本內(nèi)容介紹了IGBT模塊的檢測(cè)方法，以兩單元為例:用模擬萬用表測(cè)量，判斷IGBT的方法
2011-12-21 10:30:26
8505 本文首先介紹了IGBT的概念與結(jié)構(gòu)，其次對(duì)IGB模塊原理電路進(jìn)行了分析以及介紹了變頻器IGBT模塊常見故障處理，最后介紹了變頻器IGBT模塊檢測(cè)方法以及IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量。
2018-05-22 09:15:539392 IGBT 功率模塊工作過程中存在開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，這些損耗以熱的形式耗散，使得在 IGBT 功率模塊封裝結(jié)構(gòu)產(chǎn)生溫度梯度。并且結(jié)構(gòu)層不同材料的熱膨脹系數(shù)( Coefficient of Thermal Expansion，CTE) 相差較大
2022-09-07 10:06:184436 IGBT模塊是一種模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，由IGBT(絕緣柵雙極晶體管芯片)和續(xù)流二極管芯片(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋封裝而成。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于逆變器、UPS等設(shè)備。
2023-02-22 15:11:412220 
IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。IGBT模塊具有使用時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)，汽車級(jí)模塊的使用時(shí)間可達(dá)15年。因此在封裝過程中，模塊對(duì)產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求非常高。高可靠性設(shè)計(jì)需要考慮材料匹配、高效散熱、低寄生參數(shù)、高集成度。
2023-12-29 09:45:05597 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會(huì)發(fā)熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環(huán)境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:08247 
電路。2. 門極電路設(shè)計(jì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)電阻、電容等都應(yīng)該盡量靠近模塊端子放置。3.3kV的模塊關(guān)斷過壓較小，不需要用遠(yuǎn)大于規(guī)格書給定的電阻值。如果開通關(guān)斷使用不同阻值的電阻的話，可以用二極管隔開，如圖3
2018-12-06 10:06:18
IGBT封裝新人報(bào)道，本人做IGBT封裝的，以后和大家多交流了~
2010-04-25 14:24:48
IGBT封裝過程中有哪些關(guān)鍵點(diǎn)？
2019-08-26 16:20:53
TM 4。EconoPACK TM 4——樹立新封裝標(biāo)準(zhǔn)EconoPACK TM 4是一個(gè)六單元IGBT模塊，包含測(cè)量溫度用的NTC電阻器。該封裝基于Econo封裝原理［3］，采用了獨(dú)特的扁平幾何結(jié)構(gòu)
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
IGBT模塊散熱器的發(fā)展與應(yīng)用 1概述 電力電子器件的發(fā)展經(jīng)歷了晶閘管(SCR)、可關(guān)斷晶閘管(GTO)、晶體管(BJT)、絕緣柵晶體管(IGBT)等階段。目前正向著大容量、高頻率、易驅(qū)動(dòng)
2012-06-19 11:17:58
IGBT模塊是由哪些模塊組成的？IGBT模塊有哪些特點(diǎn)？IGBT模塊有哪些應(yīng)用呢？
2021-11-02 07:39:10
。不同型號(hào)的混合驅(qū)動(dòng)模塊，其輸出能力、開關(guān)速度與du/dt的承受能力不同，使用時(shí)要根 據(jù)實(shí)際情況恰當(dāng)選用。 IGBT模塊散熱器是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)
2012-06-19 11:26:00
這里以單個(gè)IGBT管為例（內(nèi)含阻尼二極管），IGBT管的好壞可用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，使IGBT的CE腳在關(guān)閉狀態(tài)下，避免
2012-04-18 16:15:53
大家好，我是新手，想做一個(gè)PWM卸荷裝置，請(qǐng)問一下，這個(gè)IGBT管怎么接線？謝謝
2012-12-17 13:48:41
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 12:00:13
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
1，IGBT單管：IGBT，封裝較模塊小，電流通常在100A以下，常見有TO247 等封裝,sg 本人常用。2，IGBT模塊
2012-07-09 10:12:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 11:53:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管
2012-07-09 10:01:42
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------一、簡(jiǎn)述大家都知道，IGBT單管相當(dāng)?shù)拇嗳?，同樣電流容量?b class="flag-6" style="color: red">IGBT單管，比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了，也就是說，在逆變H橋里頭，MOSFET上去沒有問題，但是IGBT.
2021-11-15 08:51:39
IGBT有哪些封裝形式？
2019-08-26 16:22:43
各位大神好，想請(qǐng)教一個(gè)問題。我現(xiàn)在手上有一個(gè)IGBT模塊，型號(hào)是FF150RT12R4。我現(xiàn)在想找一個(gè)驅(qū)動(dòng)這個(gè)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)模塊，是驅(qū)動(dòng)模塊，不是驅(qū)動(dòng)芯片，我在網(wǎng)上查找到了EXB840，但是這個(gè)驅(qū)動(dòng)年份有些久遠(yuǎn)，所以想問有沒有類似的新產(chǎn)品，求推薦型號(hào)。
2021-01-04 10:40:43
什么是IGBT模塊？IGBT是一種功率半導(dǎo)體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱。IGBT功率模塊是在一個(gè)封裝中組裝和物理封裝多個(gè)IGBT功率半導(dǎo)體芯片。。..IGBT功率模塊用作電子開關(guān)器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
其中X13C是拿來給電流采樣電阻做信號(hào)處理的，LJZN好像是給X13C提供電源的。其中LJZN封裝是四個(gè)引腳，一個(gè)電源腳（這個(gè)腳與另外一個(gè)相通），一個(gè)輸出，一個(gè)地；X13C是六個(gè)引腳，兩個(gè)輸入，一個(gè)電源，三個(gè)輸出。
2017-05-26 11:24:20
IPM 模塊有四種封裝形式：?jiǎn)?b class="flag-6" style="color: red">管封裝，雙管封裝，六管封裝和七管封裝。
2019-09-17 09:11:37
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下
2020-07-19 07:33:42
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進(jìn)一步深入了解?！ ⊥ㄟ^TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關(guān)的三端子功率半導(dǎo)體器件，正如其開發(fā)的目的，結(jié)合了高效率和快速的開關(guān)功能，它在
2020-07-07 08:40:25
/ 西門子IGBT模塊 EUPEC IGBT模塊 英飛凌單管 EUPEC可控硅 英飛凌IGBT模塊優(yōu)派克IGBT模塊 歐派克IGBT模塊 西門子IGBT模塊 infineon IGBT模塊
2021-12-02 17:55:00
`什么是IGBT?什么是IGBT模塊？什么是IGBT模塊散熱器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
。電磁感應(yīng)加熱IGBT單管散熱問題電磁感應(yīng)加熱IGBT有單管和模塊兩種，在用單管時(shí)，單管IGBT的外殼與鋁接一起作為散熱用，而外殼剛好與接到線圈的輸出端為同一極，這樣散熱鋁片也就帶電轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 10:03:42
。電磁感應(yīng)加熱IGBT單管散熱問題電磁感應(yīng)加熱IGBT有單管和模塊兩種，在用單管時(shí)，單管IGBT的外殼與鋁接一起作為散熱用，而外殼剛好與接到線圈的輸出端為同一極，這樣散熱鋁片也就帶電轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-09 11:57:40
IGBT模塊是有IGBT與FWD通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，是能源變換與傳輸?shù)暮诵牟考?。也是變頻電源內(nèi)部最主要的核心部件之一，在內(nèi)部有著重要的作用，今天中港揚(yáng)盛的技術(shù)員來給大家講講
2021-12-28 06:25:45
大量回收IGBT模塊 新舊收購IGBT模塊 全新IGBT模塊回收 長(zhǎng)期高價(jià)收購個(gè)人和廠家積壓或過剩庫存的電子料,收購三極管,回收貼片三極管,可控硅,場(chǎng)效應(yīng)管,寧波收購IGBT模塊 長(zhǎng)期回收二手
2022-01-01 19:06:43
大量回收富士IGBT模塊 收購富士IGBT模塊 全國各地區(qū)高價(jià)回收IGBT模塊、英飛凌、西門康、富士、三菱-天津高價(jià)收購IGBT模塊系列,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲
2021-11-01 18:13:51
專業(yè)上門回收ABBIGBT模塊天津誠信回收新舊IGBT模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊山東浙江江蘇安徽江西高價(jià)回收三菱IGBT模塊收購英飛凌IGBT模塊二手IGBT模塊全國各地區(qū)高價(jià)回收IGBT
2021-10-25 21:49:20
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
`推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代
2019-05-02 22:43:32
電話151-5220-9946 QQ 2360670759 大量回收富士IGBT模塊 收購富士IGBT模塊 泰拓電子收購芯片,BGA,內(nèi)存,單片機(jī),繼電器,二三極管,電容,電感,保險(xiǎn)絲,IC,家電IC,工業(yè)IC,高頻管,IGBT模塊,光纖模塊
2022-02-16 18:26:16
專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收 全國收購IGBT模塊 專業(yè)長(zhǎng)期回收IGBT模塊 拆機(jī)IGBT模塊回收電話
2020-07-30 13:20:09
,整流橋模塊,整流二極管模塊,電源電壓傳感器,富士IGBT功率模塊,東芝IGBT功率模塊,三社IGBT功率模塊,英飛凌IGBT功率模塊,西門子IGBT功率模塊,電話
2021-03-04 13:57:12
現(xiàn)急需FF1200R17IP5英飛凌原廠的IGBT模塊，有誰有渠道的幫幫忙！
2020-01-12 10:47:52
IGBT模塊回收德國英飛凌模塊回收歐派克模塊回收EUPEC模塊 回收可控硅回收整流橋回收韓國LS模塊回收逆變焊機(jī)模塊回收大封裝IGBT小封裝IGBT模塊回收西門康(賽米控)IGBT回收SEMIKRON功率
2022-01-04 20:52:15
SI82XX-KIT，Si8235評(píng)估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅(qū)動(dòng)器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計(jì)的補(bǔ)丁區(qū)域，可用于滿足設(shè)計(jì)人員可能需要評(píng)估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29
求 fs75r06ke3(IGBT 模塊) 的PCB封裝 ！謝謝！
2018-02-12 17:44:52
功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管?！ 《?、系統(tǒng)的尺寸限制 有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6
2018-11-19 15:21:57
就不行，如果實(shí)在要用，那么在外部電路加一個(gè)快恢復(fù)二極管?！ ?、封裝大小 由于IGBT通常工作于高溫狀態(tài)，因此很大的使用場(chǎng)合下都是配散熱器，這樣這樣導(dǎo)致不同型號(hào)的IGBT所需要的散熱片不一樣，在代換時(shí)候根據(jù)
2023-02-28 13:51:19
長(zhǎng)期回收富士IGBT 回收富士IGBT模塊 快速上門 IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管
2021-10-28 19:46:46
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
怎么解決IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額問題？
2021-04-08 06:21:04
功率執(zhí)行器件，需求量不斷增加?；谶@個(gè)目的出發(fā)，我們中國北車進(jìn)行國產(chǎn)的高壓大功率IGBT模塊封裝已滿足國內(nèi)的需求，在高鐵和動(dòng)車上主要用的IGBT是650伏600安培的，目前我們公司可以封裝650伏600安培
2012-09-17 19:22:20
三菱igbt模塊資料
三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)
Mitsubishi ElectricThe 5th Generation IGBT Modules & IPM ModulesApplication Note
2007-12-22 10:58:18
197 三菱電機(jī)第5代IGBT模塊和IPM模塊應(yīng)用手冊(cè)Mitsubishi Electric The 5th Generation IGBT Modules & IPM Modules
2010-02-19 11:10:01681 IGBT模塊的使用要點(diǎn):IGBT為電壓控制器件，其導(dǎo)通壓降隨正驅(qū)動(dòng)電壓的升高而降低。
2010-03-14 18:51:5871 東芝IGBT系列模塊
2007-12-22 11:10:15924 
西門康IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:291025 
三菱IGBT系列模塊
2007-12-22 11:11:511093 
創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:472392 IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品
2017-05-14 14:31:1711984 
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的，它們的作用和工作原理基本一樣，IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了IGBT的運(yùn)用領(lǐng)域和功能。IGBT是集功率
2017-05-14 15:02:3412273 
了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門極驅(qū)動(dòng)電阻Rg，過流過壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊
2017-11-14 14:20:2025 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上；IGBT
2017-11-23 10:07:3974847 
壓接式絕緣柵極雙極性晶體管（ IGBT）模塊因優(yōu)越的電氣性能和封裝設(shè)計(jì)，受到柔性直流輸電等大功率應(yīng)用場(chǎng)合的青睞，其模塊可靠性也成為大功率應(yīng)用場(chǎng)合研究的重點(diǎn)，而IGBT模塊結(jié)溫是影響器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 現(xiàn)有的IGBT模塊封裝焊接結(jié)構(gòu)主要采用兩種方式：一種是將絕緣襯板焊接在基板上封裝成IGBT模塊，再通過硅脂與散熱器配合安裝的方式，它以IGBT模塊為單元進(jìn)行功率等級(jí)的選配，具備通用性強(qiáng)、可拆裝互換、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，其降低了對(duì)應(yīng)用開發(fā)水平的要求，但存在如下問題：
2020-12-02 15:36:063859 
IGBT模塊封裝及車用變流器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證說明。
2021-05-19 14:52:2237 igbt模塊散熱的過程依次為igbt在結(jié)上發(fā)生功率損耗；結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到igbt模塊殼上；igbt模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上；散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。
2022-03-11 11:20:176503 
國內(nèi)下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢(shì)；在電力電子風(fēng)電新能源車用1200V以上領(lǐng)域；高耐熱低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧正在逐步取代硅膠灌封
2022-02-20 16:06:483057 
IGBT 功率模塊基本的封裝工藝介紹，給初入半導(dǎo)體芯片制造封裝的工程師作為參考資料。
2022-06-17 14:28:4251 ? ? ? 日前，華潤(rùn)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示，由潤(rùn)安科技負(fù)責(zé)實(shí)施的IGBT模塊封裝產(chǎn)線將于今年年底前通線，產(chǎn)能將隨項(xiàng)目建設(shè)的推進(jìn)逐步提升。 華潤(rùn)微IGBT業(yè)務(wù)主要以單管為主，但是預(yù)計(jì)未來模塊
2022-11-28 16:26:05887 IGBT 模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?
2022-12-29 09:08:553117 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-05 10:45:103098 
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。
2023-01-17 14:56:472736 
智能功率模塊（IPM）是一種功率半導(dǎo)體模塊，可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個(gè)封裝中。它包括所需的驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能，以及IGBT。這樣，可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142430 
IGBT模塊接口是一種用于連接IGBT模塊和其他電子設(shè)備的接口。
2023-02-17 18:21:211011 IGBT單管的封裝形式比較簡(jiǎn)單，只有一個(gè)IGBT晶體管，一個(gè)反向恢復(fù)二極管和一個(gè)可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復(fù)雜
2023-02-19 16:39:509150 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導(dǎo)體器件，它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等組成的集成模塊。IGBT模塊通常根據(jù)結(jié)構(gòu)、電壓、電流、功率等參數(shù)進(jìn)行分類。
2023-02-20 17:32:254882 IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動(dòng)，利用最新的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
2023-02-22 15:02:552865 IGBT最常見的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。
2023-02-22 15:08:141760 
的二極管檔、電阻檔、電容檔。值得注意的是，萬用表的測(cè)試數(shù)據(jù)并不具有通用性，只能作為參考依據(jù)。 01 模塊結(jié)構(gòu) 以常見的62mm封裝IGBT模塊為例，其內(nèi)部由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片、FWD(續(xù)
2023-02-23 16:05:133 IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝，IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555 
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成，個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中，單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管，接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠，用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29586 
IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解，可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。
絲網(wǎng)印刷目的：
將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面，為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備
設(shè)備：
BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410 單元，IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種，其中焊接式發(fā)展成熟，應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
IGBT模塊的起源可以追溯到20世紀(jì)80年代，當(dāng)時(shí)日本的電子工程師們致力于克服傳統(tǒng)功率器件的局限性，尤其是普通雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。IGBT模塊的出現(xiàn)正是為了綜合這兩者的優(yōu)點(diǎn)，以滿足
2023-09-12 16:53:531805 
igbt模塊的作用和功能 igbt有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)嗎？ IGBT模塊是一種封裝了多個(gè)IGBT晶體管、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路的半導(dǎo)體器件。它的作用是將低電壓高電流的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換成高電壓低電流的輸出信號(hào)，而且
2023-10-19 17:01:221318 IGBT是新型功率半導(dǎo)體器件中的主流器件，已廣泛應(yīng)用于多個(gè)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。IGBT模塊中所涉及的焊接材料大多精密復(fù)雜且易損壞，制造商在IGBT模塊焊接裝配過程中正面臨著重重挑戰(zhàn)。
2023-10-31 09:53:451107 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281270 IGBT模塊的封裝技術(shù)難度高，高可靠性設(shè)計(jì)和封裝工藝控制是其技術(shù)難點(diǎn)。
2023-11-21 15:49:45673 
壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機(jī)理的不同，如表1所示。本文針對(duì)兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機(jī)理進(jìn)行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ)，尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07723 
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。
2023-12-07 10:05:35712 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，專注于電力管理、汽車和電動(dòng)汽車解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域，英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21469 。IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子設(shè)備等。 IGBT模塊是指將多個(gè)IGBT芯片和驅(qū)動(dòng)電路封裝在一個(gè)模塊內(nèi)，使得IGBT能夠方便地進(jìn)行安裝和維護(hù)。IGBT模塊通常由IGBT芯片、散熱器
2024-01-18 17:31:231082
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