Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過(guò)JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對(duì)于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的性能。

　　Vishay Siliconix的工廠位于加州Santa Clara，已被DSCC重新認(rèn)證，可采用MIL-PRF-19500標(biāo)準(zhǔn)對(duì)所生產(chǎn)的MOSFET進(jìn)行篩選。在用于軍工和重要航空應(yīng)用的系統(tǒng)中，MIL-PRF-19500標(biāo)準(zhǔn)樹(shù)立了對(duì)分立器件的性能、質(zhì)量和可靠性要求的準(zhǔn)繩。

　　今天推出的器件適用于TTL/CMOS直接邏輯電平接口，繼電器、螺線管、燈、電錘、顯示器、存儲(chǔ)器和晶體管的驅(qū)動(dòng)，以及電池供電系統(tǒng)和以及固態(tài)繼電器。MOSFET的密封TO-205AD封裝可承受軍工和航天應(yīng)用中更高的溫度。

　　60V 2N6660JANTX/JANTXV在10V下的典型導(dǎo)通電阻低至1.3Ω，柵源閾值電壓為1.7V，開(kāi)關(guān)速度為8ns。90V 2N6661JANTX/JANTXV在10V下的典型導(dǎo)通電阻為3.6Ω，柵源閾值電壓為1.6V，開(kāi)關(guān)速度為6ns。兩款器件均具有低輸入和輸出泄漏，以及低至35pF的典型輸入電容。

　　2N6660ANTXV和2N6661ANTXV按照MIL-PRF-19500的各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了100%的內(nèi)部視覺(jué)(在封蓋前)檢驗(yàn)。除減少2個(gè)步驟(MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn)的視覺(jué)檢驗(yàn)和加工)以降低成本以外，Vishay還對(duì)這些產(chǎn)品進(jìn)行了Group A、Group B、Group C和Group E檢測(cè)，以進(jìn)一步提高產(chǎn)品的可靠性。

　　通過(guò)JAN認(rèn)證的MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。

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RSR020N06TL是一款N溝道MOSFET產(chǎn)品，采用SOT23-3封裝。其特性包括額定電壓為60V，額定電流為4A，10V時(shí)的RDS(ON)參數(shù)為85mΩ，4.5V時(shí)為96mΩ，電壓限制

2023-11-30 14:19:32

60V降壓12V/0.6A穩(wěn)壓芯片 60V降壓5V/0.6A電源芯片

達(dá) 90%固定 500kHz 頻率熱關(guān)斷逐周期過(guò)流保護(hù)寬輸入電壓范圍：5.5~60V采用SOT23-6 封裝應(yīng)用:電表分布式電源系統(tǒng)電池充電器線性穩(wěn)壓器的預(yù)調(diào)節(jié)? 原理圖

2023-11-21 15:30:37

FS4067 SOP8 5V輸入兩節(jié)鋰電池升壓型充電管理芯片

N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉(zhuǎn)移到電池中。當(dāng)電感電流下降到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的下限時(shí)，外置N溝道MOSFET再次導(dǎo)通，如此循環(huán)。當(dāng)BAT管腳電壓第一次達(dá)到內(nèi)部設(shè)置的8.4V

2023-11-21 12:14:43

30N06L-VB一種N溝道TO252封裝MOS管

型號(hào) 30N06L-VB 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數(shù) N溝道、60V、45A、RDS(ON)、24m

2023-11-20 17:21:08

FDS8949-NL-VB一款2個(gè)N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

該型號(hào) FDS8949-NL-VB，絲印為 VBA3638，是VBsemi品牌生產(chǎn)的一款電子元器件。其參數(shù)為2個(gè)N溝道、60V、6A，RDS(ON)為27mΩ@10V、32mΩ@4.5V，20Vgs

2023-11-16 11:56:40

IPD26N06S2L-35-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào) IPD26N06S2L-35-VB絲印 VBE1638品牌 VBsemi參數(shù)說(shuō)明極性 N溝道

2023-11-13 11:48:57

STB60N06-14-VB-TO263封裝N溝道MOSFET

型號(hào) STB60N06-14-VB絲印 VBL1615品牌 VBsemi參數(shù) 溝道類型 N溝道最大耐壓

2023-11-13 10:26:09

2N7002ET1G-VB-SOT23封裝溝道MOSFET

型號(hào) 2N7002ET1G-VB絲印 VB162K品牌 VBsemi參數(shù) 溝道類型 N溝道最大耐壓

2023-11-11 11:43:37

FDC6301N-VB-SOT23-6封裝2個(gè)N溝道MOSFET

型號(hào) FDC6301N-VB 絲印 VB3222 品牌 VBsemi 參數(shù) 2個(gè)N溝道, 20V, 4.8A, RDS

2023-11-10 11:03:13

IPD30N06S2L-13-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

該型號(hào)為VBsemi品牌的N溝道晶體管IPD30N06S2L-13-VB，絲印為VBE1638。其詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介如下電壓 60V 電流

2023-11-09 15:55:51

30N06L-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào) 30N06L-VB 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數(shù) N溝道、60V、45A、RDS(ON)、24m

2023-11-08 17:17:38

ISL9N310AD3ST-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。絲印為VBE1307，具有以下詳細(xì)參數(shù) 額定電壓（Vds） 30V

2023-11-08 15:51:23

2SK3105-T1B-A-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明型號(hào): 2SK3105-T1B-A-VB 絲印: VB1330 品牌: VBsemi 參數(shù): N溝道,30V,6.5A,RDS

2023-11-08 11:12:50

FQU15N06L-VB-TO251封裝N溝道MOSFET

型號(hào)描述中文"型號(hào) FQU15N06L-VB 絲印 VBFB1630 品牌 VBsemi 參數(shù) N溝道,60V

2023-11-07 11:15:33

UD6004-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào) UD6004 絲印 VBE1638 品牌 VBsemi 參數(shù) 溝道類型 N溝道額定電壓 60V 額定電流 45A 導(dǎo)通電阻 24m

2023-11-06 10:09:50

2SK1273-VB-SOT89-3封裝N溝道MOSFET

型號(hào) 2SK1273絲印 VBI1695品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道額定電壓 60V 額定電流 5A RDS(ON) 76mΩ @ 10V，88mΩ @ 4.5V 門源電壓

2023-11-06 09:50:38

AM4902N-T1-PF-VB-SOP8封裝2個(gè)NH溝道MOSFET

AM4902NT1PF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明極性 2個(gè)N溝道額定電壓 60V 額定電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓

2023-11-03 10:11:50

ME35N06G-VB-TO252封裝溝道MOSFET

型號(hào) ME35N06G絲印 VBE1638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 45A 導(dǎo)通電阻 24mΩ@10V, 28mΩ@4.5V

2023-11-02 16:05:38

2SK2415-Z-E1-AZ-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào) 2SK2415ZE1AZ絲印 VBE1695品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 N溝道額定電壓 60V 額定電流 18A RDS(ON) 73mΩ @ 10V，85m

2023-11-02 09:48:45

B09N03A-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

電壓范圍 ±20V 門源閾值電壓 1.6V 封裝類型 TO252應(yīng)用簡(jiǎn)介 B09N03A（絲印 VBE1307）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。

2023-11-01 15:27:17

AO4882-VB-SOP8封裝2個(gè)N溝道MOSFET

型號(hào) AO4882絲印 VBA3410品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 40V 最大電流 12A 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V, 20m

2023-10-31 15:35:39

2SK4033-VB-TO252封裝N溝道MOSFET

型號(hào) 2SK4033絲印 VBE1695品牌 VBsemi參數(shù) N溝道,60V,18A,RDS(ON),73mΩ@10V,85mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；2Vth(V)；TO252該產(chǎn)品具有

2023-10-30 15:04:52

AO4828-VB-SOP8封裝2個(gè)N溝道MOSFET

AO4828詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明極性 2個(gè)N溝道額定電壓 60V 額定電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓

2023-10-30 10:36:46

SQ9945BEY-T1-GE3-VB-SOP8封裝2個(gè)N溝道MOSFET

型號(hào) SQ9945BEYT1GE3絲印 VBA3638品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明類型 2個(gè)N溝道MOSFET 最大耐壓 60V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 27mΩ @10V

2023-10-28 15:05:44

FDC5661N-VB-SOT23-6封裝N溝道MOSFET

FDC5661N詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V

2023-10-27 17:10:05

國(guó)產(chǎn)隔離DCDC芯片VPS8504N產(chǎn)品功能介紹

輸出、輸出功率1~~~3W的隔離電源。 VPS8504N內(nèi)部集成振蕩器，提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道MOSFET。芯片內(nèi)部按照對(duì)稱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，能有效確保兩個(gè)功率MOSFET的高度對(duì)稱性，避免

2023-10-12 09:38:22

ZXMS6008N8Q 60V N 溝道自保護(hù)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

。ZXMS6008N8 非常適合在標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 不夠堅(jiān)固的惡劣環(huán)境中作為由 3.3V 或 5V 微控制器驅(qū)動(dòng)的通用開(kāi)關(guān)。產(chǎn)品規(guī)格品

2023-09-25 11:11:04

ZXMS6001N3 60V N通道自保護(hù)增強(qiáng)模式 MOSFET 開(kāi)關(guān)

ZXMS6001N3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXMS6001N3 適用于VIN=5V應(yīng)用的低輸入電流自保護(hù)低側(cè)MOSFET。單片過(guò)溫、過(guò)電流、過(guò)電壓（有源箝位）和ESD保護(hù)邏輯級(jí)功能

2023-09-24 13:33:30

2N7002DWS 60V 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

2N7002DWS 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 2N7002DWS 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想

2023-09-23 14:54:19

DMT6010LPS 60V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

DMT6010LPS 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMT6010LPS 這款新一代 n 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合

2023-09-18 15:18:40

500V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:19:34

650V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:16:02

600V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

2023-09-15 06:19:23

使用3.3v nu-link下載5v N76E003需要電平轉(zhuǎn)換嗎？

下載器3.3V的N76E003是5V供電下載不成功N76E003換3.3就可以了，用到的信號(hào)需要做電平轉(zhuǎn)換才可以嗎？

2023-09-01 09:59:27

ARM Neoverse?N2核心技術(shù)參考手冊(cè)

Neoverse?N2內(nèi)核是一款高性能、低功耗的產(chǎn)品，采用ARM?v9.0-A架構(gòu)。此實(shí)施支持所有以前的ARMv8-A架構(gòu)實(shí)施，包括ARM?v8.5-A。 Neoversedsu n2核心在

2023-08-29 08:12:31

STF140N6F7 N 溝道功率 MOSFET

STF140N6F7內(nèi)容簡(jiǎn)介STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET電子元器件，為廣泛的電壓范圍（30V至350V）應(yīng)用提供了卓越的解決方案。采用TO-220FP封裝，以其N溝道結(jié)構(gòu)

2023-08-21 16:34:33

STD4NK60ZT4一款N溝道600 V，1.7 Ω 內(nèi)阻，4A超級(jí)MESH功率MOS管

器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散

2023-08-21 10:49:56

ARM Neoverse?N2軟件優(yōu)化指南

新宇宙? N2是一款高性能、低功耗的產(chǎn)品，采用Arm?v9.0-a架構(gòu)。此實(shí)現(xiàn)支持Arm?v8.6?A之前的所有Armv8-A體系結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。

2023-08-11 06:47:56

Arm Neoverse N2汽車硬件技術(shù)概述

本文件描述了NeoverseTM N2汽車參考堆棧的底層硬件架構(gòu)。本文件適用于計(jì)劃評(píng)估和使用NeoverseTM N2汽車參考堆棧的軟件、硬件和系統(tǒng)工程師。重點(diǎn)是了解NeoverseTM N2汽車

2023-08-10 06:25:36

ARM Neoverse N2 PMU指南

2. 本文介紹在NEVER N2中實(shí)施的不同性能監(jiān)測(cè)單位(PMU)活動(dòng)的行為。 NEVER N2有6個(gè)可編程32位計(jì)數(shù)器(對(duì)應(yīng)0-5),每個(gè)計(jì)數(shù)器可編程以計(jì)數(shù)本文件所描述的PMU事件之一

2023-08-09 06:07:35

1N4148、1N4007和1N5819二極管之間的區(qū)別是什么？

快（低開(kāi)關(guān)損耗），極低的正向壓降（低電壓損耗），而且反向耐壓低，通常小于60V，適用于低壓（不高于12V）開(kāi)關(guān)電源。　　1N5819二極管的另一個(gè)用途是利用其反向特性來(lái)穩(wěn)定電壓。因此，當(dāng)耐壓低且電流

2023-07-31 16:07:44

做一個(gè)120V 10A 1200W的電子負(fù)載，發(fā)現(xiàn)電壓超過(guò)60V后就會(huì)經(jīng)常燒管子是為什么？

想做一個(gè)120V 10A 1200W的電子負(fù)載，原本想用5個(gè)IRFP4568 5個(gè)管子分開(kāi)控制也就是每個(gè)2A，但是后來(lái)發(fā)現(xiàn)電壓超過(guò)60V后就會(huì)經(jīng)常燒管子。但是管子承載的功率60V*2A=120W遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有達(dá)到規(guī)格書(shū)上所說(shuō)的PD 517W，這是為什么，不應(yīng)該是驅(qū)動(dòng)導(dǎo)致的吧？求大神們解惑！

2023-07-31 11:32:44

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Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

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