9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創建3D NAND閃存的后繼產品，與QLC NAND閃存相比，該產品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術允許存儲芯片具有更小的單元

電子發燒友網訊： 在28納米產品和新平開發軟件平臺Vivado發布后，賽靈思并沒有停止新工藝開發的腳步。日前賽靈思宣布了其20納米的產品規劃。 賽靈思全球高級副總裁、亞太區執行總

三星電子近日宣布，正在開發全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產和商用打下了堅實基礎。

10nm新工藝難產，Intel不得不臨時增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake，但即便如此進展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺”（2017 Platform）。

臺積電和三星都將在明年規模量產10nm新工藝，高通、蘋果、三星、聯發科的下一代處理器自然都會蜂擁而上，搶占制高點，據說第一個將是聯發科的新十核Helio X30。

全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲

`無線充電時代，第五屆手機外殼（2.5/3D玻璃、氧化鋯陶瓷）新材料新工藝論壇2018. 04. 20，深圳5G通信呼之欲出，無線充電時代開始來臨；蘋果、三星已采用，預計2018年無線充電將在

7nm新工藝的加持：RX 5500 XT可輕輕松松突破2GHz

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯 NAND閃存深入解析

，25nm新工藝NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到

THGBMFT0C8LBAIG閃存芯片THGBMHT0C8LBAIG 為滿足5G、云計算、IoT、AI以及智能駕駛等領域所帶來的不斷增長的數據存儲需求，鎧俠宣布將在日本巖手縣現有的K1工廠旁預留

嗎？ NAND閃存與Xilinx Spartan 6兼容嗎？有人可以幫助我，謝謝。格拉迪斯以上來自于谷歌翻譯以下為原文According to the datasheet, The Spartan 6

韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產。該工廠采用最尖端的3D技術，生產用于服務器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術）設備生產基地聚集的中國

東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產品，可用于各種廣泛的數字消費產品【轉】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產品，這些產品整合了采用尖端的15納米工藝技術制造的NAND芯片。新產品符合

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時間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價格就開始暴降，據統計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50％，而根據分析師表示，未來每年

　　FPGA在系統中表現出的特性是由芯片制造的半導體工藝決定的，當然它們之間的關系比較復雜。過去，在每一節點會改進工藝的各個方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝。現在，情況已不再如此。　　

NAND閃存技術已經遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC

)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產業鏈發展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA

應用行業：LED顯示屏、U盾、電子稱、數顯卡尺、萬用表工藝介紹：之前邦定板工藝有兩種：一種是沉金：優點是上錫好，缺點是不耐磨；另外一種工藝是鍍金，優點是耐磨，好邦定，缺點是上錫弱；邦定新工藝可以實現上錫好的同時大大降低成本，可以降低20%的成本，還可以提升良率QQ：2414764046

最近更新了一下PDK文件，發現用的新的文件仿真以前做的一些模塊，一些指標都變了對里面的MOS管進行仿真，發現老工藝庫的單管本證增益比新工藝庫的還要高。這是什么情況有人遇到過這樣的問題嗎

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傳統煙草制絲線是以品牌配方的模式組織生產 ,為適應分組加工新工藝在制絲線中的應用 ,要求在品牌配方的基礎上 ,引入模塊的概念 ,因此傳統制絲線的控制程序已不能滿足分組加

本文介紹了解決微型 MEMS 無縫互連的創新工藝。

        　　韓國三星電子公司周一說，它和蘋果電腦公司就合資生產NAND閃存芯片的談判已告失敗。NAND閃存芯片是蘋果最新便攜音樂播放

我國研制出廢舊電池處理新工藝 北京科技大學及有關科研單位經２０多年研究攻關，研制出國內首創的廢舊電池物理分選─化學處理新工藝。應用這一新工藝建成

三星宣布開始量產兩種新型30nm制程NAND閃存芯片 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術，據三星公司

新工藝驗證規格服務汽車電子市場  中國市場的汽車生產量逐年提升，從2008年到2013年期間，中國車用電子市場的年復合成長率為17.5%，同一時間全球的成長率只有8%

Intel、美光宣布投產25nm NAND閃存 　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以

英特爾大連廠十月投產 65納米工藝生產芯片組 　英特爾近日宣布，其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產。大連芯片廠將采用65納米工藝生產300毫米芯片組。 　

Hynix宣布已成功開發出26nm制程NAND閃存芯片產品 　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚

國內光伏企業啟用零污染節能新工藝 3月24日早間消息，總部設在保定的太陽能公司英利綠色能源宣布，今年擴展400兆瓦產能，將總產

NOR閃存/NAND閃存是什么意思 NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現在： 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同

NAND閃存的自適應閃存映射層設計 閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數據存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的

英特爾今天宣布發布使用新型HET-MLC NAND閃存芯片的 SSD 710型號，MLC就是多層單元封裝，HET則代表著高耐久性技術(High Endurance Technology)，是為了解決閃存類型與壽命之間的矛盾而誕生的。

AMD考慮改變傳統的工藝策略，不再一味盲目追新。現在我們談談20nm和14nm。我認為我們在亞原子世界中行走得確實很艱難。轉換到新工藝所帶來的價格優勢已經開始模糊

據《日刊工業新聞》報道，由于移動設備的需求持續增加，東芝(微博)最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經試產了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內。

東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產量削減30%，為2009年以來首次減產。

據臺媒報道，蘋果將會采用新工藝，進一步降低MacBook Pro和MacBook Air設備的零件厚度。

在白色LED模塊需求以照明用途為中心不斷高漲的情況下，日本愛德克公司（IDEC）針對將組合藍色LED元件和黃色熒光材料實現白色光的模塊（偽白色LED模塊），開發出了新的制造工藝（圖1）＊1。新工藝

東京—東芝公司 （TOKYO：6502）今天宣布，該公司在閃存峰會（Flash Memory Summit）上展示其最新的NAND閃存和存儲產品。

設計參考手冊（Design Rule Manual，DRM） 與SPICE認證，相比于原16納米FinFET制程，可以使系統和芯片公司通過此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。

3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發明者，但三星目前已經是NAND芯片行業的領跑者，并且其優勢在不斷擴大。

智能硬件是以平臺性底層軟硬件為基礎，以智能傳感互聯、人機交互、新型顯示及大數據處理等新一代信息技術為特征，以新設計、新材料、新工藝硬件為載體的新型智能終端產品及服務。

作為臺積電最有競爭力的競爭對手，三星聯手IBM打造5nm新工藝叫板臺積電。 為了實現這個壯舉，就必須在現有的芯片內部構架上進行改變。研究團隊將硅納米層進行水平堆疊，而非傳統的硅半導體行業的垂直堆疊構架，這使得5nm晶體管的工藝有了實現可能，而這一工藝將有可能引爆未來芯片性能的進一步高速發展。

據外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規模生產其第五代V-NAND閃存芯片。

由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數據，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同

2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市，領跌的就是DRAM內存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經連跌了6個季度。

據報道，法國研究機構Leti of CEA Tech研發出一個生產高性能氮化鎵Micro LED顯示屏的新工藝。相比現有方法，這項新工藝更簡單且更高效。

東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。

在日本的2019 VLSI Symposium超大規模集成電路研討會上，臺積電宣布了兩種新工藝，分別是7nm、5nm的增強版，但都比較低調，沒有過多宣傳。

和以往間隔多年推出一代全新工藝制程不同，目前兩大晶圓代工廠臺積電及三星都改變了打法，一項重大工藝制程進行部分優化升級之后，就會以更小的數字命名。作為韓系芯片大廠龍頭的三星在工藝制程方面非常激進

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

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AMD今年推出了7nm工藝的銳龍、霄龍及Radeon顯卡，三大業務全線升級新工藝了，這是Q3季度AMD業績大漲的關鍵。

但其實在芯片代工方面，還有很多其他不同的工藝和廠商。例如硅鍺和SOI等就是其典型代表。另外，還有如MEMS、砷化鎵等第三代半導體等工藝也是市場關注的熱點。尤其是在即將到來的物聯網和5G時代，這些新工藝的關注度正在升溫。

長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。

無論消費者還是企業機構，大多數人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞。基于塊尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。

全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲

全球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲

全 球NAND閃存主控芯片設計與營銷領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation，NASDAQ：SIMO）宣布該公司全系列主控芯片全面支持長江存儲

2020第四屆國際新材料新工藝及色彩（簡稱CMF）展將于2020年11月24日-11月27日在深圳國際會展中心舉行，展會以跨界創新，縱向落地為主題，重磅推出5G終端及基站功能材料、消費電子外觀效果

我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。

據國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。

責任編輯：xj 原文標題：突破！一種5G陶瓷濾波器創新工藝，解決介質陶瓷粉體制備的痛點！ 文章出處：【微信公眾號：5G半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。

據國外媒體報道，在 5nm 工藝大規模投產之后，臺積電將投產的下一代重大芯片制程工藝，就將是 3nm，目前正在按計劃推進，計劃在 2021 年開始風險試產，2022 年下半年大規模投產。

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術，達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。

IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業紀錄，實現閃存產品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產品采用

存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構，可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲

芯片巨頭美光11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。 這使得美光成為全球第一家量產176層TLC NAND閃存的芯片商。 176層NAND支持的接口速度為 1600MT

從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術的發展。本文介紹的176層NAND芯片，已經發展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業內最佳的每片晶圓產出。

1月28日消息，今日，小米筆記本官方微博再次為RedmiBook Pro預熱。 官方表示，手感、質感俱佳，不負期待，新工藝不想放手，這次真的很Pro。 根據此前預熱信息來看，新一代RedmiBook

眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現出更好的工藝，它們似乎在挑戰三星的技術能力。

原定于2021年9月1-3日在深圳舉辦的“2021第5屆國際新材料新工藝及色彩（簡稱CMF）展覽會”將延期至2021年9月27-29日繼續在深圳國際會展中心（寶安6號館）舉辦，我司將隨后公布更具體的相關信息。

重要通知：獵板PCB表面處理新工藝-鎳鈀金于官網正式上線！ 在前幾天推出的文章中，小編提到了獵板的新工藝鎳鈀金（也叫化鎳鈀金、沉鎳鈀金），這是一種最新的PCB表面處理技術，由于該工藝對工廠的制程能力

著名的電源半導體技術公司深圳市銳駿半導體有限公司最新推出一款MOS封裝新工藝。這款TO220-S封裝廣泛的適用于MOSFET、高壓整流器及肖特基等功率器件。

為了突破露點儀的工藝天花板，奧松電子的研發工程師們創造性地采用了半導體的加工方式，實現了在極小的體積上，瞬間達到所需要的高溫，實現了節能、抗污和高效等目標。運用這一新工藝，實現了新的效果。

在NAND閃存的應用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。

在NAND閃存的應用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。

新工藝電磁流量計在傳統電磁 流量計制造的基礎上做了哪些改進?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

研究團隊聚焦集成電路領域“卡脖子”技術，研發了一種可以應用于高端電子產品、適應5G通信高頻高速信號傳輸速率，且具有自主知識產權的PCB高精密表面修飾新工藝。

閃存存儲設備：NAND芯片作為主要的閃存存儲媒介，被廣泛用于固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、內存卡（如SD卡、MicroSD卡）和閃存盤等。

國產劃片機確實開創了半導體芯片切割的新工藝時代。劃片機是一種用于切割和劃分半導體芯片的設備，它是半導體制造過程中非常重要的一環。在過去，劃片機技術一直被國外廠商所壟斷，國內半導體制造企業不得不

DOH新工藝技術助力提升功率器件性能及使用壽命