威世科技發布創新PowerPAK 8 x 8LR封裝功率MOSFET
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業和計算應用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
相比前代器件，Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E在性能上有了顯著提升。其導通電阻降低了27%，從而實現了更高的能效。同時，其導通電阻與柵極電荷乘積的改進，進一步提升了600 V MOSFET的性能表現。
這一創新技術的推出，無疑將推動通信、工業和計算領域的進一步發展，為這些領域帶來更高效、更可靠的解決方案。威世科技將繼續致力于技術創新，為全球客戶提供更優質的產品和服務。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
Vishay
+關注
關注
20文章
889瀏覽量
116954 -
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
351瀏覽量
22249
發布評論請先 登錄
相關推薦
HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器，采用SMT封裝技術手冊
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器，使用InGaP GaAs HBT技術，采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm（典型值），電源電壓為5V，在不同的
全新OPPO Find X8系列搭載瑞聲科技感知系統解決方案
近日，全新OPPO Find X8系列發布，帶來三款新機：夜景人像神器Find X8 Ultra，小得極致強得離譜的Find X8s，全民爆款全面煥新的Find
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創新X.PAK封裝技術
)封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的
角逐年度黑馬，鐵威馬F8 SSD Plus收入囊中！
跟大家分享一個好消息 鐵威馬F8 SSD Plus榮獲 PConline 2024智臻科技獎 《年度黑馬》獎項 撒花花~~~ 鐵威馬F8 SSD Plus 是鐵
特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R
特瑞仕半導體株式會社(日本東京都中央區 董事總經理：木村 岳史，以下簡稱“特瑞仕”)開發了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨，2024 年12 月12 日 ：Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片
發表于 12-16 14:09
?209次閱讀
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212
高通推出全新驍龍X Plus 8核平臺
在萬眾矚目的2024年柏林國際電子消費品展覽會（IFA 2024）前夕，高通技術公司震撼發布驍龍?X Plus 8核平臺，這一創新之舉不僅拓寬了驍龍
威兆半導體發布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導體震撼發布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該產品以其卓越的性能和創新的設計，
英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展，在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8
發力新能源汽車和儲能市場，威兆半導體推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日，在Elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導體正式發布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款產品采用了緊湊高效的SOT-22
Nexperia(安世)發布高性能碳化硅MOSFET，滿足工業應用增長需求
近日，全球知名的半導體制造商Nexperia(安世)半導體推出采用D2PAK-7SMD封裝的高度先進的1200V碳化硅(SiC)MOSFET。此次發布的
Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x
Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封裝的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E
工商網監
評論