本人5年工作經驗，主要負責半導體工藝及產品開發相關工作，工藝方面對拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設備，熟悉設備參數設置，工藝改善等，產品開發方面熟悉新產品導入流程。目前本人已經離職，尋找四川境內相關工作，如有機會請與我聯系：***，謝謝！

` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯 北京飛特馳科技有限公司對外提供6英寸半導體工藝代工服務和工藝加工服務，包括：產品代工、短流程加工、單項工藝加工等

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯 半導體工藝

有沒有半導體工藝方面的資料啊

　　半導體發展至今，無論是從結構和加工技術多方面都發生了很多的改進，如同Gordon E. Moore老大哥預測的一樣，半導體器件的規格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm

　　業界對哪種半導體工藝最適合某一給定應用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP

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半導體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology

半導體單晶爐相關學習資料，請各位自行領取。

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半導體光刻蝕工藝

的積體電路所組成，我們的晶圓要通過氧化層成長、微影技術、蝕刻、清洗、雜質擴散、離子植入及薄膜沉積等技術，所須制程多達二百至三百個步驟。半導體制程的繁雜性是為了確保每一個元器件的電性參數和性能，那么他的原理又是

在制造半導體器件時，為什么先將導電性能介于導體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導體，使之導電性極差，然后再用擴散工藝在本征半導體中摻入雜質形成N型半導體或P型半導體改善其導電性？

是各種半導體晶體管技術發展豐收的時期。第一個晶體管用鍺半導體材料。第一個制造硅晶體管的是德州儀器公司。20世紀60年代——改進工藝此階段，半導體制造商重點在工藝技術的改進，致力于提高集成電路性能

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半導體器件與工藝

半導體基礎知識與晶體管工藝原理

大家好！       附件是半導體引線鍵合清洗工藝方案，請參考，謝謝！有問題聯系我：***  szldqxy@163.com

半導體材料市場構成：在半導體材料市場構成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。

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一個半導體（semiconductor）閘流管通常具有3個電極：一個陽極，一個陰極和一個門（控制電極）。

掙脫束縛，會導致載流子濃度上升，從而打破這個平衡，溫度一定后會再次建立平衡。雜質半導體通過擴散工藝，在本征半導體摻入某些元素。一 .N型半導體在本征半導體加入+5價元素磷，由于加入了最外層為5個電子

有機溶劑具有一定的易燃性和揮發性?！　∷?b class="flag-6" style="color: red">清洗：水基清洗+水漂洗　　二、溶劑清洗工藝的類型　　1.批汽相清洗　　2.傳送式噴淋清洗　　3.超聲波清洗　　4.冷清洗　　5.工藝整合　　三、批汽清洗工藝　　設備

的影響?！　?b class="flag-6" style="color: red">3、手工清洗機　　一種手工清洗機（也稱恒溫清洗槽），該清洗機針對SMT/THT的PCBA焊接后表面殘留的松香助焊劑、水溶性助焊劑、松香助焊劑、免清洗性助焊劑/焊膏等有機、無機污染物進行徹底有效

梁德豐，錢省三，梁靜（上海理工大學工業工程研究所/微電子發展中心，上海 200093）摘要：由于半導體制造工藝過程的復雜性，一般很難建立其制造模型，不能對工藝過程狀態有效地監控，所以迫切需要先進

一個比較經典的半導體工藝制作的課件，英文的，供交流……

`《半導體制造工藝》學習筆記`

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產需要三個一般過程：硅

。 半導體器件制造中的硅片清洗應用范圍很廣，例如 IC 預擴散清洗、IC 柵極前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后拋光清洗等。這些應用一般包括以下基本工藝：1、去除有機雜質2、去除金屬污染物3、去除

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底

`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN的晶體濕化學蝕刻[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前

`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：IC制造工藝編號：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V/SOI 波導電路的化學機械拋光工藝開發編號：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com

`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V

清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH

：MacEtch 是一種濕法蝕刻工藝，可提供對取向、長度、形態等結構參數的可控性，此外，它是一種制造極高縱橫比半導體納米結構的簡單且低成本的方法。 3 該工藝利用了在氧化劑（例如過氧化氫 (H2O2)）和酸（例如

我是南通華林科納半導體的，主要做半導體，太陽能，液晶LED，電子器件濕法工藝，各種清洗，濕制程設備。我們3月14日—16日去上海新國際博覽中心參加2017慕尼黑上海半導體展，有其他去的公司嗎，應該

哪種半導體工藝最適合某一指定應用？對此，業界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術能更好地服務一些應用，但其它工藝技術也有很大的應用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP

1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合

拋光工藝是指激光切割好鋼片后，對鋼片表面進行毛刺處理的一個工藝。電解拋光處理后的效果要優于打磨拋光，因此電解拋光工藝常用于有密腳元件的鋼網上。建議IC引腳中心間距在0.5及以下的（包括BGA）推薦用電解拋光。

山東高唐杰盛半導體科技有限公司，我公司主要從事微電子工藝設備及高精度自動控制系統的設計。制造和服務等，已申請國家專利10項，授權7項，產品涉及到半導體制造的前道清洗、擴散和后道封裝，技術達到國內

。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導體和瑞薩仍然堅持用傳統工藝，主要是SiGeBiCMOS工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導體的射頻收發器。而歐美廠家對新產品一向保守，對RFCMOS缺乏信任

新型銅互連方法—電化學機械拋光技術研究進展多孔低介電常數的介質引入硅半導體器件給傳統的化學機械拋光（ＣＭＰ）技術帶來了巨大的挑戰，低ｋ 介質的脆弱性難以承受傳統ＣＭＰ 技術所施加的機械力。一種結合了

問個菜的問題:半導體(或集成電路)工藝   來個人講講 半導體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區別以及聯系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated

蘇州晶淼有限公司專業制作半導體設備、LED清洗腐蝕設備、硅片清洗、酸洗設備等王經理***/13771786452

芯片制造-半導體工藝制程實用教程學習筆記[/hide]

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；2、具體半導體光刻、鍍膜、化學清洗、刻蝕等工藝經歷，具有相關半導體設備使用經歷。任職條件： 1、大學本科學歷(含)以上， 理工科專業；2、微電子學和固體電子學、物理、化學、半導體器件專業優先考慮3

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殘留。干燥時將PCB板通過干燥區，完成PCB清洗劑，殘留污染物的蒸發，從而使得PCBA保持一個清潔的標準。 為了進行大規模生產，工程師在設計PCB時也需要記住清洗工藝，設計元件布局、焊接和清潔的時候要

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，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。

半導體設備用治具的清洗爐（Vacuum Bake Cleaner）●該設備用于去除附著在 MOCVD 托盤和零部件上的沉積物（GaN、AlN 等）。采用潔凈氣體的干式清洗法，因此不需要濕法后道處

PFA清洗槽一、產品介紹PFA清洗槽又叫PFA方槽、酸缸。是即四氟清洗桶后的升級款，專為半導體光伏光電等行業設計的，一體成型。主要用于浸泡、清洗帶芯片硅片電池片的花籃。由于PFA的特點抗清洗溶液

盛美半導體發表了十二英寸單片兆聲波清洗設備的最新工藝，本工藝用于45nm技術及以下節點的十二英寸高端硅片清洗

盛美半導體設備(上海)有限公司，日前推出最新的半導體制造設備無應力拋光集成設備(the Ultra SFP)。該設備能夠對65nm及以下的銅互聯結構進行無應力、無損傷拋光。該設備整合了無應力

半導體清洗工藝全集 晶圓清洗是半導體制造典型工序中最常應用的加工步驟。就硅來說，清洗操作的化學制品和工具已非常成熟，有多年廣泛深入的研究以及重要的工業設備的支持。所

作為國際領先的半導體和晶圓級封裝設備供應商，盛美半導體全新發布的先進封裝級無應力拋光（Ultra SFP ap）設計用于解決先進封裝中，硅通孔（TSV）和扇出(FOWLP)應用金屬平坦化工藝中表層銅層過厚引起晶圓翹曲的問題。

半導體清洗設備直接影響集成電路的成品率，是貫穿半導體產業鏈的重要環節，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關鍵制程及封裝工藝中均為必要環節，約占所有芯片制造工序步驟30％以上，且隨著節點的推進，清洗工序的數量和重要性會繼續提升，清洗設備的需求量也將相應增加。

本發明的工藝一般涉及到半導體晶片的清洗。更確切地說，本發明涉及到可能存在于被研磨的單晶硅晶片的表面上的有機殘留物、金屬雜質和其它特定的沾污物的清洗處理步驟的順序。 集成電路制造中所用的半導體晶片

通過對 Si ， CaAs ， Ge 等半導體材料單晶拋光片清洗工藝技術的研究 ， 分析得出了半導體材料單晶拋光片的清洗關鍵技術條件。首先用氧化性溶液將晶片表面氧化 ， 然后用一定的方法將晶片表面

近年來，在半導體工業中，逐漸確立了將臭氧運用于晶圓清洗工藝中，這主要是利用了臭氧在水相中氧化有機污染物和金屬污染物的性能。

在實際清洗處理中，常采用物理、或化學反應的方法去除;有機物主要來源于清洗容積、機械油、真空脂、人體油脂、光刻膠等方面，在實際清洗環節可采取雙氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相應半導體單晶拋光

書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：下一代半導體清洗科技材料系統 編號：JFKJ-21-188 作者：炬豐科技 摘要 本文簡要概述了面臨的挑戰晶圓清洗技術正面臨著先進的silicon技術向非平面

引言 化學機械拋光是實現14納米以下半導體制造的最重要工藝之一。此外，化學機械拋光后缺陷控制是提高產量和器件可靠性的關鍵工藝參數。由于亞14納米節點結構器件的復雜性，化學機械拋光引起的缺陷需要固定

半導體晶圓制造工藝需要用到各種特殊的液體，如顯影液，清洗液，拋光液等等，這些液體中表面活性劑的濃度對工藝質量效果產生深刻的影響，析塔動態表面張力儀可以測量這些液體動態表面張力，幫助優化半導體晶圓制造工藝。

摘要 本文介紹了半導體晶片加工中為顆粒去除(清洗)工藝評估而制備的受污染測試晶片老化的實驗研究。比較了兩種晶片制備技術:一種是傳統的濕法技術，其中裸露的硅晶片浸泡在充滿顆粒的溶液中，然后干燥；另一種

技術需要更嚴格地管理半導體芯片中使用的材料的變化、平坦度和缺陷的問題，盡管用于嵌入和平坦化的基本工藝保持不變。在此，從CMP裝置的基本變遷，特別闡述CMP清洗的基本技術。

VLSI制造過程中，晶圓清洗球定義的重要性日益突出。這是當晶片表面存在的金屬、粒子等污染物對設備的性能和產量(yield)產生深遠影響時的門。在典型的半導體制造工藝中，清潔工藝在工藝前后反復進行

在許多半導體器件的制造中，硅是最有趣和最有用的半導體材料。 在半導體器件制造中，各種加工步驟可分為四大類，即沉積、去除、圖形化和電性能的修改。 在每一步中，晶片清洗都是開發半導體電子器件的首要和基本步驟。 清洗過程是在不改變或損壞晶圓表面或基片的情況下去除化學物質和顆粒雜質。

本發明公開了一種用濕式均勻清洗半導體晶片的方法,所公開的本發明的特點是:具備半導體晶片和含有預定清潔液的清潔組、對齊上述半導體晶片的平坦區域，使其不與上述清潔組的入口相對、將上述對齊的半導體晶片浸入

CMP裝置被應用于納米級晶圓表面平坦化的拋光工藝。拋光顆粒以各種狀態粘附到拋光后的晶片表面。必須確實去除可能成為產品缺陷原因的晶圓表面附著物，CMP后的清洗技術極為重要。在本文中，關于半導體制造工序

在半導體和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度變薄，以及拋光以使表面成為鏡面。在半導體器件的制造中，半導體制造工藝包括:（1）從晶體生長開始切割和拋光硅等，并將其加工成晶片形狀的工藝（晶片制造工藝

使用。在本文中，為了在半導體制造中的平坦化工藝，特別是在形成布線層的工程中實現CMP后的高清潔面，關于濕法清洗所要求的功能和課題，關于適用新一代布線材料時所擔心的以降低腐蝕及表面粗糙度為焦點的清洗技術，介紹了至今為止的成果和課題，以及今后的展望。

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/8A/poYBAGLo3tqABvc4AAEmC3pr7kw890.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/8A/poYBAGLo3tuAemOEAAEyvpHxG2s934.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3tuASMEpAAEU-qm8ViE327.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/8A/poYBAGLo3uOAJMcwAAC-VMkLDvA340.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/28/pYYBAGLo3uKAYy2WAADsj2Jcnqo628.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4_aAcUuFAAFEWoO1lgA931.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/93/poYBAGLo4_uAbjYfAABgJuTd3Hs681.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4_yAE3rKAAPIJrM_Wlk314.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/93/poYBAGLo4_yAC0IrAANRLvDYGUg496.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4_yAOA1RAAFc83FYbkg810.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/E2/poYBAGLqNL2AHvnDAACVs0VndsE246.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/E2/poYBAGLqNL2AZHJqAAD9FSyJOWw640.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/7F/pYYBAGLqNL2ACAGuAAXdP1-sFoU746.png //figure

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/91/pYYBAGLqPkmAXCKzAAPUBC0ab8Y049.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/59/F5/poYBAGLqPkiAT0LYAACVObdCn8Q760.png //figurefigure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/91/pYYBAGLqPkiAEa-9AAEAFrq-q3Q441.png //figure

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每日工藝小課堂集合, ? ? ?

隨著集成電路制造工藝不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小，這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能，槽式清洗工藝已經不能滿足需求，單片式設備可以利用很少的藥液達到槽式工藝不能

半導體清洗設備通過不斷將各種污染雜質控制在工藝要求范圍內，提高芯片的良率和性能，是芯片良率的重要保障。隨著芯片技術的不斷提升，清洗設備的要求也越來越高。根據結構清洗設備可分為單片清洗設備、槽式清洗設備、批式旋轉噴淋清洗設備、洗刷器等。

單晶硅錠經過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延（如有）、鍵合（如有）、清洗等工藝步驟，制造成為半導體硅片。在生產環節中，半導體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷，保持極高的平整度與表面潔凈度，以保證集成電路或半導體器件的可靠性。

CMP 所采用的設備及耗材包括拋光機、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設備、拋光終點(End Point)檢測及工藝控制設備、廢物處理和檢測設備等。

半導體晶圓清洗設備市場-概況 半導體晶圓清洗設備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質。清潔后的表面有助于提高半導體器件的產量和性能。市場上有各種類型的半導體晶圓清洗設備。一些流行的設備類型包括

半導體晶圓清洗設備市場預計將達到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導體表面質量的情況下去除顆?；蛭廴疚锏倪^程。器件表面晶圓上的污染物和顆粒雜質對器件的性能和可靠性有重大影響。本報告側重于半導體晶圓清洗設備市場的不同部分（產品、晶圓尺寸、技術、操作模式、應用和區域）。

　半導體材料和半導體器件在世界電子工業發展扮演的角色我們前幾天已經聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。

隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復雜，對半導體濕法清洗技術的要求也越來越高。

今天我們來聊一下非接觸除塵設備在半導體清洗領域的應用，說起半導體清洗，是指對晶圓表面進行無損傷清洗，用于去除半導體硅片制造、晶圓制造和封裝測試每個步驟中可能產生的雜質，避免雜質影響芯片良率和性能。而非接觸精密除塵設備可以大幅提升芯片良率，為企業實現降本增效的目的。

隨著科技的不斷發展，半導體技術在全球范圍內得到了廣泛應用。半導體設備在制造過程中需要經過多個工藝步驟，而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設備。其中，華林科納的PFA管在半導體清洗工藝中扮演著

在半導體產業中，清洗機與PFA閥門扮演著至關重要的角色。它們是半導體制造過程中的關鍵設備，對于提高產品質量、確保生產效率具有舉足輕重的作用。 半導體清洗機是一種專門用于清洗半導體的設備。在半導體

根據清洗介質的不同，目前半導體清洗技術主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線