威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術突破,推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業和計算應用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
相比前代器件,Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E在性能上有了顯著提升。其導通電阻降低了27%,從而實現了更高的能效。同時,其導通電阻與柵極電荷乘積的改進,進一步提升了600 V MOSFET的性能表現。
這一創新技術的推出,無疑將推動通信、工業和計算領域的進一步發展,為這些領域帶來更高效、更可靠的解決方案。威世科技將繼續致力于技術創新,為全球客戶提供更優質的產品和服務。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
Vishay
+關注
關注
20文章
889瀏覽量
117191 -
功率MOSFET
+關注
關注
0文章
352瀏覽量
22403
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?
CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑,
我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎?
使用 N-MOSFET 作為
發表于 05-28 06:51
ZSKY-ZS8N65A N溝道增強型功率MOSFET規格書
電子發燒友網站提供《ZSKY-ZS8N65A N溝道增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
發表于 05-14 15:57
?0次下載
HMC444LP4/444LP4E有源x8倍頻器,采用SMT封裝技術手冊
HMC444LP4(E)是一款有源微型x8倍頻器,使用InGaP GaAs HBT技術,采用4x4 mm無引腳表面貼裝封裝。 功率輸出為+6 dBm(典型值),電源電壓為5V,在不同的

搭載索尼CIS和丹霞原彩鏡頭,OPPO Find X8 Ultra這次到底有何不同?
4月10日晚間,中國手機大廠OPPO發布了Find X8系列,包括Find X8s、FindX8s+和 Find X8 Ultra。其中Fi

全新OPPO Find X8系列搭載瑞聲科技感知系統解決方案
近日,全新OPPO Find X8系列發布,帶來三款新機:夜景人像神器Find X8 Ultra,小得極致強得離譜的Find X8s,全民爆款全面煥新的Find
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術
)封裝技術,稱為X.PAK。這種封裝技術的創新之處在于其頂面冷卻設計,使得設備在高功率應用中能夠有效散熱,極大地提升了整體性能。新推出的

角逐年度黑馬,鐵威馬F8 SSD Plus收入囊中!
跟大家分享一個好消息 鐵威馬F8 SSD Plus榮獲 PConline 2024智臻科技獎 《年度黑馬》獎項 撒花花~~~ 鐵威馬F8 SSD Plus 是鐵

特瑞仕推出功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R
特瑞仕半導體株式會社(日本東京都中央區 董事總經理:木村 岳史,以下簡稱“特瑞仕”)開發了功率MOSFET XPJ101N04N8R和XPJ102N09N8R作為
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片
發表于 12-16 14:09
?249次閱讀
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CCPAK1212
高通推出全新驍龍X Plus 8核平臺
在萬眾矚目的2024年柏林國際電子消費品展覽會(IFA 2024)前夕,高通技術公司震撼發布驍龍?X Plus 8核平臺,這一創新之舉不僅拓寬了驍龍
威兆半導體發布新一代高性能SiC MOSFET
在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上,威兆半導體震撼發布了其全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET——HCF2030MR70KH0,該產品以其卓越的性能和創新的設計,
英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列
英飛凌再次引領行業潮流,最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列,以其卓越的技術創新和卓越性價比,在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領著全球高壓超級結MOSFET技術的發展,在全球范圍內樹立了技術和性價比標準。CoolMOS8

發力新能源汽車和儲能市場,威兆半導體推出新一代700V SiC MOSFET
8月27日,在Elexcon2024深圳國際電子展上,威兆半導體正式發布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款產品采用了緊湊高效的SOT-22

評論