Vishay Siliconix n 溝道MOSFET

超級結器件降低傳導和開關損耗

提高通信、服務器和數據中心應用能效

Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET 低 27 %，為通信、服務器和數據中心電源應用提供了高效解決方案，同時實現柵極電荷下降 60 %。從而使其柵極電荷與導通電阻乘積在同類器件中達到業內先進水平，該參數是 600 V MOSFET 在功率轉換應用中的關鍵指標(FOM)。

Vishay 豐富的 MOSFET 技術全面支持功率轉換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統。隨著 SiHK045N60E 的推出以及即將發布的第四代 600 V E 系列產品，公司可在電源系統架構設計初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數校正和硬切換 AC/DC 轉換器拓撲結構。

SiHK045N60E 采用 Vishay 最新高能效E系列超級結技術，10 V 下典型導通電阻僅為 0.043 Ω，超低柵極電荷下降到 65 nC。器件的 FOM 為 2.8 Ω*nC，比同類接近的 MOSFET 競品器件低 3.4 %。SiHK045N60E 有效輸出電容 Co(er) 為117 pF，有助于改善開關性能。這些性能參數意味著降低了傳導和開關損耗，從而達到節能效果。SiHK045N60E 結殼熱阻 RthJC 為 0.45 C/W，比接近的競品器件低 11.8 %，具有更加出色的熱性能。該器件采用 PowerPAK 10x12 封裝，符合 RoHS 標準，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值 100 % 通過 UIS 測試。

SiHK045N60E 現可提供樣品并已實現量產，供貨信息可與當地 Vishay 銷售代表聯系或發送電子郵件至 [email protected]。

原文標題：FOM 僅 2.8 Ω*nC!第四代 600V E 系列 MOSFET，傳導損耗更低

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審核編輯：湯梓紅