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了解中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展史

xPRC_icunion ? 來(lái)源:LONG ? 2019-07-24 15:38 ? 次閱讀
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1、1952年,謝希德麻省理工畢業(yè)后,歸國(guó)后加入復(fù)旦物理系任教授。中國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開(kāi)創(chuàng)者和奠基人,謝先生一生傳奇坎坷,被尊稱(chēng)為“中國(guó)半導(dǎo)體之母”。

2、1953年,北京電子管廠(774廠),中國(guó)第一個(gè)五年計(jì)劃,蘇聯(lián)援建,一度是中國(guó)最大亞洲最大的晶體管廠。周鳳鳴任第一任廠長(zhǎng),王東升最后一任廠長(zhǎng),現(xiàn)在搖身變?yōu)槭澜顼@示頭京東方(BOE)。

3、1956年,周恩來(lái)發(fā)起“向科學(xué)進(jìn)軍“的口號(hào),國(guó)產(chǎn)第一部半導(dǎo)體著作《半導(dǎo)體物理學(xué)》由此誕生。黃坤、謝希德合著。同年,國(guó)家發(fā)布《1956-1967 科技發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》,半導(dǎo)體作為國(guó)家生產(chǎn)與國(guó)防緊急發(fā)展領(lǐng)域。

4、1957年,林蘭英放棄美國(guó)巨額工資,回國(guó)任職中科院應(yīng)用物理所,先后負(fù)責(zé)研制成我國(guó)第一根硅單晶、第一根無(wú)錯(cuò)位硅單晶、第一臺(tái)高壓單晶爐、第一片單異質(zhì)結(jié)SOI外延材料、第一根GAP半晶、第一片雙異質(zhì)結(jié)SOI外延材料,為我國(guó)微電子和光電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ);

5、1959年,中俄決裂。林蘭英,拉出硅單晶;李志堅(jiān),拉出高純度多晶硅。掀起一波中國(guó)半導(dǎo)體自主熱潮。

6、1960年,中科院半導(dǎo)體所、河北半導(dǎo)體所(13所)正式成立。

7、1965年,王守覺(jué)仿造了中國(guó)第一塊集成電路(中科院上海中國(guó)科學(xué)院上海冶金所,7個(gè)晶體管、1個(gè)二極管、7個(gè)電阻、6個(gè)電容

8、1966-1976年,文革十年。北京878廠,上海無(wú)線(xiàn)電19廠,永川半導(dǎo)體所(24所前身),相繼成立,并完成PMOS,NMOS,CMOS研制。

1971年,半導(dǎo)體老照片

9、1969年,國(guó)營(yíng)永紅器材廠(749廠),后成立華天科技。肖勝利最后一任廠長(zhǎng)。

10、1972年,江陰晶體管廠成立。王新潮后擔(dān)任江陰晶體管廠黨支部書(shū)記兼廠長(zhǎng),改制后成立今天長(zhǎng)電科技。

11、1985年,中興通訊前身——侯為貴選擇深圳建立中興半導(dǎo)體有限公司成立。立足半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),沒(méi)有堅(jiān)守也是埋下了美國(guó)制裁中興的禍根。

12、1987年,任正非成立華為。第四年,組建了華為集成電路設(shè)計(jì)中——海思半導(dǎo)體的前身。

13、1987年,張忠謀創(chuàng)辦臺(tái)積電。美國(guó)媒體評(píng)為半導(dǎo)體業(yè)50年歷史上最有貢獻(xiàn)人士之一,國(guó)際媒體稱(chēng)他是“一個(gè)讓對(duì)手發(fā)抖的人”,而臺(tái)灣人則尊他為“半導(dǎo)體教父”,因?yàn)槭撬_(kāi)創(chuàng)了半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)代工的先河。

14、1990年,908工程。我國(guó)第一次對(duì)微電子產(chǎn)業(yè)制定國(guó)家規(guī)劃,無(wú)錫華晶成立。7年后,華晶6英線(xiàn)才投產(chǎn),遠(yuǎn)遠(yuǎn)失去當(dāng)時(shí)巨資投建的目的,與世界半導(dǎo)體技術(shù)差距越拉越大。

15、1995年,江澤民參觀了韓國(guó)三星集成電路生產(chǎn)線(xiàn),回國(guó)后,在當(dāng)年中央經(jīng)濟(jì)工作會(huì)議上,他用了四個(gè)字來(lái)形容差距:觸目驚心。要求“砸鐵賣(mài)鐵”不惜代價(jià)也要將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搞上去。

16、1996年,909工程上馬,上海華虹NEC合資成立。后經(jīng)歷有盈轉(zhuǎn)虧,后向臺(tái)積電式foundry轉(zhuǎn)型。胡啟立主持,兼任董事長(zhǎng)。

17、2000年,中芯國(guó)際成立,張汝京登上大陸半導(dǎo)體晶圓代工發(fā)展的歷史舞臺(tái)。臺(tái)灣塑料業(yè)巨頭王永清之子王文洋和時(shí)任中國(guó)***江澤民之子江錦恒在上海聯(lián)合投資64億美元,建設(shè)八英寸晶圓廠。

18、2001年,展訊通信有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)展訊)成立,并先后在2.5G和3G芯片上做出了不錯(cuò)的成績(jī)。

19、2002年,“龍芯一號(hào)”問(wèn)世。中國(guó)科學(xué)院宣布:我國(guó)第一款商品化的通用高性能CPU芯片。精于毛選的胡偉武,要“用毛主席思想武裝龍芯課題組”,堅(jiān)持“用毛澤東思想搞龍芯研發(fā)”。

20、2003年,上海交大學(xué)陳進(jìn)教授宣布成功開(kāi)發(fā)漢芯一號(hào)芯片。然后,交大半導(dǎo)體十年寂寥,才子英雄也就沒(méi)有然后了。

21、2004,世界半導(dǎo)體低潮期。

22、2005年,鄧中翰中星微登錄納斯達(dá)克,中國(guó)首家自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)登錄。

23、2006,中芯國(guó)際發(fā)起,武漢新芯成立。開(kāi)中部先河,集全球英才。

24、2008年,美國(guó)次貸危機(jī),半導(dǎo)體又一個(gè)世界級(jí)低潮期。價(jià)格戰(zhàn),分立半導(dǎo)體器件、光電器件傳感器在出現(xiàn)負(fù)增長(zhǎng)。

25、2009年,張汝京與TSMC的官司敗訴,這位被中國(guó)寄予厚望的半導(dǎo)體靈魂人物選擇了辭職離開(kāi)中芯國(guó)際。同年,趙偉國(guó)擔(dān)任紫光集團(tuán)董事長(zhǎng),走了中國(guó)另一條芯片救亡之路。

英才專(zhuān)訪趙偉國(guó)

26、2012年,半導(dǎo)體行業(yè)觀察成立,成為中國(guó)最權(quán)威行業(yè)媒體。

27、2013年,紫光集團(tuán)收購(gòu)展訊,私有化成功從美國(guó)納斯達(dá)克退市。

28、2014年!國(guó)務(wù)院發(fā)布<集成電路推進(jìn)綱要>集中力量支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。大基金成立。同年,長(zhǎng)電科技收購(gòu)星科金朋,銳迪科私有化。

29、2015年,陳大同完成收購(gòu)豪威科技,自己收購(gòu)了自己建立的公司。

30、2016年,武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立。中芯、華力密集建廠,海外并購(gòu)遭CFIUS阻擊

31、2017年,各地大建晶圓封測(cè)廠,“瓴盛”事件行業(yè)爭(zhēng)議,謹(jǐn)防國(guó)資國(guó)企瘋狂潮。

32、2018年,習(xí)近平:核心技術(shù)要不來(lái)、買(mǎi)不來(lái)、討不來(lái)。督促提高半導(dǎo)體等關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新能力。

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原文標(biāo)題:中國(guó)半導(dǎo)體簡(jiǎn)史

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