電子發燒友網報道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規模應用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。現在大家對第三代半導體器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4294 寬禁帶半導體（WBS）是自第一代元素半導體材料（Si）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料，禁帶寬度大于2eV，這類材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立方氮化硼）、GaN（氮化鎵、）AlN（氮化鋁）、ZnSe（硒化鋅）以及金剛石等。
2016-12-05 09:18:344463 
5月10日消息 南韓近期啟動「X-band GaN國家計劃」沖刺第三代半導體，三星積極參與。由于市場高度看好第三代半導體發展，臺積電、世界等臺廠均已卡位，三星加入南韓官方計劃沖刺第三代半導體布局
2021-05-10 16:00:572587 至12.4%，而GaN 的占比則將從2021 年的0.5%，在2025 年提升至4.8%。 ? 3月15日，在深圳某論壇上，中國第三代半導體產業技術創新聯盟秘書長趙靜分享2022年全球半導體產業
2023-03-17 00:17:003004 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）在我們談論第三代半導體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361586 化合物半導體在通訊射頻領域主要用于功率放大器、射頻開關、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體分別作為第二代和第三代半導體的代表，相比第一代半導體高頻性能、高溫性能優異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
器件產業鏈重點公司及產品進展：歐美出于對我國技術發展速度的擔憂及遏制我國新材料技術的發展想法，在第三代半導體材料方面，對我國進行幾乎全面技術封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國科研機構和企業單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個世紀六七十年代，III-V族半導體的發展開辟了光電和微波應用，與第一代半導體一起，將人類推進了信息時代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導體材料的出現，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫，至第三代移動通信技術。相對于第一代模擬制式手機（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數字手機（２Ｇ）來說，第三代手機是指將無線通信與國際互聯網等
2019-07-01 07:19:52
僅限于新的2GHz頻段， EDGE技術也能夠讓使用800、900、1800、1900MHz頻段的網絡提供第三代移動通信網絡的部分功能。在此基礎上，Ericsson公司于1997年第一次向ETSI提出了EDGE
2009-11-13 21:32:08
）第三代紅外攝像機技術散熱性能好、發光點大、亮度高等特點大大提高了紅外燈的使用效率，并且采用獨特的COB封裝技術能有效地將紅外燈5年內的光衰減控制在10%以內，比陣列式的使用壽命延長5年。在使用壽命上
2011-02-19 09:35:33
，到目前全球首推的第三代紅外技術，紅外夜視領域經歷了一場場紅外技術新革命，引領著夜視監控行業向更深更遠的方向發展，給安防市場制造著一個又一個亮點。紅外技術早在60年代初期由美國貝爾實驗室研發
2011-02-19 09:38:46
LED:節能環保的第三代照明技術1、半導體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠自 20 世紀 60 年代世界第一個半導體發光二極管誕生以來，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
半導體行業發展概覽WSTS 預測，2023年全球半導體市場規模將同比減少4.1％，降至 5,566億美元，但這一波下行周期有望在2023年下半年出現拐點，受益于國際行情，中國半導體市場占全球半導體
2023-03-17 11:08:33
;Reliability (可靠性) " ，始終堅持“品質第一”SiC元器有三個最重要的特性：第一個高壓特性，比硅更好一些；而是高頻特性；三是高溫特性。 羅姆第三代溝槽柵型SiC-MOSFET對應
2020-07-16 14:55:31
據業內權威人士透露，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入“十四五”規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，...
2021-07-27 07:58:41
什么是第三代移動通信答復：第三代移動通信系統IMT2000，是國際電信聯盟（ITU）在1985年提出的，當時稱為陸地移動系統（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現有的第二代移動
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動通信技術的興起，UMTS網絡的建立將帶來一場深刻的革命，這對網絡規劃也提出了更高的要求。在德國轟動一時的UMTS執照拍賣，引起了公眾對這一新技術的極大興趣。第三代移動通信網絡的建設正方
2019-08-15 07:08:29
IR-III技術定義(IR-III Technology Definition)IR-III技術即紅外夜視第三代技術，根植于上世紀60年代美國貝爾實驗室發明的紅外夜視技術，屬于一種主動式紅外
2011-02-19 09:34:33
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
已經將產業未來聚焦到了第三代化合物半導體身上。可以說第三代半導體就是未來功率器件的發展方向。全國兩會近日剛落下帷幕，第三代半導體（GaN和SiC）再度成為兩會的關鍵詞之一。伴隨著第三代半導體行業的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動通信系統標準的ALC控制方案的設計與實現
2021-01-13 06:07:38
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
淺析第三代移動通信功率控制技術
2021-06-07 07:07:17
一、化合物半導體應用前景廣闊，市場規模持續擴大 化合物半導體是由兩種及以上元素構成的半導體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業協會統計，2019年中國半導體產業市場規模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動通信向第三代(3G)標準的演化與發展，給出了范圍廣泛的3G發射機關鍵技術與規范要求的概述。文章提供了頻分復用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統發射機的設計和測得的性能數據，以Maxim現有的發射機IC進行展示和說明。
2019-06-14 07:23:38
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
Intel Xeon?可擴展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴展處理器（第三代）針對云、企業、HPC、網絡、安全和IoT工作負載進行了優化，具有8到40個強大的內核和頻率范圍、功能和功率級別
2024-02-27 11:58:54
，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:52
9 第三代半導體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum
2017-11-10 11:35:571 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235899 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:52:507498 
本文首先介紹了第三代半導體的材料特性，其次介紹了第三代半導體材料性能應用及優勢，最后分析了了我國第三代半導體材料發展面臨著的機遇挑戰。
2018-05-30 12:37:3334572 
認為通過第三代半導體的發展就能解決芯片卡脖子是誤解，第三代半導體更多應用在器件方面。對這一概念相關領域的個股投資時，建議對該領域的市場空間與企業情況充分了解。 據不完全統計，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553846 ，GaN與SiC在應用上形成了優勢互補，劍指高低壓、高頻及高功率領域，兩者的應用場景幾乎覆蓋了新能源汽車、光伏、智能電網、5G基站、無線充電等大多數未來前景可期的新興應用市場。 再加上國家和各地方政策持續利好，有望推動國內第三代半
2019-05-09 17:47:223471 第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317834 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:574168 近幾年，國內不少地區都紛紛建設第三代半導體生產線，種種跡象表明，第三代半導體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對整個產業帶來哪些影響？國內發展第三代半導體應注意什么問題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328746 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147281 
什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體
2020-09-28 09:52:203335 
、新能源汽車、5G應用等第三代半導體關鍵市場的增速位居全球前列，為第三代半導體帶來巨大的發展空間和良好的市場前景，將催生上萬億元潛在市場。 第三代半導體為何如此被看好，有哪些重點應用方向？我國第三代半導體企業該如
2020-10-09 16:44:513423 隨著5G、快充、新能源汽車產業應用的不斷成熟與發展，特別是在國家今年大力提倡新基建的產業環境下，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體，正在憑借禁帶寬大、擊穿電場強度高、抗輻射能
2020-10-10 10:48:521887 呢？為什么說第三代半導體有望成為國產替代希望？ 第三代半導體也被稱為寬帶隙半導體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業互聯網等多個新基建產業的重要材料，同時也是
2020-10-29 18:26:404945 
。 什么是第三代半導體？ 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。 一、二、三代半導體什么區別？ 一、材料 第一代半導體材料，發
2020-11-04 15:12:374379 來源 | GaN世界 據了解，我國計劃把大力支持發展第三代半導體產業，寫入十四五規劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發、融資、應用等等各個方面，大力支持發展第三代半導體產業，以期
2020-11-05 09:25:4933556 近年來，隨著半導體市場的飛速發展，第三代半導體材料也成為人們關注的重點。第三代半導體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052824 在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導體的優勢被放大。
2020-11-29 10:48:1288091 招商引資名單中。 問題來了：第三代半導體產業是真的進入春天還是虛火上升？又有哪些行業真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對于IGBT、MOSFET和超級結MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業帶來哪些技術變革？ 為了回答這些問題，小編認真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312778 最近，“我國將把發展第三代半導體產業寫入‘十四五’規劃”引爆全網。什么是第三代半導體？發展第三代半導體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443379 眾所周知，先發優勢是半導體行業的特點。而在第三代半導體方面，國內外差距沒有一、二代半導體明顯。
2020-12-18 10:11:013588 日前，阿里巴巴達摩院預測了2021年科技趨勢，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應用大爆發。第三代半導體與前兩代有什么不同？為何這兩年會成為爆發的節點？第三代半導體之后
2021-01-07 14:19:483468 深圳愛仕特科技公司第三代半導體SiC產品宣傳冊
2021-03-16 16:18:5934 半導體的觸角已延伸至數據中心、新能源汽車等多個關鍵領域，整個行業漸入佳境，未來可期。 第三代半導體可提升能源轉換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優勢，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163661 
新產品，在新的賽道上邁出了堅實的步伐。 01 新賽道 開新局 第三代半導體是國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃的重要發展方向。與傳統的硅基半導體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體除了具備較大的禁帶寬度之外，還具有高導熱
2021-04-22 11:47:102755 ? 第三代半導體材料是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性和基礎性產業，是國家新材料發展計劃的重中之重。“十四五”期間，我國將在教育、科研、開發、融資、應用等方面，大力支持發展第三代半導體產業
2021-06-17 09:11:0410396 MOSFET管要么分布在高壓低速的區間，要么分布在低壓高速的區間，市面上傳統的探測技術可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導體器件SiC 或GaN的技術卻大大擴展了分布的區間，覆蓋以往沒有出現過的高壓高速區域，這就對器件的測試
2021-12-29 17:11:061086 
電子發燒友網報道(文/程文智)這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規模應用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角。現在大家對第三代半導體器件的前景非常看好，很多企業也一頭扎入了第三代半導體產業當中。
2022-01-01 14:53:193870 SIC MOSFET是新興起的第三代半導體材料，是一種寬禁帶半導體（禁帶寬度＞2eV，而SI禁帶寬度僅為1.12eV），因其具有寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點，適用于高溫、高頻、大功率等應用場合。
2022-02-25 15:49:2843 日前，基于SiC和GaN的第三代半導體技術蓬勃發展，其對應的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的TIVP系列光隔離探頭，以其優越的160dB
2022-05-12 14:54:171360 
據統計，目前國內以SiC、GaN為代表的第三代半導體主要制造商已達147家。
2022-07-20 15:16:351522 第三代半導體具有較高的熱導率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛星、汽車、雷達、工業、電源管理、射頻通信等諸多領域。在當前的第三代半導體材料中，氮化鎵（GaN）和（SiC）相對成熟，具有最有前景的發展前景。
2023-02-05 14:36:00870 在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。
2023-02-08 13:43:211456 
、射頻應用中的顯著
性能優勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 領域的性能方面表現不佳，但還有性價
比助其占據市場。第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）、磷化銦（InP）為代表，主要應用領域為光電子、微電
子、微波功率器件等。第三代半導體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金
2023-02-27 15:20:113 日前，在南京世界半導體大會暨第三代半導體產業發展高峰論壇上，國家新材料產業發展專家咨詢委員會委員、第三代半
導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和“十四五”國家研發計劃都已經明確，第三代半導體是重要發展方
向，現在到了動議討論實施方案的階段。
2023-02-27 15:23:005 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子
密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-02-27 14:49:138 、射頻應用中的顯著
性能優勢，第三代半導體逐漸顯露出廣闊的應用前景和市場發展潛力。
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 速增長的新能源市場對第三代半導體提出了更多需求，貴司在該領域采取了哪些策略？在市場應用方面有哪些進展？
2023-02-28 14:52:341563 所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361097 為期四天的2023廣州國際照明展覽會（簡稱：光亞展）在火熱的氣氛中圓滿落幕。此次展會，國星光電設置了高品質白光LED及第三代半導體兩大展區，鮮明的主題，引來了行業的高度關注。 其中，在第三代半導體
2023-06-14 10:02:14458 
的半導體測試也提出了更多新的挑戰。斯丹麥德干簧繼電器是如何在挑戰中發現新的機遇呢？第三代半導體SiC，GAN等需要高壓，大電流的測試，要求繼電器擁有高切換電壓和耐
2022-01-10 16:34:43748 
能與成本?未來有何發展目標?...... 前言： 憑借功率密度高、開關速度快、抗輻照性強等優點，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料被廣泛應用于電力電子、光電子學和無線通信等領域，以提高設備性能和效率，并成為當前半導
2023-09-18 16:48:02385 第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優勢，這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
2023-10-10 16:34:28330 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06824 第三代半導體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 2023年10月25日 - 2023全國第三代半導體大會今日在深圳寶安格蘭云天國際酒店四樓會議廳隆重開幕。本屆大會由今日半導體主辦，吸引了來自全國各地的400多家企業參與，共同探討第三代半導體產業的發展趨勢和應用前景。
2023-11-06 09:45:31293 近日，華大半導體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國第三代半導體外延十強企業”稱號，其生產的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產品獎”。這一榮譽充分體現了中電化合物在第三代半導體外延領域的卓越實力和領先地位。
2024-01-04 15:02:23653 第三代半導體以此特有的性能優勢，在半導體照明、新能源汽車、新一代移動通信、新能源并網、高速軌道交通等領域具有廣闊的應用前景。2020年9月，第三代半導體被寫入“十四五”規劃，在技術、市場與政策的三力驅動下，近年來國內涌現出多家第三代半導體領域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36552
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