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下一代主流IGBT模塊封裝技術(shù)研發(fā)趨勢--環(huán)氧灌封技術(shù)

zhaijieming ? 來源:zhaijieming ? 作者:zhaijieming ? 2022-02-20 16:06 ? 次閱讀

目前國內(nèi)絕大多數(shù)IGBT模塊廠家采用傳統(tǒng)硅膠灌封方式;

隨著國內(nèi)客戶在新能源車用電網(wǎng)電力風(fēng)電方面(1200V以上領(lǐng)域)對IGBT模塊要求越來越高;硅膠灌封有不足之處;連續(xù)在高溫200度環(huán)境下工作;性能變差;底部會產(chǎn)生VOLD;鋁線形變;器件容易擊穿燒毀

代表世界最新技術(shù)的日本超級IGBT模塊大廠(M社/F社)已逐步采用高耐熱;低熱膨脹低收縮性液態(tài)環(huán)氧來代替硅膠灌封,國內(nèi)已有電力方面IGBT模組大公司在進(jìn)行環(huán)氧灌封技術(shù)試驗(1200V以上領(lǐng)域)

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審核編輯:符乾江

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