安森美半導(dǎo)體推出新一代1200V碳化硅二級(jí)管
高能效和可靠性在電源應(yīng)用中日益重要，尤其是為了使制造商能滿足更嚴(yán)格的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
安森美半導(dǎo)體新的650 V SUPERFETIII FAST 超級(jí)結(jié)MOSFET比市場(chǎng)上其他超級(jí)結(jié)MOSFET提供更好的開關(guān)性能，能效和系統(tǒng)可靠性更高。在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)，包括5G、電動(dòng)汽車充電樁、電信和服務(wù)器領(lǐng)域，對(duì)這些特性的要求很高。
安森美半導(dǎo)體的新一代1200 V碳化硅（SiC）二級(jí)管，符合車規(guī)AECQ101和工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，是電動(dòng)汽車充電樁及太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動(dòng)汽車車載充電器（OBC）及電動(dòng)汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器等高功率應(yīng)用的理想選擇。
與硅方案相比，SiC二極管具有明顯的優(yōu)勢(shì)，包括更高的可靠性、更低的電磁干擾（EMI）和更簡(jiǎn)單的冷卻要求。新設(shè)計(jì)具有更小的芯片尺寸和更低的電容，較第一代SiC二極管有所改進(jìn)。NVDSH20120C、NDSH20120C、NDSH50120C和NDSH50120C的正向壓降更低，額定電流增加4倍，變化率（di/dt）更高，達(dá)到3500 A/μs。更小的芯片尺寸也使F2封裝中的熱阻降低了20％。
原文標(biāo)題：新一代SUPERFET MOSFET和SiC二極管
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