納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)三大勢(shì)力之一的合肥長(zhǎng)鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個(gè)里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在國(guó)際主流存儲(chǔ)器上都取得了重大突破，為推動(dòng)存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)化掀開(kāi)了重要一頁(yè)。
2018-07-17 10:03:054958 在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:003556 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說(shuō)我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
6月12日，日經(jīng)新聞引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，合肥長(zhǎng)鑫已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了其DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。 日經(jīng)：長(zhǎng)鑫已重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，盡量避免使用美國(guó)原產(chǎn)技術(shù) 據(jù)日經(jīng)新聞亞洲評(píng)論報(bào)導(dǎo)
2019-06-13 18:30:033232 重大突破，可能會(huì)推動(dòng)氧基電池技術(shù)的重大發(fā)展。鋰空氣電池，被認(rèn)為是鋰離子電池的終極形態(tài)，而這個(gè)新型鋰氧電池更是鋰空氣電池的升級(jí)版，更加強(qiáng)大、更加方便、還更加安全。希望這項(xiàng)技術(shù)能夠快點(diǎn)成熟，走上市場(chǎng)！突破七
2016-12-30 19:16:12
。
該貯箱采用了5米級(jí)長(zhǎng)筒段，首次實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)近2米級(jí)筒段向5米級(jí)筒段的重大跨越，標(biāo)志著我國(guó)已初步掌握長(zhǎng)筒段研制技術(shù)，火箭在高質(zhì)量、高效率、低成本研制上又取得重大突破。長(zhǎng)筒段將現(xiàn)有多個(gè)筒段整合為一，有效
2021-07-06 10:02:35
存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等），而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大，但是讀寫(xiě)速度不如SRAM。問(wèn)題5：用得
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低?！ ?b class="flag-6" style="color: red">DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
高科技產(chǎn)業(yè)的技術(shù)、產(chǎn)品還可長(zhǎng)可久，投資于此，理所當(dāng)然。DRAM制程推進(jìn)已很緩慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也許可以推進(jìn)到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。對(duì)于一個(gè)商業(yè)公司
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
一種特定的類(lèi)型：DRAM。DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種基于充電電容器的存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)起來(lái)非?？烨冶阋恕Ｋ€允許高密度。但是DRAM并非沒(méi)有缺陷。DRAM中的一位可以存儲(chǔ)為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
近日，《自然》雜志上發(fā)表了關(guān)于谷歌 DeepMind 使用 AI 診斷眼疾實(shí)現(xiàn)重大突破的文章。結(jié)果顯示，在 997 例患者的掃描測(cè)試中，DeepMind 的算法優(yōu)于英國(guó)莫菲爾眼科醫(yī)院
2018-08-15 11:01:51
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
LPDDR5 DRAM芯片有什么性能？LPDDR5 DRAM芯片有哪些新功能？
2021-06-26 07:37:30
鑫達(dá)科技近期以來(lái)取得重大技術(shù)突破且擁有成熟解密方案的優(yōu)勢(shì)解密系列，針對(duì)各種IC芯片，目前我們均能夠提供高效可靠、價(jià)格合理的芯片解密方案。 MPC82G516芯片解密是其中成功破解的典型芯片
2012-09-29 11:29:00
產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷隡RAM集成到
2023-04-07 16:41:05
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新，直到下次寫(xiě)入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫(xiě)
2010-07-15 11:40:15
一個(gè)具有20位地址和32位字長(zhǎng)的存儲(chǔ)器能存儲(chǔ)多少個(gè)字節(jié)的信息？需要多少位地址作芯片選擇？
2021-10-26 07:52:14
`WiFi是無(wú)線通信主流技術(shù)，而物聯(lián)網(wǎng)是無(wú)線通信與Wi-Fi芯片發(fā)展的重要驅(qū)動(dòng)力。近年來(lái)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的快速發(fā)展，全球整體Wi-Fi芯片市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，市場(chǎng)空間廣闊。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)
2021-07-17 15:13:14
什么是SOI技術(shù)？在實(shí)現(xiàn)CAN收發(fā)器EMC優(yōu)化方面有哪些重大突破？
2021-05-10 06:42:44
``手機(jī)無(wú)線充電器一鑫創(chuàng)研是長(zhǎng)這個(gè)樣子的``
2018-01-23 14:14:26
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開(kāi)關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開(kāi)的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見(jiàn)到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
隨著阿法狗大戰(zhàn)李世石，人工智能引發(fā)越來(lái)越多的關(guān)注。百度總裁張亞勤28日表示，百度長(zhǎng)期堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，2015年研發(fā)投入超過(guò)100億元，目前在人工智能領(lǐng)域已有重大突破?！ 垇喦谠谔旖蛳募具_(dá)沃斯論壇
2016-07-01 15:22:41
和DRAM存儲(chǔ)和下載(SnD)以獲求超過(guò)1Gb的代碼密度。數(shù)據(jù)流z 影響數(shù)據(jù)流性能的主要因子是編程速度。數(shù)據(jù)流通常建立在DRAM技術(shù)基礎(chǔ)上，但是可用N劇D閃存和DRAM:執(zhí)行來(lái)獲取超過(guò)4Gb的密度，主要
2018-05-17 09:45:35
`華爾街日?qǐng)?bào)發(fā)布文章稱(chēng)，科技產(chǎn)品下一個(gè)重大突破將在芯片堆疊領(lǐng)域出現(xiàn)。Apple Watch采用了先進(jìn)的的3D芯片堆疊封裝技術(shù)作為幾乎所有日常電子產(chǎn)品最基礎(chǔ)的一個(gè)組件，微芯片正出現(xiàn)一種很有意思的現(xiàn)象
2017-11-23 08:51:12
視頻監(jiān)控技術(shù)在火災(zāi)報(bào)警領(lǐng)域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-19 11:53:09
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類(lèi)存儲(chǔ)類(lèi)型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁——一種非易失性的RAM。相對(duì)于其它類(lèi)型的半導(dǎo)體技術(shù)
2011-11-21 10:49:57
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
ADI寬帶RFIC實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破，大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
隨著多種標(biāo)準(zhǔn)在中國(guó)的共存，射頻器件需要滿足多種頻段的需求。目前的情況是移動(dòng)終端的射頻已開(kāi)始走向部分集成，支持
2010-01-04 14:10:48690 天合光能在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破
天合光能(Trina Solar)宣布，在開(kāi)發(fā)單結(jié)晶矽電池技術(shù)方面有重大突破，配合公司
2010-02-11 08:29:33765 IBM宣布芯片實(shí)現(xiàn)重大突破 可建百萬(wàn)萬(wàn)億次電腦
網(wǎng)易科技訊 北京時(shí)間3月4日消息 據(jù)《自然》雜志報(bào)道，IBM的科學(xué)家當(dāng)日宣布，他們用微型硅電路取代銅線實(shí)現(xiàn)了芯片間
2010-03-04 08:50:13463 IBM宣布半導(dǎo)體技術(shù)重大突破 耗能少傳輸快
IBM研究人員宣布，在半導(dǎo)體傳輸技術(shù)上有了重大突破，可大幅提高傳輸速度，并同時(shí)減少能源損耗。
此項(xiàng)技術(shù)目
2010-03-08 09:34:36556 (Intel)宣布，在微處理器上實(shí)現(xiàn)了50多年來(lái)的最重大突破，成功開(kāi)發(fā)出世界首個(gè)三維結(jié)構(gòu)晶體管
2011-05-06 08:19:13656 “第三代”光伏發(fā)電技術(shù)，也就是綠色光伏發(fā)電技術(shù)，特點(diǎn)是綠色、高效、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)。中國(guó)第三代光伏發(fā)電技術(shù)又取得了重大突破。
2011-11-30 09:34:38977 根據(jù)Computerworld網(wǎng)站報(bào)道，IBM研究人員在自旋電子學(xué)領(lǐng)域（“自旋遷移電子學(xué)”的簡(jiǎn)稱(chēng)）取得了重大技術(shù)突破，能夠利用電子在磁場(chǎng)內(nèi)的自旋并結(jié)合讀寫(xiě)頭，在半導(dǎo)體材料上記錄和讀取數(shù)
2012-08-14 11:11:15665 
19日，據(jù)外媒報(bào)，三星移動(dòng)業(yè)務(wù)部表示，三星將考慮從競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士購(gòu)入移動(dòng)存儲(chǔ)芯片，以確保Galaxy S系列重要機(jī)型芯片供應(yīng)。而從移動(dòng)芯片穩(wěn)步增長(zhǎng)趨勢(shì)，反映DRAM供應(yīng)市場(chǎng)緊俏前景。
2013-04-22 09:58:48865 來(lái)深度的了解一下華為石墨烯電池的重大突破，突破的有事哪方面的領(lǐng)域，是否 是超級(jí)快充技術(shù)時(shí)代的到來(lái)的前兆！
2016-12-12 09:35:033213 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問(wèn)，速率非常高。 DRAM可以用來(lái)緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱(chēng)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
日前，合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4?？梢哉f(shuō)，近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 據(jù)外媒報(bào)道，加拿大滑鐵盧大學(xué)Linda Nazar教授宣布，其研究團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)四電子轉(zhuǎn)換，該技術(shù)將實(shí)現(xiàn)鋰－氧電池的電子存儲(chǔ)容量翻番。
2018-09-18 15:19:00583 在整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈中，存儲(chǔ)芯片扮演著至關(guān)重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉(cāng)”。存儲(chǔ)芯片分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，內(nèi)存主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM芯片市場(chǎng)及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272 就在臺(tái)積電與三星在邏輯芯片制程技術(shù)逐漸導(dǎo)入EUV技術(shù)之后，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也將追隨。也就是全球存儲(chǔ)器龍頭三星在未來(lái)1Y納米制程的DRAM存儲(chǔ)器芯片生產(chǎn)上，也在研究導(dǎo)入EUV技術(shù)。而除了三星之外，韓國(guó)另一家
2018-10-29 17:03:243560 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477041 隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 據(jù)悉，臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院（ITRI）下屬的電子與光電子系統(tǒng)研究實(shí)驗(yàn)室（EOSRL）日前宣布，在Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重大突破。
2019-05-24 15:29:252213 日前，據(jù)消息人士稱(chēng)，合肥長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)為減少美國(guó)制裁威脅，已經(jīng)重新設(shè)計(jì)了DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 10:46:2818062 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已經(jīng)重新設(shè)計(jì)DRAM芯片，以盡量減少對(duì)美國(guó)原產(chǎn)技術(shù)的使用。
2019-06-14 15:54:363128 雖然日本限制關(guān)鍵科技原料出口至韓國(guó)，對(duì)業(yè)界投下震撼彈，但三星電子（Samsung Electronics Co.）表明，目前并無(wú)減產(chǎn)DRAM等存儲(chǔ)器芯片的打算，還說(shuō)日本出口限制令的沖擊難以估算，只能盡量把傷害降到最低。
2019-08-03 11:55:384040 近日，半導(dǎo)體綜合性企業(yè)紫光集團(tuán)在其官網(wǎng)宣布，公司已經(jīng)成立一個(gè)新的事業(yè)群，專(zhuān)注于內(nèi)存芯片動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）。DRAM是一種最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等設(shè)備中。
2019-08-07 10:59:171196 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 在早前長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布它已研發(fā)出64層NAND flash芯片之后，近日合肥長(zhǎng)鑫也宣布已解決DRAM芯片的技術(shù)難題并已進(jìn)入小規(guī)模生產(chǎn)，這意味著困擾中國(guó)制造業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)取得了重大突破，這為中國(guó)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)提供有力的支持。
2019-08-30 14:08:09703 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片一直受到業(yè)界的關(guān)注，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
2019-09-05 10:54:001298 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專(zhuān)利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來(lái)技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:563414 中國(guó)的技術(shù)自給自足之路正處于重大突破的邊緣，新生的芯片產(chǎn)業(yè)有望在 2020 年底之前從去年的幾乎為零的產(chǎn)量增長(zhǎng)到世界 5％的存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。
2019-11-22 16:46:58879 在中國(guó)去年進(jìn)口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中，存儲(chǔ)芯片大概占了1/3，價(jià)值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國(guó)產(chǎn)率基本為0。不過(guò)今年國(guó)內(nèi)在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了0的突破，預(yù)計(jì)2020年就能占到全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的5%。
2019-11-27 16:52:091200 12 月 5 日訊，在近日召開(kāi)的 2019 世界制造業(yè)大會(huì)上，總投資約 1500 億元的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流 DRAM 產(chǎn)品同步的 10 納米級(jí)第一代 8Gb DDR4 首度亮相，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月 12 萬(wàn)片晶圓。
2019-12-06 10:53:101483 存儲(chǔ)器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對(duì)提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶(hù)需求的承諾。這項(xiàng)重大進(jìn)展也說(shuō)明了三星將如何透過(guò)即時(shí)開(kāi)發(fā)高端制程技術(shù)來(lái)生產(chǎn)高端存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511009 近日，我國(guó)在基于量子中繼的量子通信網(wǎng)絡(luò)技術(shù)方面取得重大突破，在國(guó)際上首次實(shí)現(xiàn)相距50公里光纖的存儲(chǔ)器間的量子糾纏。
2020-04-03 17:58:443053 資料顯示，作為大陸領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司，東芯半導(dǎo)體聚焦于中小容量存儲(chǔ)芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售，是大陸少數(shù)可以同時(shí)提供Nand、Nor、Dram等主要存儲(chǔ)芯片完整解決方案的公司。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、物聯(lián)網(wǎng)終端、消費(fèi)電子、汽車(chē)電子類(lèi)產(chǎn)品等領(lǐng)域，服務(wù)著華為、蘋(píng)果、三星、?？低暋⒋笕A等國(guó)內(nèi)外眾多知名客戶(hù)。
2020-09-16 15:06:493037 中第一項(xiàng)就強(qiáng)調(diào)關(guān)鍵核心技術(shù)實(shí)現(xiàn)重大突破。這和十三五的產(chǎn)業(yè)邁向中高端相比戰(zhàn)略意味更濃。而芯片、光刻機(jī)、操作系統(tǒng)等卡脖子關(guān)鍵技術(shù)是中長(zhǎng)期政策的重點(diǎn)導(dǎo)向。 這其中，存儲(chǔ)芯片更是我國(guó)亟需突破的領(lǐng)域。目前全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被三星、
2020-11-03 12:27:322627 
PSRAM是一種存儲(chǔ)技術(shù)，它通過(guò)DRAM單元來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)并降低每存儲(chǔ)位成本。PSRAM帶有異步SRAM外部接口，可實(shí)現(xiàn)高效的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。COSMORAM協(xié)議包括關(guān)于猝發(fā)模式PSRAM用戶(hù)接口的通用
2020-10-23 14:43:51532 的非易失性存儲(chǔ)器類(lèi)型（PCM和MRAM）將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。 傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片到達(dá)技術(shù)節(jié)點(diǎn) 存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲(chǔ)器三個(gè)相對(duì)獨(dú)立的市場(chǎng)。 然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來(lái)越高，傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片
2020-12-06 06:57:003137 理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來(lái)實(shí)現(xiàn)。若寫(xiě)入位
2020-12-11 15:11:293686 
國(guó)產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現(xiàn)自主可控，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水準(zhǔn)。氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)加快了二十
2020-12-18 10:26:523387 最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 芯片已成為世界各國(guó)科技角力的主陣地，但最近全球卻面臨一個(gè)重大的問(wèn)題——“芯片荒”。
2020-12-25 11:11:192820 均有重大突破。 ? 美光表示，對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程，1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 美光計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入其 DRAM 產(chǎn)品線，從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車(chē)輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 美光的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:031970 2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)現(xiàn)狀情況分析全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展至今可分為萌芽期、初步發(fā)展期、快速發(fā)展期三個(gè)階段。1）萌芽期：在此階段，各大企業(yè)都在積極研發(fā)RAM，且DRAM研究進(jìn)展比ROM快，行業(yè)實(shí)現(xiàn)
2021-01-27 14:16:5114959 
近日，阿里研發(fā)出全球首款基于DRAM的3D鍵合堆疊存算一體芯片，該芯片突破了馮·諾依曼架構(gòu)的局限，在特定的AI場(chǎng)景中，該芯片的性能提升10倍以上，效能比提升了近300倍。
2021-12-08 15:11:252446 華為中國(guó)芯片技術(shù)最新突破：因?yàn)橐咔楹兔绹?guó)的芯片禁令導(dǎo)致中國(guó)缺芯問(wèn)題愈發(fā)嚴(yán)重，華為和中國(guó)的很多的芯片企業(yè)都在積極地解決問(wèn)題，華為海思的芯片技術(shù)也有了重大突破，國(guó)產(chǎn)14nm芯片將會(huì)在明年年底量產(chǎn)。
2022-01-10 11:04:2030901 韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部周五公布的數(shù)據(jù)顯示，8月份DRAM芯片出口同比下降24.7%。DRAM占韓國(guó)存儲(chǔ)芯片出口的近一半。
2022-09-16 15:18:31424 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 華為芯片迎重大突破：目前華為的麒麟系列芯片已經(jīng)成為世界上最強(qiáng)大的移動(dòng)芯片之一，被廣泛應(yīng)用于華為自家的旗艦手機(jī)以及平板電腦等設(shè)備上。 華為一直是全球領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)和制造企業(yè)之一，近年來(lái)通過(guò)自主研發(fā)
2023-09-06 11:14:563350 在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58784 
LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-19 17:55:57235 LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5是長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局。 其中，12GB
2023-12-13 11:12:08229 ”；這是我國(guó)在光存儲(chǔ)領(lǐng)域獲重大突破。有助于解決大容量和節(jié)能的存儲(chǔ)技術(shù)難題。 利用國(guó)際首創(chuàng)的雙光束調(diào)控聚集誘導(dǎo)發(fā)光超分辨光存儲(chǔ)技術(shù)，實(shí)驗(yàn)上首次在信息寫(xiě)入和讀出均突破了衍射極限的限制，實(shí)現(xiàn)了點(diǎn)尺寸為54nm、道間距為70
2024-02-22 18:28:451335 HBM3E的推出，標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 近兩年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)64
2020-07-14 09:26:5710613
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論