三、控制命令

SDRAM的驅動需要用到一些命令，介紹幾個常見的命令

3.1 Active （激活操作）

激活操作，必須在讀寫操作之前被發送，用于設置所需要的BANK和行地址，BANK地址由BS0,BS1（也可寫作BA0,BA1）指定，行地址由A0~A12指定； 列地址將在READ和WRITE操作中指定； 激活操作時，CLK信號上升沿采樣到的關鍵信號如下

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3.2 Read（讀操作）

在發送完激活命令后，再發送列地址就可以完成對SDRAM的尋址，并進行讀操作，讀命令和列地址的發送，是通過一次傳輸完成的，CLK信號上升沿采樣到的關鍵信號如下

數據的讀操作，涉及幾個延時參數：

（1）tRCD（RAS TO CAS delay 即RAS#信號有效后到CAS#信號有效，這之間的延時），在激活指令選定待操作的行之后，需要延時tRCD，才能切換到對列的選擇； 因此激活指令（完成行選擇）與READ指令（完成列選擇）之間的延時為tRCD

（2）CL（CAL Latency）即CAS潛伏期參數； READ指令發出后，存儲器根據采樣得到的行地址和列地址，將對應存儲單元的數據放大，以便傳輸到數據總線上，這個過程所消耗的延時稱為CL； 因此，從READ指令發出到數據總線上出現第一個數據，這之間的延時定義為CL

（3）tRAS，指激活指令到預充電操作（PRECHARGE）指令的延時

（4）tRP，指預充電操作（PRECHARGE）指令到下一次激活指令的延時

（5）tRC，指兩次激活指令之間的時間間隔

以上參數與SDRAM的存儲性能密切相關，一般而言，延時參數值越小，存儲器的存儲性能越高，在SDRAM器件資料中，以上參數都以時鐘周期為單位，如某SDRAM的CL參數為2.5，假定其工作的時鐘頻率為100MHz，則該器件的CAS為25ns；、
對讀操作而言，從ACT命令開始，到第一個數據出現在總線上，延時為：tRCD+CL

3.3 Write（寫操作）

在發送完激活命令后，再發送列地址就可以完成對SDRAM的尋址，并進行寫操作，寫命令和列地址的發送，是通過一次傳輸完成的，CLK信號上升沿采樣到的關鍵信號如下

數據寫入時，同樣需滿足tRCD、tRAS、tRC、tRP等參數的要求，與讀操作不同的是，寫操作不涉及CL參數，但增加了tWR參數； tWR是指SDRAM將數據總線上待寫入的數據導入內部存儲單元所需要的時間；

3.4 Precharge（預充電）

預充電指令，用于關閉BANK中所打開的行地址； 對SDRAM內部某一行的操作完成后，如需繼續對另一行進行操作，應先關閉當前的工作行，該操作稱為預充電（PRECHARGE）； 由于預充電操作需要一定的時間，在發出預充電操作的命令后，需等待tRP時間才能發起對另一行的操作； 關鍵信號如下：

預充電命令可以通過獨立的命令發送，也可以在每次發送讀寫命令的時候，使用地址線A10來設置自動預充電； 在發送讀寫命令的時候，當A10=1，則使能所有BANK的預充電，在讀寫操作完成后，自動進行預充電，這樣，下次讀寫操作之前，就不需要再發預充電命令，從而提高讀寫速度；

3.5 Refresh（刷新）

刷新命令，SDRAM需要不斷刷新才能保持內部存儲的數據信息； 刷新有兩種：自動刷新（Auto Refresh）和自我刷新（Self Refresh），在發送Refresh命令時，如果CKE有效（高電平），則使用自動刷新模式，否則使用自我刷新模式； 不論何種刷新模式，都不需要外部提供行地址信息，因為這是一個內部的自動操作；
SDRAM存儲單元能可靠保存數據的時間約為64ms，因此每個存儲單元的刷新周期是64ms，SDRAM每次針對一行進行刷新，以8192行的SDRAM為例，刷新操作應每7.8125us執行一次

刷新操作的時間用參數tRFC定義，該參數的值較大，以工作時鐘頻率為133MHz的SDRAM為例，刷新操作最少需消耗9個時鐘周期，在此期間，SDRAM不響應任何外部命令；

3.6 Mode Register Set（模式寄存器配置）

SDRAM芯片內部有一個邏輯控制單元，在每次SDRAM進行初始化的時候進行設置，通過地址線來傳輸；

Burst Length：突發長度，是指在同一行中相鄰的存儲單元連續進行數據傳輸的方式；

Addressing Mode：突發訪問的地址模式；

CAS Latency 也就是前面說的CL，一般設置為2或3個時鐘周期