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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>三星電子率先量產(chǎn)32GB DDR3內(nèi)存模組

三星電子率先量產(chǎn)32GB DDR3內(nèi)存模組

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可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

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2023-12-25 14:02:58

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)!

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飛騰派及各種類似派硬件參數(shù)對(duì)比

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2023-12-14 23:33:28

三星電子在 EUV 曝光技術(shù)取得重大進(jìn)展

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美光率先為業(yè)界伙伴提供基于 32Gb 單裸片 DRAM 的高速率、低延遲 128GB 大容量 RDIMM 內(nèi)存

Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,具有高達(dá) 8,000 MT/s 速率
2023-11-24 15:08:02663

DDR3存儲(chǔ)廠迎漲價(jià)商機(jī) 華邦、鈺創(chuàng)、晶豪科等訂單涌進(jìn)

法人方面解釋說:“標(biāo)準(zhǔn)型dram和nand目前由三星、sk hynix、美光等跨國企業(yè)主導(dǎo),因此,中臺(tái)灣企業(yè)在半導(dǎo)體制造方面無法與之抗衡。”在ddr3 ddr3的情況下,臺(tái)灣制造企業(yè)表現(xiàn)出強(qiáng)勢(shì)。ddr3的價(jià)格也隨之上漲,給臺(tái)灣半導(dǎo)體企業(yè)帶來了很大的幫助。
2023-11-14 11:29:36405

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別?

DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別? 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展,內(nèi)存也越來越重要。DDR3DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及,更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:003885

瀾起科技在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03

2023年10月27日,瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03,該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組,旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性,滿足新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:41508

闡述DDR3讀寫分離的方法

DDR3是2007年推出的,預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的,DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分,本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:56516

#美國 #三星 美國徹底放棄卡脖子嗎?美國同意三星電子向中國工廠提供設(shè)備!

三星電子
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DDR3DDR4的技術(shù)特性對(duì)比

摘要:本文將對(duì)DDR3DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較,分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù),為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088

DDR3帶寬的計(jì)算方法

我們?cè)谫IDDR內(nèi)存條的時(shí)候,經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等,這些名稱都有什么含義嗎?請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922

DDR4與DDR3的不同之處 DDR4設(shè)計(jì)與仿真案例

相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化,比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出,邊緣變矮的形狀,在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡,這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478

DDR3的規(guī)格書解讀

以MT41J128M型號(hào)為舉例:128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3,每個(gè)bank的大小為16Mbit,一共有8個(gè)bank。
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DDR3帶寬計(jì)算之前,先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
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為什么DDR3/4不需要設(shè)置input delay呢?

內(nèi)置校準(zhǔn): DDR3DDR4控制器通常具有內(nèi)置的校準(zhǔn)機(jī)制,如ODT (On-Die Termination)、ZQ校準(zhǔn)和DLL (Delay Locked Loop)。這些機(jī)制可以自動(dòng)調(diào)整驅(qū)動(dòng)和接收電路的特性,以優(yōu)化信號(hào)完整性和時(shí)序。
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已經(jīng)有手機(jī)廠商測(cè)試32GB內(nèi)存的機(jī)型?

如此大規(guī)格的內(nèi)存,幾乎可以徹底告別“殺后臺(tái)”的情況出現(xiàn)了,日常使用也會(huì)更加流暢順滑。 需要注意的是,這么32GB內(nèi)存對(duì)于絕大多數(shù)用戶來說都是過剩的,日常使用可能一半都用不完,反而會(huì)造成更多的耗電。
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單條1TB容量的內(nèi)存條真的要實(shí)現(xiàn)了?

最新的32Gb DDR5內(nèi)存芯片,繼續(xù)采用12nm級(jí)別工藝制造,相比三星1983年推出的4Kb容量的第一款內(nèi)存產(chǎn)品,容量已經(jīng)增加了50多萬倍!
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三星計(jì)劃采用12納米技術(shù),提升內(nèi)存模組容量

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基于FPGA的DDR3讀寫測(cè)試

本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目:DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
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基于AXI總線的DDR3讀寫測(cè)試

本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目:基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡(jiǎn)單用戶接口的讀寫方式:《DDR3讀寫測(cè)試》,如果在某些項(xiàng)目中,我們需要把DDR掛載到AXI總線上,那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR
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三星發(fā)布容量最大的12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品

在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
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使用32Gb/S光纖通道實(shí)現(xiàn)更快的應(yīng)用性能

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關(guān)于MCU200T的DDR3的配置和原理圖的問題

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2023-08-02 11:55:49

通過32Gb/S光纖通道提高應(yīng)用程序性能

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2023-07-29 09:56:460

可制造性案例│DDR內(nèi)存芯片的PCB設(shè)計(jì)

DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片,其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種,由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性,因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877

PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用

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2023-07-24 09:50:470

關(guān)于DDR3設(shè)計(jì)思路分享

DDR3的速度較高,如果控制芯片封裝較大,則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大,必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38312

高速設(shè)計(jì):用于DDR3/DDR4的xSignal

DDR4
Altium發(fā)布于 2023-06-25 17:49:32

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

和 DQS Gate Training ?DDR3 最快速率達(dá) 800 Mbps 、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) a. 安裝 DDR3 IP 核 PDS 安裝后,需手動(dòng)添加 DDR3 IP,請(qǐng)按以下步驟完成: (1
2023-05-31 17:45:39

使用帶有ECC芯片的4GB DDR3 RAM連接到T1040處理器DDR控制器,未能成功生成DDR地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤的原因?

我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。 我嘗試了這個(gè)序列,但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤: 步驟1: ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03

XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議

供應(yīng)XPD320B 20w協(xié)議芯片外置VBUS MOS支持三星 AFC 協(xié)議,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、車載充電器等設(shè)備的USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>   
2023-05-30 14:24:29

內(nèi)存模組的類型

和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代,標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比, DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為: ( 1)速度
2023-05-29 14:07:381359

XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿

供應(yīng)XPD319BP18 三星18w快充協(xié)議芯片支持三星afc快充協(xié)議-一級(jí)代理富滿,廣泛應(yīng)用于AC-DC適配器、車載充電器等設(shè)備提供高性價(jià)比的 USB Type-C 端口充電解決方案,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2023-05-29 11:37:36

XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案

供應(yīng)XPD318BP25 三星25w充電器協(xié)議芯片單c口支持三星25w方案 ,廣泛應(yīng)用于AC-DC 適配器、USB 充電設(shè)備等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳富滿微代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-05-29 10:09:46

如何查看S32G3支持的DDR芯片?

S32G3開發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B 但是我們的開發(fā)板使用的是三星的芯片(K4FBE3D4HM THCL)。 如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片?。以及如何支持新的DDR芯片?
2023-05-23 07:15:48

紫光同創(chuàng)FPGA入門指導(dǎo):DDR3 讀寫——紫光盤古系列50K開發(fā)板實(shí)驗(yàn)教程

Write Leveling 和 DQS Gate Training ?DDR3 最快速率達(dá) 800 Mbps 、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) a. 安裝 DDR3 IP 核 PDS 安裝后,需手動(dòng)添加 DDR3 IP,請(qǐng)按
2023-05-19 14:28:45

想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?

你好 : 專家,我們想使用S32R45和DDR3,你能幫我在哪里找到示例項(xiàng)目或用例嗎?
2023-05-17 08:13:46

在i.MX6 SOLO中有沒有辦法讀取芯片DDR3的大小?

在 i.MX6 SOLO 中有沒有辦法讀取芯片 DDR3 的大小?
2023-05-06 07:04:11

DDR SDRAM與SDRAM的區(qū)別

DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng),直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍;如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867

如何使用codewarrior生成的ddr代碼?

我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存,一個(gè) ddr 控制器連接 8GB個(gè)問題:1)在codewarrior ddr config上,我們應(yīng)該選擇什么dram類型?NoDimm
2023-04-03 07:24:21

UBOOT在硬件2GB RAM上顯示3GB RAM是怎么回事?

ddr_init.c 和 ddrphy_train.c 以使用 uboot 構(gòu)建。 Uboot 構(gòu)建成功,但它在啟動(dòng)日志中顯示 3GB RAM(3GB 是錯(cuò)誤的值)。我把它標(biāo)記為黃色。那么我
2023-03-24 07:43:17

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