三相半橋于一體設計的緊湊型芯片，具有多重保護功能、輸出電流能力強、空間體積小等特點 。CMS3960是一款內置 MOSFET三相直流無刷電機驅動IC，集成故障輸出、過壓
2023-04-07 09:13:57
半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件，如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源（SMPS）、通用電源（UPS）和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001 LT?1336是一款成本效益型半橋式N 溝道功率 MOSFET 驅動器。浮動驅動器能夠采用一個高達 60V (絕對最大值) 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源，以驅動頂端 N 溝道功率MOSFET
2023-03-31 11:37:51
LT?1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅動器。浮動驅動器能夠采用一個高達 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源，以驅動頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:31:54
LT?1160/LT1162 是成本效益型半橋式/全橋式 N 溝道功率MOSFET 驅動器。浮動驅動器能夠采用一個高達 60V 的高電壓 (HV) 軌作為工作電源，以驅動頂端 N 溝道功率
2023-03-31 11:28:39
LTC7060驅動兩個采用半橋配置的N通道MOSFET，電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET，提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48
LTC7061驅動兩個采用半橋配置的N通道MOSFET，電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET，提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200
2023-03-29 15:06:13
ID7U603是一款基于P襯底、P外延的高壓、高速功率MOSFET和IGBT半橋驅動芯片，可兼容代換IR2104，應用領域于中小型功率電機驅動、功率MOSFET或IGBT驅動、照明鎮流器、半橋驅動
2023-03-29 09:24:35
稱半橋諧振正激變換器（LLC）有更寬的增益調節能力因而適合在需要寬范圍輸出的應用，如工業用電池充電器、USBPD充電器等領域使用。 由于變壓器副邊僅有一個繞組和二極管進行整流，當變換器的輸出功率
2023-03-23 14:19:33
RGB LED可產生多種顏色，包括白色，使其具有高度的通用性。每個RGB LED需要三個驅動器，每個顏色的LED需要一個驅動器。與單個LED驅動器相比，在RGB應用中使用多輸出LED驅動器可以節省解決方案的尺寸和成本。LTC3207和LTC3207-1每個都提供12個單獨可編程的電流源（通用驅動器）。
2023-03-23 11:08:122172 
LTC7001 是一款快速、高壓側 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器，選用高達 135V 的輸入電壓作業。該器材包括一個擔任全面增強外部 N 溝道 MOSFET 開關的內部充電泵，因此使其可以無限期地堅持導通。
2023-03-23 09:46:45514
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