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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘 - 全文

三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘 - 全文

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2021-05-27 19:05:15

芯片的3D化歷程

衍生了一些新的技術(shù),來助力其閃存產(chǎn)品向3D方向發(fā)展。其中,就包括了三星V-NAND、東芝的BiCS技術(shù)3D NAND、英特爾的3D XPoint等。三星3D NAND閃存上首先選擇了CTF電荷擷取
2020-03-19 14:04:57

請問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

請問如何適配V3S的SPI NAND閃存

target/allwinner/r6-mic2/configs目錄下)將“storage_type = 3”改為“storage_type = 5”但是對V3S無效,燒錄失敗。燒錄日志見burning_err_spi_nand_flash.log。請問各位大神,如何適配V3S的SPI NAND閃存呢?
2021-12-29 07:35:21

郭臺(tái)銘收拾三星,決定富士康停止向三星供應(yīng)面板

三星電子在2010年的時(shí)候告密導(dǎo)致鴻海集團(tuán)(富士康)子公司奇美電子被罰三億歐元,郭總裁當(dāng)時(shí)痛斥三星電子為”專打小報(bào)告的小人”,同時(shí)他也表示一定會(huì)從韓國人的手裡把這個(gè)錢給賺回來,時(shí)隔多年,郭總裁收購
2016-12-18 01:18:05

高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片

高價(jià)回收三星芯片高價(jià)回收三星芯片,專業(yè)收購三星芯片。深圳帝歐專業(yè)電子回收,高價(jià)收購ic電子料。帝歐趙生***(同步微信),QQ:1816233102/764029970郵箱
2021-07-06 19:32:41

高價(jià)收購三星字庫

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2021-02-23 17:54:12

3D NAND的不同架構(gòu)淺析 #存儲(chǔ)技術(shù)

NANDIC設(shè)計(jì)存儲(chǔ)技術(shù)3d nand
EE_Voky發(fā)布于 2022-06-28 17:29:27

蘋果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone

據(jù)報(bào)道,蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層,256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊,這比以前的 48技術(shù)多出 1.5 倍的單元,單個(gè)
2017-04-12 01:07:11991

三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D

三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635

空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作 為西安3D V-NAND芯片廠供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報(bào)道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271030

空氣產(chǎn)品公司將為三星電子西安第二座3D V-NAND芯片廠供氣

位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是中國最先進(jìn)的半導(dǎo)體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、移動(dòng)設(shè)備和其它消費(fèi)電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:467373

三星推出容量達(dá)1Tb的V-NAND單晶粒

在舊金山的閃存峰會(huì)上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達(dá)1Tb,用于消費(fèi)級產(chǎn)品。
2018-05-16 23:41:00759

三星已開始生產(chǎn)第五代V-NAND閃存芯片

據(jù)外媒7月10日報(bào)道,頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682

三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)第五代V-NAND 3D堆疊閃存

三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口,傳輸速率提升至1.4Gbps,與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取信號響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:172678

三星開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存,了解其性價(jià)比

面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況,三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒,堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167

三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5亮相,采用了新的64層V-NAND技術(shù)設(shè)計(jì)

三星電子有限公司今天宣布推出三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T5-全新的移動(dòng)固態(tài)硬盤(PSSD),提升了外部存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能標(biāo)準(zhǔn)。T5采用三星最新的64層V-NAND(垂直NAND技術(shù)和緊湊耐用的設(shè)計(jì),具有業(yè)界領(lǐng)先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性,使消費(fèi)者更輕松隨時(shí)隨地訪問其最有價(jià)值的數(shù)據(jù)。
2018-07-26 17:43:092422

三星五代V-NAND閃存芯片,使生產(chǎn)效率提高了30%以上

此外,新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙,與前一代相比改進(jìn)了30%,讀取信號時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能,電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978

半導(dǎo)體行業(yè)3D NAND Flash

V-NAND技術(shù),堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是,三星3D NAND閃存
2018-10-08 15:52:39395

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日,三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115

關(guān)于不同NAND閃存的種類對比淺析

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NANDV-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對比?

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)更多,而MLC又比SLC存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NANDV-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲(chǔ)單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會(huì)上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關(guān)信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內(nèi)存和NAND閃存之間)、包含獨(dú)特的電路設(shè)計(jì)與優(yōu)化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566

關(guān)于浮柵技術(shù)的介紹和分析以及應(yīng)用

V-NAND閃存,目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù),堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:135973

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2019-09-03 10:38:04624

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲(chǔ)器

三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存,為了進(jìn)一步提高容量和密度,它擁有100多個(gè)活動(dòng)層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)
2019-09-09 16:05:251151

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲(chǔ)容量最大達(dá)4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

三星960 Evo硬盤來襲,擁有全新架構(gòu)和高端性能

固態(tài)硬盤市場的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的,也是目前技術(shù)最強(qiáng)的,已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存,堆棧層數(shù)達(dá)到了48層。
2019-12-22 11:19:011073

三星正在研發(fā)160層及以上的3D閃存

據(jù)了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報(bào)道稱三星可能會(huì)大幅改進(jìn)制造工藝,從現(xiàn)在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數(shù)的3D閃存
2020-04-20 09:06:01473

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:552599

鎧俠和西部數(shù)據(jù)推出第六代162層3D閃存技術(shù)

新一代3D NAND技術(shù)已迎來新的戰(zhàn)局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901

NAND閃存市場競爭愈發(fā)激烈

 在3D NAND技術(shù)賽跑中,三星長期處于領(lǐng)先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100

三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)

市場對更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求,推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案,有望成為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448

三星開始量產(chǎn)第8代V-NAND,存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度,可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲(chǔ)空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè),正如在2022年度閃存峰會(huì)
2022-11-08 13:37:36577

三星電子量產(chǎn)最高存儲(chǔ)密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

什么是3D NAND閃存

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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