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關于華虹半導體第三代Super Junction技術的分析和應用

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-18 15:05 ? 次閱讀
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華虹半導體是全球領先的功率分立器件200mm代工廠,在功率器件產品穩定量產上擁有逾10年的經驗。公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題,推出了獨特的、富有競爭力的溝槽型SJNFET工藝平臺,令華虹半導體成為業界首家提供超級結工藝平臺的晶圓代工公司。經過多年的深耕發展,公司在Super Junction技術領域積累了豐富的研發和生產經驗,相繼推出了第一代、第二代工藝平臺,并緊跟業界超級結產品的發展,持續進行平臺的創新升級。

華虹半導體最新研發的第三代SJNFET技術平臺不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點,而且還開發出了溝槽柵的新型結構,相比前兩代的平面柵結構,可以更有效地降低結電阻,且進一步縮小了元胞(「cell pitch」)面積。導通電阻與第二代工藝相比,更是下降了30%以上,以600V器件為例,單位面積導通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2,達到業界一流水平。第三代SJNFET工藝平臺將為客戶提供導通電阻更低、芯片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。

功率半導體是開關電源、馬達驅動、LED驅動新能源汽車和智能電網等電源系統的核心器件,也是降低功耗、提高效率的關鍵。在人們對高效節能越來越重視的現今,綠色能源技術必將得到更廣泛的應用,功率半導體的需求也將持續提升。Super Junction技術憑借更低的功耗,高度契合當前熱門的大功率快充電源、LED照明電源需求,其在傳統的PC電源及云服務器電源也有優異的表現。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:「通過與客戶在設計優化、系統解決方案及市場滲透方面的攜手努力,我們獨特且具競爭力的超級結MOSFET平臺自量產以來出貨量與日俱增,累計超過200,000片晶圓。華虹半導體新一代SJNFET工藝平臺的推出,將進一步鞏固公司在功率分立器件領域的領先地位。我們將盡快實現第三代SJNFET工藝平臺的商用,以滿足客戶對更具競爭力的高壓功率芯片產品解決方案的需求。」

華虹半導體(股份代號:1347.HK)是全球具領先地位的200mm純晶圓代工廠,主要專注于研發及制造專業應用的200mm晶圓半導體,尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號電源管理MEMS等若干其他先進工藝技術。根據IHS的資料,按2015年銷售收入總額計算,集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團生產的半導體被應用于不同市場(包括電子消費品、通訊、計算機、工業及汽車)的各種產品中。利用自身的專有工藝及技術,集團為多元化的客戶制造其設計規格的半導體。通過位于上海的3座晶圓廠,集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅,截至2016年9月30日合計約為每月153,000片。同時,考慮到工藝的性能、成本及制造良率,集團亦提供設計支持服務,以便對復雜的設計進行優化。

華虹半導體有限公司現時主要業務透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導體制造有限公司(「華虹宏力」)開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體制造有限公司新設合并而成。

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