無人機在無刷電機MOS管上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，具有極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:47:53
54 
無人機在無刷電機MOS管上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，具有極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:20:5845 
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負載開關(guān)。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低25毫歐電阻單通道負載開關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
，根據(jù)(2-27)式可繪制關(guān)系曲線，如圖2-14所示。
可見，當fCR.≤0,1時，R;IR與頻率無關(guān)，并日R，R.;當/GRD0,1時，R;將隨頻率的增高而逐漸減小。
2.低阻值情況
低阻值電阻器，R
2024-03-15 07:46:12
。這些電阻器體積小，成本低，而且數(shù)量大，在混合電路和集成電路中尤為重要，因為電阻器可以印刷在基板上，省去了電路板加載和焊接步驟，同時也很大程度上提高了散熱，提升了功率和性能。
標準元件使用鎳/錫端接
2024-03-15 07:17:56
和安裝片分開。
EAK模壓TO-247厚膜功率電阻器
這種結(jié)構(gòu)提供了非常低的熱阻，同時確保了端子和金屬背板之間的高絕緣電阻。因此，這些電阻器具有非常低的電感，使其成為高頻和高速脈沖應(yīng)用。
電阻
2024-03-15 07:11:45
物置的電阻溫度系數(shù)(a)的定義由下式表出:
a =(R,-R)/Rt。
式中R，R。分別為該物質(zhì)在:C和0℃時的阻值，0℃C創(chuàng)冰融化時的溫度。大多種金腐的a值為0.0038/C并且是正的。
如一物質(zhì)
2024-03-14 07:30:45
一個電阻器除了電阻值外，由于它精構(gòu)上的原因。必然存在一定的電容量和電威量。電阻器的里的等效電路如3.15所示。
R是電阻器的阻值，C是沿整個電阻體的分布電容量的總和。乙是導(dǎo)越電感，它包括電阻結(jié)構(gòu)所
2024-03-12 07:49:06
如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 總體描述:CS25N50F A9R硅n通道增強型VDMOSFET是由平面自對準技術(shù)獲得的降低導(dǎo)通損耗，提高開關(guān)性能性能和增強雪崩能量。晶體管可用于各種功率開關(guān)電路的系統(tǒng)小型化，效率更高。包裹表格
2024-03-01 10:49:29
羅德與施瓦茨 NRX 功率計的規(guī)格包括： 羅德與施瓦茨R&S NRX 功率計是一款高性能的功率測量儀器，廣泛應(yīng)用于通信、雷達、電子戰(zhàn)和射頻微波等領(lǐng)域。這款功率計采用了最先進的技術(shù)
2024-03-01 08:41:04
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對高功率應(yīng)用而被設(shè)計出來的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-27 22:02:07
0 “功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對高功率應(yīng)用而被設(shè)計出來的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩(wěn)定的電阻
2024-02-19 09:25:13299 5050燈珠與5730燈珠區(qū)別? 5050燈珠與5730燈珠是兩種常見的LED燈珠規(guī)格，它們在尺寸、亮度、功耗等方面有很多不同之處。本文將詳細介紹5050燈珠與5730燈珠的區(qū)別。 首先，我們可以
2024-01-31 15:24:54728 MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？MOS管體二極管能過多大的電流？ MOS管是一種主要用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它是一種特殊的場效應(yīng)晶體管，具有晶體管的放大功能和二極管的保護功能。在正常工作狀態(tài)下
2024-01-23 13:52:55544 MOS 門控晶閘管 ( MOS Controlled Thyristor, MCT）是結(jié)合雙極功率晶體管和MOS 功率晶體管于一體的功率器件，主要利用兩個 MOS 柵極來控制晶閘管的導(dǎo)通電流以獲得較好的關(guān)斷特性。
2024-01-22 14:02:42266 
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:31:28126 
舞臺燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開關(guān)損耗，提高整個電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:09:45150 
通，請教一下，為什么Q1會在上電瞬間導(dǎo)通一下？而且這樣接入一段時間后，也會突然導(dǎo)通一下，感覺是MOS管故障
2024-01-10 15:46:04
應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見的氮化鎵MOS管型號： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫工作能力等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用
2024-01-10 09:30:59366 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導(dǎo)致MOS管沒有進行低阻抗導(dǎo)通，比較熱，請問有關(guān)INFET管腳正常工作的設(shè)置條件（電路按照應(yīng)用電路設(shè)計）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實際應(yīng)用中，我們需要了解MOS管的型號和功率參數(shù)，以便選擇合適的MOS管。本文將介紹如何查看
2023-12-28 16:01:421919 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669
ad7699評估板電路圖 ADC BUFFERS中 R46的作用是什么，R53與C58的作用是低通濾波嗎
ad7699評估板電路圖EXTERNAL REFERENCE OPTIONS中R26、C38、R28的作用是什么
2023-12-18 07:45:10
1.5V左右），在輸入通道接地的情況下，輸出高字節(jié)的最低位都會出現(xiàn)1，希望能夠提供幫助？！
圖紙如下：其中R20去掉，R19焊接0R，C39/C40焊接零歐電阻，C35/C36/C37/C38使用0R電阻
2023-12-18 06:32:01
惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應(yīng)用于實驗室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 來滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們在許多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，例如電力轉(zhuǎn)換器、無線通信、雷達系統(tǒng)等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性較為特殊，普通的驅(qū)動芯片往
2023-11-22 16:27:58854 直流電源MOS管GS之間的電阻有什么用呢？ 直流電源MOS管的GS之間的電阻在電路中發(fā)揮著重要的作用。GS電阻可以被視為是MOS管的輸入阻抗，可以影響電路的整體性能。下面將詳細討論GS電阻的功能
2023-11-16 14:33:391023 這個MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
功率MOS管為什么會燒？原因分析? 功率MOS管，作為半導(dǎo)體器件的一種，被廣泛應(yīng)用于電源、變頻器、馬達驅(qū)動等領(lǐng)域。但在使用中，我們有時會發(fā)現(xiàn)功率MOS管會出現(xiàn)燒毀的情況。那么，功率MOS
2023-10-29 16:23:501018 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 燒壞，所以要加一個上拉或者下拉電阻，就是給我們這個GS間的寄生電容提供一個放電的路徑。這樣MOS管斷電就會是一個穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。
2023-10-21 10:38:16998 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負擺幅信號的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40786 
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對運放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
為什么電阻、MOS管的單位cell要做成偶數(shù)個？ 電阻和MOS管是電子電路設(shè)計中經(jīng)常使用的基本元件之一，而它們的單位cell通常都需要設(shè)計成偶數(shù)個。這樣的設(shè)計并非是偶然的，而是有其合理的原因。在本文
2023-09-20 16:23:38336 DMT10H9M9LCT 產(chǎn)品簡介DIODES 的 DMT10H9M9LCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的特點，非常適合高效電源管理應(yīng)用。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-09-18 13:29:11
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進步和應(yīng)用范圍的擴大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
管型號大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場效應(yīng)管，主要應(yīng)用于低電壓、低功率的開關(guān)電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性價比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，適用于
2023-08-18 14:35:337571 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。
2023-08-03 09:19:38344 
mos導(dǎo)通電壓不等于0，而是輸入電壓的二分之一，磁化電感電壓反而為0了，這是為啥？
2023-07-31 14:30:01
燈珠的一致性和可靠性。5050RGBW燈珠采用品牌芯片，陶瓷基板帶 lens 封裝結(jié)構(gòu)，具有低熱阻、高光效、高可靠性等特點。半功率角度達120° ，還可以無限調(diào)光，配色，光線更柔和，調(diào)光更均勻，使用時間更長。 1. 高品質(zhì)： 采用高品質(zhì)氮化鋁陶瓷基板，熱阻低
2023-07-17 14:36:25567 
今天學習LED開關(guān)電源里面一個細節(jié)：MOS管的驅(qū)動電阻為啥要并聯(lián)一個二極管。
2023-07-04 11:03:515763 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
管在導(dǎo)通狀態(tài)下消耗的功率為I*I*RDS（on）。比如MOS管的導(dǎo)通電阻是100毫歐，負載電流為10A，則MOS管消耗的功率高達10W。
2023-06-26 17:26:231579 
對于小功率電源（50W以內(nèi)）MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2023-06-19 10:41:332170 
MOS的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計算
根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個方法對不對？
有沒有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
電壓，增加Cgs的充電時間，從而降低上MOS管導(dǎo)通時的電壓電流的變化率和SW波尖峰。
圖注：自舉電阻為0Ω時，SW的測試波形
將電阻增大到45Ω時，可以明顯看出自舉電阻越大，SW波上升斜率越小，同時SW的尖峰越小，驗證了前面的結(jié)論。
圖注：電阻增大到45Ω時，SW的測試波形
2023-05-22 12:54:42
。“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數(shù)，但對于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
在開關(guān)電源里MOS導(dǎo)通時D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
9 至 16 dB，輸入功率為 1 至 10 W，幅度平衡為 ±0.25 至 ±1 dB。標簽：帶連接器的模塊，Wilkinson 功率分配器。PD4-0R53
2023-05-15 17:22:57
Marki Microwave 的 PD-0R510 是一款功率分配器，頻率為 500 MHz 至 10 GHz，插入損耗為 0.9 至 1.8 dB
2023-05-15 17:16:33
Marki Microwave 的 C09-0R426 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 26.5 GHz，耦合 9 dB，方向性 12
2023-05-12 11:47:38
Marki Microwave 的 C09-0R412 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 12 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-12 11:45:58
Marki Microwave 的 C09-0R418 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 18 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-11 17:42:52
Marki Microwave 的 C09-0R430 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 30 GHz，耦合 9 dB，幅度
2023-05-11 16:52:27
新產(chǎn)品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
保險電阻在正常情況下具有普通電阻的功能，一旦電路出現(xiàn)故障，超過其額定功率時，它會在規(guī)定時間內(nèi)斷開電路，從而達到保護其它元器件的作用。保險電阻分為不可修復(fù)型和可修復(fù)型兩種。
2023-05-09 15:12:28405 MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。
2023-05-08 09:08:543211 
額定功率是在額定環(huán)境溫度中可在連續(xù)工作狀態(tài)下使用的最大功率值。 當貼片電阻器通電后將會發(fā)熱。此外，由于使用溫度的上限是確定的， 因此在高于額定環(huán)境溫度的條件下使用時，需要按照以下的功率降額曲線來降低
2023-04-30 15:29:001044 
輸出電阻rds和互導(dǎo)gm都會受到輸出電壓vgs的影響，那么在mos場效應(yīng)管的小信號模型中，輸出電阻和互導(dǎo)是否會受到交流信號的影響不斷變化？
2023-04-28 14:32:13
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
os是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381348 硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級？
2023-03-31 11:45:58
共射放大電路的輸出電阻R0為什么不算上負載電阻RL？要考試了 ，求大神幫個小忙！！感激不盡
2023-03-24 10:18:50
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論