慕尼黑 - 相信193納米光刻仍然至少可以在芯片生產(chǎn)中使用一年ASM Lithography今天推出了一款新的KrF 248-nm步進掃描工具，該工具經(jīng)過優(yōu)化，可以制造0.13微米設計規(guī)則的IC。

新型PAS 5500/750E掃描儀是對ASML的增強功能。深紫外700平臺，去年推出用于0.15微米芯片生產(chǎn)。根據(jù)AMSL的說法，750E掃描儀使用了Carl Zeiss Jena GmbH最新的DUV鏡頭 - Starlith 750--其數(shù)值孔徑為0.7，目前可用的像差最小。

掃描儀也是荷蘭平版印刷公司今天在慕尼黑舉行的Semicon Europa貿(mào)易展上展示了該系統(tǒng)，該產(chǎn)品具有業(yè)內(nèi)最小的單機操作小于30納米的覆蓋能力和45納米的匹配機器覆蓋。

AMSL認為半導體制造商現(xiàn)在已經(jīng)達到了2000年下半年和明年生產(chǎn)新IC需要0.13微米特征尺寸的程度。然而，問題是新的193納米工藝，光罩和光刻膠不可能在那段時間內(nèi)完全準備好批量生產(chǎn)。

新的KrF 248-nm掃描儀可以使用成熟的光罩和光刻膠技術，過去四年一直服務于現(xiàn)有的DUV光刻技術。為了將曝光分辨率降至130納米，晶圓廠可以使用相移掩模和光學鄰近校正（OPC）技術。

ASML推出其首款ArF 130-nm掃描儀，即PAS 5500/950，去年用于工藝開發(fā)和早期試生產(chǎn)，但該公司預計客戶不會在明年某個時候開始將這些系統(tǒng)轉移到批量生產(chǎn)線。 ASML還計劃在2001年中期推出一款新的批量生產(chǎn)130納米掃描儀，稱為PAS 5500/1100，銷售執(zhí)行副總裁Dave Chavoustie表示。他預測，130納米掃描儀的批量生產(chǎn)預計將于2002年開始。

雖然193納米光刻膠和支持技術仍在繼續(xù)開發(fā)中，但新型KrF 248掃描儀的目標是低于0.15微米的分辨率要求。 5500/750E包括一個Quasar模塊，可實現(xiàn)多極照明。它還具有雙重曝光能力。

ASML表示，在50 mJ/cm ² 和46個曝光場的生產(chǎn)條件下，新掃描儀每小時可生產(chǎn)120個8英寸晶圓。

掃描儀的發(fā)貨計劃于今年第二季度開始。 ASML一直在引用該系統(tǒng)的基本價格約為860萬美元。