想想幾年前的全球半導(dǎo)體芯片市場,真的可謂哀嚎一片,一時間摩爾定律失效的言論可謂此起彼伏。但是在今天,我們不僅看到5nm工藝如期而至,臺積電宣布2nm獲得重大進展,就連光刻機的老大ASML也傳來捷報,全球最先進的1nm EUV光刻機業(yè)已完成設(shè)計。
ASML已完成1nm光刻機設(shè)計
近日,與ASML(阿斯麥)合作研發(fā)光刻機的比利時半導(dǎo)體研究機構(gòu)IMEC公布了3nm及以下制程的在微縮層面技術(shù)細節(jié)。具體來看,ASML對于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路線規(guī)劃,且1nm時代的光刻機體積將增大不少。
顯然,1nm光刻機需要更強大的物理極性,2nm之后需要更高分辨率的曝光設(shè)備。目前已經(jīng)投入量產(chǎn)的7nm、5nm工藝已經(jīng)引入了0.33NA的EUV曝光設(shè)備,而ASML已經(jīng)完成了0.55NA曝光設(shè)備的基本設(shè)計,預(yù)計在2022年實現(xiàn)商業(yè)化。
很高興看到摩爾定律又起效了!
責(zé)任編輯:pj
-
臺積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5742瀏覽量
169121 -
光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1163瀏覽量
48090 -
半導(dǎo)體芯片
+關(guān)注
關(guān)注
60文章
929瀏覽量
71274
發(fā)布評論請先 登錄
光刻機巨頭ASML業(yè)績暴雷,芯片迎來新一輪“寒流”?
電子直寫光刻機駐極體圓筒聚焦電極
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用
成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲,后市迎來機會
如何提高光刻機的NA值

納米壓印光刻技術(shù)旨在與極紫外光刻(EUV)競爭
組成光刻機的各個分系統(tǒng)介紹

日本首臺EUV光刻機就位

用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術(shù)介紹

評論