最強A卡剛發布 NV就出大招：80GB HBM2e、性能提升200%
昨晚AMD剛剛發布了7nm CDNA架構的MI100加速卡，NVIDIA這邊就推出了A100 80GB加速卡。雖然AMD把性能奪回去了，但是A100 80GB的HBM2e顯存也是史無前例了。
NVIDIA今年3月份發布了安培架構的A100加速卡（名字中沒有Tesla了），升級了7nm工藝和Ampere安培架構，集成542億晶體管，826mm2核心面積，使用了40GB HBM2顯存，帶寬1.6TB/s。
圖片來自Anandtech網站
現在的A100 80GB加速卡在GPU芯片上沒變化，依然是A100核心，6912個CUDA核心，加速頻率1.41GHz，FP32性能19.5TFLOPS，FP64性能9.7TFLOPS，INT8性能624TOPS，TDP 400W。
變化的主要是顯存，之前是40GB，HBM2規格的，帶寬1.6TB/s，現在升級到了80GB，顯存類型也變成了更先進的HBM2e，頻率從2.4Gbps提升到3.2Gbps，使得帶寬從1.6TB/s提升到2TB/s。
對游戲卡來說，這樣的顯存容量肯定是浪費了，但是在高性能計算、AI等領域，顯存很容易成為瓶頸，所以翻倍到80GB之后，A100 80GB顯卡可以提供更高的性能，NVIDIA官方信息稱它的性能少則提升25%，多則提升200%，特別是在AI訓練中，同時能效也提升了25%。
在A100 80GB加速卡發布之后，現在的A100 40GB版依然會繼續銷售。
責任編輯：PSY
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
amd
+關注
關注
25文章
5566瀏覽量
135916 -
NVIDIA
+關注
關注
14文章
5246瀏覽量
105788 -
顯存
+關注
關注
0文章
111瀏覽量
13854 -
加速卡
+關注
關注
1文章
63瀏覽量
11141
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
風景獨好？12層HBM3E量產，16層HBM3E在研，產業鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產12H HBM3E芯片，實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現與現有的8層產品相同的厚度，同時容量
HBM3E量產后，第六代HBM4要來了！
有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產時間在2026年。英偉達、AMD等處理器大廠都規劃了HBM4與自家GPU結合的產品，HBM4將成為未來AI、HPC、數據中心等高
美光發布HBM4與HBM4E項目新進展
2048位接口，這一技術革新將大幅提升數據傳輸速度和存儲效率。美光計劃于2026年開始大規模生產HBM4，以滿足日益增長的高性能計算需求。 除了HBM4，美光還透露了
特斯拉欲將HBM4用于自動駕駛，內存大廠加速HBM4進程
Dojo的性能。Dojo超級電腦是特斯拉用于自動駕駛技術開發和訓練的重要工具，需要高存儲器帶寬來處理大量數據和復雜計算任務。據稱，目前特斯拉汽車主要配備了HBM2E芯片。 ? 而今年10月有消息表示，SK海力士在汽車內存領域取得了顯著進展，已向谷歌母公司
SK海力士發布HBM3e 16hi產品
在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中，SK hynix（SK海力士）透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉，該公司正在積極開發HBM3e 16hi產品，這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB，將為用戶帶來前所未有
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
三星電子HBM3E商業化遇阻，或重新設計1a DRAM電路
近日，業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供
貿澤開售適用于高性能計算應用的AMD Alveo V80加速器卡
產品搭載高性能的AMD Versal? HBM自適應片上系統 (SoC)，集成了速度更快的高帶寬內存 (HBM2e DRAM)，能克服高性能計算 (HPC) 應用中的內存瓶頸問題，這些
發表于 09-27 14:59
?326次閱讀
美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付
美光科技近期宣布，其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付，標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存
HBM市場全球最高市占率的地位，也標志著HBM3E技術再次引領行業潮流，特別是在滿足日益增長的人工智能服務器對高性能內存需求的背景下。
TrendForce:三星HBM3E內存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產品主要面向英偉達H
HBM上車？HBM2E被用于自動駕駛汽車
技術的獨家供應商。 ? 由于汽車對車用芯片更嚴格的品質要求，SK海力士已單獨生產專門用于汽車用途的HBM2E，這也是目前唯一一家將HBM用于汽車的公司。 ? 我們知道HBM芯片對于現今AI拉動的高
SK海力士攜手Waymo提供第三代高帶寬存儲器(HBM2E)技術
據最新消息，SK海力士正攜手Waymo，為其標志性的自動駕駛汽車項目“谷歌汽車”提供前沿的第三代高帶寬存儲器（HBM2E）技術。這一合作預示著隨著自動駕駛技術的日益普及，HBM不僅將在人工智能（AI）服務器領域大放異彩，更將逐漸滲透至汽車芯片市場，成為未來五年的熱門選擇。
英偉達2025年計劃發布Blackwell Ultra與B200A,或大幅提升HBM消耗量
根據TrendForce最新發布的HBM市場研究報告，隨著人工智能（AI）芯片技術的持續迭代升級，單顆芯片所集成的HBM（高帶寬內存）容量正顯著增長。英偉達作為HBM市場的領軍者，預計
三星HBM3e芯片量產在即，營收貢獻將飆升
三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產工作，并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露，隨著HBM3e芯
工商網監
評論