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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>高效邊緣計算解決方案:研華工業(yè)內(nèi)存 SQRAM DDR5 5600 系列

高效邊緣計算解決方案:研華工業(yè)內(nèi)存 SQRAM DDR5 5600 系列

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嘉合勁威布局DDR5內(nèi)存:明年量產(chǎn)、Q2首發(fā)單條16GB

作為國產(chǎn)存儲品牌的領(lǐng)袖,擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布,正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前,嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:581800

嘉合勁威將在2021年率先實現(xiàn)DDR5內(nèi)存量產(chǎn)

擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組,有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示,正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
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國內(nèi)廠商已開始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)

DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時間了,算算迭代的速度,DDR5也該來了,而國內(nèi)存儲品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實現(xiàn)
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DDR5內(nèi)存將在明年實現(xiàn)量產(chǎn)

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繼早前展望了消費(fèi)級 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓(TeamGroup)現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對 DDR5 工程
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廠商加快DDR5內(nèi)存條研發(fā)速度

繼十銓(TEAMGROUP)之后,威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552025

威剛演示下一代DDR5內(nèi)存渲染圖

CES 2021期間,存儲大廠威剛“拿”出了他們的下一代DDR5內(nèi)存,不過不是實物,只是渲染圖。
2021-01-15 09:44:332353

十銓稱已成功開發(fā)DDR5 SO-SIMM內(nèi)存,希望率先與Intel、AMD的新平臺進(jìn)行驗證合作

去年底,TEAMGROUP(十銓)宣布正開發(fā)DDR5內(nèi)存條(U-DIMM,用于臺式機(jī))。現(xiàn)在,SO-DIMM形態(tài)的DDR5內(nèi)存也官宣了,筆記本、迷你機(jī)、NAS等將因此受益。 十銓稱已成功開發(fā)
2021-01-26 16:43:212616

DDR3內(nèi)存突然漲價50% DDR5內(nèi)存將要上市

最快在2021年9月份,隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來,DDR5內(nèi)存也要商用了,今年會是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了,DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會馬上被淘汰,但前景肯定不會多好
2021-02-02 11:27:393279

國產(chǎn)品牌阿斯加特推首款DDR5內(nèi)存

2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會正式亮相。今天國產(chǎn)存儲品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203263

美光推出車用低功耗DDR5 DRAM內(nèi)存

內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼: MU)今日宣布,已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM (LPDDR5
2021-02-26 12:02:252828

三星電子宣布開發(fā)了業(yè)內(nèi)首款容量達(dá)到512GB的DDR5內(nèi)存模組

Intel副總裁Carolyn Duran確認(rèn),三星的新款DDR5內(nèi)存和下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器(Sapphire Rapids藍(lán)寶石激流)兼容。根據(jù)路線圖,Sapphire Rapids應(yīng)該是第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器,年底前登陸,除了DDR5,還會首發(fā)PCIe 5.0。
2021-04-13 15:57:092113

DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展新契機(jī)

回顧2020年,在新基建的驅(qū)動下,數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢加速推動了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14
2021-05-01 09:31:002057

金泰克速虎T4 DDR5內(nèi)存正式發(fā)售 大容量 高頻率 低功耗

2020年,JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范,這意味著新一輪的內(nèi)存升級換代即將開始。進(jìn)入2021年,多家存儲企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:432494

DDR5放量元年 上游三巨頭積極部署

近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142114

美光正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784

Longsys DDR5內(nèi)存條預(yù)計在2022年進(jìn)入量產(chǎn)階段

行業(yè)客戶以及廣大用戶對產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望,早在今年3月份就已經(jīng)發(fā)布DDR5 U-DIMM內(nèi)存條產(chǎn)品,并率先進(jìn)行實際測試。 目前Longsys DDR5內(nèi)存條順利開發(fā)出包括U-DIMM和SO-DIMM
2021-11-02 10:09:392769

金士頓DDR5內(nèi)存通過英特爾內(nèi)存解決方案_瑞虎8西伯利亞版上市發(fā)布

2021年10月9日北京訊,全球存儲領(lǐng)袖金士頓宣布,即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺認(rèn)證,這是一個重要的里程碑,因為金士頓的DDR5內(nèi)存是首個通過英特爾DDR5平臺兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案
2022-03-16 09:23:161134

DDR5 32GB VLP RDIMM工規(guī)內(nèi)存模塊的特點(diǎn)

隸屬于SGH (Nasdaq: SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">業(yè)內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊,這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:471607

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表

主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:2519

朗科越影Ⅱ DDR5內(nèi)存正式發(fā)布,全新外觀搭配強(qiáng)勁性能

即4800MHz;集成PMIC電源管理芯片,電壓降至1.1V,功耗更低;加入On-dieEcc糾錯功能,運(yùn)行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外,老牌存儲廠商朗科也在積極布局這一領(lǐng)域,繼絕影RGB DDR5之后,朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存,和絕影系列一樣,越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:38955

美光科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

2022 年 7 月 7 日,上海— 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼: MU)今日宣布,面向商業(yè)和工業(yè)渠道
2022-07-07 14:45:572298

DDR5內(nèi)存的價格為何那么貴

DDR5DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:503918

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:481025

有關(guān)DDR5設(shè)計的更多技術(shù)細(xì)節(jié)

作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分,SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合,能夠為DDR5計算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件,可以感知并報告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:531995

專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計的DDR4/DDR5 Interposr測試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計,阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:483592

研華寬溫內(nèi)存SQR-SD4E,車載及重工業(yè)應(yīng)用解決方案

研華近期推出一款全新的 超寬溫 SQRAM DDR4 3200 耐用型內(nèi)存解決方案 —— SQR-SD4E ,在 -40 ~+ 125 ℃ 的工作溫度范圍下提供可靠的工業(yè)級穩(wěn)定性
2022-10-11 13:40:09154

研華推出全新的超寬溫SQRAM DDR4 3200耐用型內(nèi)存解決方案

研華SQRAM支持研華自主研發(fā)的SQ Manager軟件,可以實時監(jiān)控DRAM,提供有用的信息,包括動態(tài)內(nèi)存速度、溫度和高級過熱警報,以告知用戶內(nèi)存系統(tǒng)的運(yùn)行健康狀態(tài)。
2022-10-25 10:52:08504

SMART Modular世邁科技推出DuraMemory DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊

隸屬SGH(Nasdaq:SGH) 控股集團(tuán)的全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">業(yè)內(nèi)存與儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技(“SMART”)宣布推出16GB和32GB DDR5 VLP ECC UDIMM內(nèi)存模塊,為刀鋒服務(wù)器專用VLP模組產(chǎn)品添增生力軍。
2022-11-03 13:48:04743

美光DDR5內(nèi)存現(xiàn)已配合第四代AMD EPYC處理器平臺出貨

(霄龍) 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內(nèi)存。隨著現(xiàn)代服務(wù)器配備更多處理內(nèi)核的 CPU,其單個 CPU 內(nèi)核的內(nèi)存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸,美光 DDR5 提供比前幾代產(chǎn)品更高的帶寬,從而提升可靠性
2022-11-21 14:30:21410

瀾起科技發(fā)布業(yè)界首款DDR5第三子代寄存時鐘驅(qū)動器工程樣片

DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),對DDR5 RCD產(chǎn)品進(jìn)行的一次重要升級,也是DDR5系列產(chǎn)品規(guī)劃逐步落地的重要一步。 瀾
2022-12-01 11:08:29247

華工業(yè)存儲多寬溫解決方案,面向工業(yè)機(jī)器人應(yīng)用與挑戰(zhàn)

或異常的高溫會嚴(yán)重影響數(shù)據(jù)保存,以及數(shù)據(jù)的泄漏率。而研華的SQFlash和SQRAM經(jīng)過嚴(yán)格的驗證,及各種寬溫可靠性測試,是一款穩(wěn)定可靠的高質(zhì)量解決方案,能夠滿足不同嚴(yán)苛行業(yè)應(yīng)用的需求。 01-40~125℃ 極端環(huán)境測試? ? 研華工業(yè)內(nèi)存SQ
2022-12-15 10:06:51262

Rambus利用RCD技術(shù)實現(xiàn)6.4GT/s DDR5!

內(nèi)存帶寬大小在現(xiàn)代計算中非常重要,在數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景下尤為如此。在不久的將來,DDR5內(nèi)存將提供比DDR4更大的改進(jìn),同時可以長期提高內(nèi)存的理論最大性能。RCD在服務(wù)器級內(nèi)存性能中起著至關(guān)重要的作用,使其成為DDR5發(fā)展過程中的一個重要里程碑。
2023-02-23 09:29:58630

DDR4和DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512821

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42751

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險,同時還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106

內(nèi)存大漲價!DDR5正邁向主流規(guī)格之路

為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求,DDR5相比其前身DDR4實現(xiàn)了性能的大幅提升,具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40214

影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細(xì)評測報告

在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測,這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194

lpddr5時序比ddr5慢多少

LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們在時序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但它們面向不同的應(yīng)用場景,并且在設(shè)計上有一些不同。 首先,讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061166

DDR5內(nèi)存沖上8400MHz!DDR3L依然大行其道

硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報道:CES 2024大展期間,雷克沙帶來了豐富的存儲方案,涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等,包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存
2024-01-12 10:32:27283

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052873

完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDRDDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450

英睿達(dá)在英亞上架12GB DDR5內(nèi)存

內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s,并可同時兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹,其工作電壓僅為1.1V,相較于DDR4 3200內(nèi)存,性能提升幅度為1.5倍,且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0592

DDR5規(guī)范重磅面世,揭幕下一代內(nèi)存大戰(zhàn)!

7月15日,JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn),劍指下一代高性能計算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱,DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計的,不僅包括客戶端系統(tǒng),還有高性能服務(wù)器,為未來的數(shù)據(jù)中心和計算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:516669

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