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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>長鑫自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來重大突破

長鑫自主內(nèi)存芯片投產(chǎn) 國內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)迎來重大突破

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2019-07-03 18:24:132767

長鑫存儲亮相閃存技術(shù)峰會 引領(lǐng)中國DRAM技術(shù)突破

作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長鑫存儲正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國實現(xiàn)DRAM零的突破
2019-09-19 10:26:00463

長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn) 一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓

20日在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上,總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn),其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期設(shè)計產(chǎn)能每月12萬片晶圓。
2019-09-20 15:57:163782

長鑫存儲DRAM芯片實現(xiàn)重大技術(shù)突破

國產(chǎn)半導(dǎo)體又有一家公司強勢崛起,這就是長鑫。就在昨天的世界制造業(yè)大會上,投資1500億的長鑫存儲內(nèi)存芯片項目宣布投產(chǎn),一起亮相的還有與國際主流同步的10nm第一代8Gb DDR4。
2019-09-22 11:16:043236

我國集成電路市場增速領(lǐng)跑全球市場 但產(chǎn)業(yè)仍存在一些薄弱環(huán)節(jié)有待補強

在9月20日-23日安徽合肥舉行的2019世界制造業(yè)大會上,長鑫存儲宣布DRAM生產(chǎn)線投產(chǎn)。這標志著我國在內(nèi)存芯片領(lǐng)域取得重大突破。合肥將依托長鑫存儲引進芯片設(shè)計、封裝測試、裝備材料、智能終端類項目,打造空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園。
2019-09-24 15:40:052142

西安紫光國芯將展示全系列內(nèi)存產(chǎn)品 包括DDR4

隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093598

長鑫存儲DRAM芯片投產(chǎn) 力爭未來成為這個領(lǐng)域的領(lǐng)先者

最新消息,今天在安徽合肥召開的2019世界制造業(yè)大會上,總投資約1500億元的長鑫存儲內(nèi)存芯片自主制造項目宣布投產(chǎn),其與國際主流DRAM產(chǎn)品同步的10nm級第一代8Gb DDR4首度亮相,一期
2019-11-14 15:31:362410

國產(chǎn)紫光DDR4內(nèi)存亮相,年底完成DDR4內(nèi)存研發(fā)并推向市場

隨著紫光、合肥長鑫正式進軍DRAM內(nèi)存行業(yè),國產(chǎn)自主DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外,紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā),他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存,包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029

國內(nèi)存儲芯片明年有望占據(jù)全球 5% 即將迎來重大突破

中國的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣,新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長到世界 5%的存儲芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:58879

DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域 國內(nèi)目前依然是一片空白

雖然國產(chǎn)3D NAND已經(jīng)取得了突破了,但是在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域,國內(nèi)依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晉華,由于遭遇美國“禁令”,已長期處于停擺狀態(tài)。
2019-11-29 16:22:533697

紫光3年后量產(chǎn)內(nèi)存 所產(chǎn)的內(nèi)存首先用于中國市場

2019年國內(nèi)公司在內(nèi)存、閃存行業(yè)同時取得了重大突破,長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了18nm DDR4內(nèi)存。日前長鑫官網(wǎng)也宣布開售8GB DDR4內(nèi)存條。
2020-03-02 09:21:431330

量子加密衛(wèi)星將會是網(wǎng)絡(luò)安全領(lǐng)域的重大突破

中國已經(jīng)發(fā)射了一顆量子加密衛(wèi)星,如果它被證明是真正的“防黑客技術(shù)”,它可以證明是網(wǎng)絡(luò)安全的重大突破
2020-03-27 16:19:111693

基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)取得重大突破

近日,我國在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破,在國際上首次實現(xiàn)相距50公里光纖的存儲器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443053

磷酸鐵鋰電池路線的三元鋰開始了稱霸之路

雖然遠在大洋彼岸的特斯拉“電池日”不斷跳票,架不住國內(nèi)的動力電池產(chǎn)業(yè)重磅消息不斷,頻頻迎來重大突破
2020-06-08 09:02:142863

快商通醫(yī)療知識圖譜工程平臺獲得重大突破

日前,快商通在民營醫(yī)療行業(yè)的知識圖譜項目「醫(yī)療知識圖譜工程平臺」獲得重大突破,11年耕耘產(chǎn)生質(zhì)變。
2021-03-16 16:31:221043

特斯拉在自動駕駛獲得重大突破,可實現(xiàn)自主控制并主動避開障礙物

近期,香港市場研究機構(gòu)MobiusTrend發(fā)布了一份有關(guān)“特斯拉的AR云平臺和WIMI的無人駕駛?cè)⑷I視覺SDK”的研究報告。報告顯示,無人駕駛汽車可以實現(xiàn)自主控制并主動避開障礙物。盡管這聽起來令人難以置信,但這項技術(shù)現(xiàn)已取得了重大突破
2020-09-08 15:07:01826

長鑫預(yù)計在2021年完成低功耗高速率17nm工藝內(nèi)存芯片

在2019年,國內(nèi)內(nèi)存以及閃存領(lǐng)域分別有一個重大突破,長江存儲量產(chǎn)64層3D閃存,合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存,而后者在2020年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。
2020-09-18 14:18:462648

臺積電在實現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破

據(jù)中國臺灣媒體報道稱,臺積電(TSMC) 在實現(xiàn)2nm工藝方面取得了重大突破,該工藝可以生產(chǎn)數(shù)十億個晶體管,可能會突破摩爾定律放慢的局限。
2020-11-24 16:54:061145

臺積電2nm工藝重大突破:朝著1nm挺進

年下半年進行風(fēng)險性試產(chǎn),2024年就能步入量產(chǎn)階段。 臺積電2nm工藝重大突破 臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續(xù)摩爾定律,繼續(xù)挺進1nm工藝的研發(fā)。預(yù)計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝,此前關(guān)于摩爾定律已
2020-11-26 10:48:092546

中國彩色視頻電子紙顯示器取得重大突破

2020年11月25日在中國廣州,華南師范大學(xué)、深圳市國華光電科技有限公司聯(lián)合研制的彩色視頻電子紙顯示器取得重大突破。此項成果基于周國富教授和AlexHenzen教授領(lǐng)導(dǎo)的團隊研發(fā)的彩色視頻電潤濕電子紙關(guān)鍵技術(shù)。
2020-11-26 11:49:042477

華為鴻蒙OS系統(tǒng)迎來重大突破

華為正式發(fā)布鴻蒙OS2.0手機版,雖然是Beta版,這是一個十分重要的信號,將決定著全球三大系統(tǒng)鼎立的局面,也關(guān)系著國產(chǎn)OS崛起的步伐。華為鴻蒙OS迎來的巨大突破,即將帶領(lǐng)著國內(nèi)自研OS迅速崛起,期待這一幕能夠盡快到來,或許這也是一場激烈的競爭即將開始。
2020-12-17 11:51:342310

全套國產(chǎn)芯片氮化鎵快充問世

國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準。
2020-12-18 09:12:283276

氮化鎵快充研發(fā)重大突破 三大核心芯片實現(xiàn)全國產(chǎn)

國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準。氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料,其運行速度比舊式傳統(tǒng)硅(Si)技術(shù)加快了二十
2020-12-18 10:26:523387

國產(chǎn)氮化鎵快充重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準

充電頭網(wǎng)近日從供應(yīng)鏈獲悉,國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破,三大核心芯片實現(xiàn)自主可控,性能達到國際先進水準。 一、氮化鎵快充市場規(guī)模 氮化鎵(gallium nitride,GaN)是下一代半導(dǎo)體材料
2020-12-18 11:43:026232

IBM在計算內(nèi)存/AI架構(gòu)獲重大突破

本周在IEEE國際電子元件會議上,IBM研究院(IBM Research)公布了在“計算內(nèi)存架構(gòu)”方面所取得的一項突破性成果,該架構(gòu)可以為混合云平臺中的人工智能計算工作負載實現(xiàn)卓越的性能水平。
2020-12-18 16:06:201762

奧來德在封裝材料方面取得重大突破

日前,記者獲悉,吉林奧來德光電材料股份有限公司在封裝材料方面取得重大突破,產(chǎn)品綜合性能已經(jīng)達到國外同等水平,其中部分物理性能和穩(wěn)定性表現(xiàn)突出,在水、氧阻隔方面具有良好的表現(xiàn)。
2020-12-21 11:44:33976

國產(chǎn)芯片技術(shù)迎來重大突破?

芯片已成為世界各國科技角力的主陣地,但最近全球卻面臨一個重大的問題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820

2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價?

但這其中,存儲芯片價格一直持續(xù)穩(wěn)定,甚至在年中還小有下降。但從11月開始,全行業(yè)的漲價潮流終于刮到內(nèi)存這里了,部分內(nèi)存價格開始上漲,內(nèi)存相關(guān)廠商也紛紛看漲明年的市場。國內(nèi)廠商能否乘著這波趨漲行情,迎來國產(chǎn)替代的春天呢?
2021-01-05 14:21:128532

美光推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 美光表示,對比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 美光計劃于今年將 1α 節(jié)點全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強的性能。 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:031970

美光全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

美光今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088

有機太陽能電池能量轉(zhuǎn)換效率取得重大突破

由于在實驗中的一次意外發(fā)現(xiàn),發(fā)展緩慢的有機太陽能電池產(chǎn)業(yè)終于迎來了轉(zhuǎn)機,其能量轉(zhuǎn)換效率取得了重大突破。這一突破來自于電子在富勒烯分子(俗稱“巴克球”)層中移動的過程。密歇根大學(xué)的科學(xué)家們在試驗有機
2022-02-24 17:24:033319

IBM和三星在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得重大突破

在2021 IEEE國際電子器件會議(IEDM)上,IBM和三星聯(lián)合宣布,他們在半導(dǎo)體設(shè)計方面取得一項重大突破
2022-03-16 09:56:02338

臺積電3nm制程取得突破,新芯片N3B將于8月投產(chǎn)

今日,據(jù)聯(lián)合報報道,近期臺積電研發(fā)已久的3nm制程工藝取得了重大突破
2022-04-12 17:58:442787

核心技術(shù)重大突破 易現(xiàn)持續(xù)賦能AR眼鏡產(chǎn)業(yè)

近日,易現(xiàn)成功在AR眼鏡核心能力算法領(lǐng)域取得重大技術(shù)突破,進一步為合作伙伴提供更加強大的空間數(shù)智化能力開放平臺,通過完整的工具鏈賦能眾多XR行業(yè)知名品牌和產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)。 易現(xiàn)前身是網(wǎng)易
2022-06-28 11:01:581213

中國芯片突破2nm 國產(chǎn)2nm芯片有望破冰

近日,臺積電正式宣布稱2nm工藝芯片技術(shù)方面實現(xiàn)了重大突破,并且計劃在2025年進階應(yīng)用2nm工藝,國產(chǎn)2nm芯片在不久之后或迎來破冰,目前臺積電和三星已經(jīng)著手3nm制程的量產(chǎn)了。
2022-06-29 09:20:3025069

國內(nèi)首套!基于飛騰CPU的掘進設(shè)備SCADA系統(tǒng)在深圳地鐵13號線正式投運

近日,我國首套基于飛騰 FT-2000/4 芯片 自主研發(fā)的掘進設(shè)備 SCADA 系統(tǒng)在深圳地鐵 13 號線正式投運。此次投運標志著自主 CPU 在關(guān)鍵行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域取得又一重大突破,填補了國內(nèi)空白。
2022-12-30 14:04:42914

蓄力向上!Longsys RDIMM企業(yè)級內(nèi)存迎來重大突破

近日,江波龍正式發(fā)布Longsys AQUILA系列32GB 2R×4規(guī)格 DDR4 RDIMM企業(yè)級專用內(nèi)存條,速率可達3200MT/s。 這是公司成立近24年以來首次推出自主品牌×4規(guī)格的企業(yè)級
2023-03-11 12:45:04213

蓄力向上!Longsys RDIMM企業(yè)級內(nèi)存迎來重大突破

近日,江波龍正式發(fā)布Longsys AQUILA系列32GB 2R×4規(guī)格 DDR4 RDIMM企業(yè)級專用內(nèi)存條,速率可達3200MT/s。這是公司成立近24年以來首次推出自主品牌×4規(guī)格的企業(yè)級
2023-03-14 09:50:261052

蓄力向上!Longsys RDIMM企業(yè)級內(nèi)存迎來重大突破

近日,江波龍正式發(fā)布LongsysAQUILA系列32GB2R×4規(guī)格DDR4RDIMM企業(yè)級專用內(nèi)存條,速率可達3200MT/s。這是公司成立近24年以來首次推出自主品牌×4規(guī)格的企業(yè)級內(nèi)存
2023-03-17 10:01:32359

“中國天眼”取得重大突破

“中國天眼”取得重大突破 由中國科學(xué)院國家天文臺等單位科研人員組成的中國脈沖星測時陣列研究團隊,日前利用“中國天眼”FAST探測到納赫茲引力波存在的關(guān)鍵性證據(jù),這是納赫茲引力波搜尋的一個重要突破
2023-06-29 15:57:37870

又一卡脖子技術(shù)突破國內(nèi)首條MEMS芯片原子鐘產(chǎn)線落成投產(chǎn)

據(jù)傳感器專家網(wǎng)獲悉,近日,天津高新區(qū)官方微信公眾號發(fā)布公告,天津華信泰科技有限公司建設(shè)的國內(nèi)首條芯片原子鐘生產(chǎn)線日前在濱海高新區(qū)落成投產(chǎn)。該條生產(chǎn)線可達到年產(chǎn)3萬臺的生產(chǎn)能力,其落成投產(chǎn)表明我國
2023-08-23 21:08:55521

華為芯片重大突破

華為芯片重大突破:目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強大的移動芯片之一,被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計和制造企業(yè)之一,近年來通過自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563350

清華大學(xué)重磅消息:全球首顆!我國芯片領(lǐng)域取得重大突破

,清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱基于存算一體計算范式,研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)(機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成)的憶阻器存算一體芯片,在支持片上學(xué)習(xí)的憶阻器存算一體芯片領(lǐng)域取得重大突破,有
2023-10-11 08:39:33416

緊湊型有機半導(dǎo)體激光器技術(shù)取得重大突破

據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,英國圣安德魯斯大學(xué)(University of St. Andrews)的科學(xué)家表示,他們在開發(fā)緊湊型有機半導(dǎo)體激光器技術(shù)的數(shù)十年挑戰(zhàn)中取得了“重大突破(significant breakthrough)”。
2023-10-30 15:23:00162

中國鎳基超導(dǎo)體機理研究重大突破

中國鎳基超導(dǎo)體機理研究重大突破 超導(dǎo)體這門前沿科技具有重要的科學(xué)和應(yīng)用價值,超導(dǎo)材料在所有涉及電和磁的領(lǐng)域都有用武之地,包括電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、科學(xué)工程、交通運輸、電力等領(lǐng)域。 據(jù)央視新聞報道,此前
2023-11-03 16:00:08526

我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀元

我國在光存儲領(lǐng)域獲重大突破 或?qū)㈤_啟綠色海量光子存儲新紀元 據(jù)新華社的報道,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所與上海理工大學(xué)等合作,在超大容量超分辨三維光存儲研究中取得突破性進展。可以說是“超級光盤
2024-02-22 18:28:451335

國內(nèi)首枚!合肥造量子芯片重大突破

記者3月19日從合肥中安創(chuàng)谷科技園獲悉,位于該園的合肥硅臻芯片研發(fā)的量子隨機數(shù)發(fā)生器芯片QRNG-10,日前通過了國家密碼管理局商用密碼檢測中心的密碼檢測。 這是國內(nèi)第一枚突破毫米級尺寸的QRNG
2024-03-21 08:42:5247

國產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn),DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速!

近兩年,國內(nèi)存產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,包括NANDFLASH和DRAM。去年,長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn),實現(xiàn)從0到1的突破。 今年,基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613

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