疫情之下，整個上海嚴陣以待，各大工廠都深受影響。然而在此期間，季豐電子閔行MA實驗室全體員工自愿堅守在公司廠區(qū)，在保障客戶測試需求的前提下，還對先進工藝產(chǎn)品進行了重點分析與研究。

隨著半導體先進工藝的關鍵尺寸不斷減小， TEM樣品制備、照片拍攝與成分解析的難度越來越高，非常考驗機臺的性能和工程師的經(jīng)驗與能力。季豐電子MA團隊解剖了iPhone 11系列搭載的A13芯片——一探臺積電7 nm技術節(jié)點產(chǎn)品的奧秘。

以下為A13芯片7 nm工藝的TEM剖析效果展示。

結合STEM模式下的HAADF像和BF像，可以清晰區(qū)分大部分的膜層結構，但是需準確地了解每層結構的成分信息，必須進行進一步的成分分析。當膜層結構又小又多，同時又沒有相應的layout情況下，準確判斷合適的停刀位與保持樣品的平整度是TEM制樣的難點。

TEM搭載的EDS能譜儀是目前納米級微區(qū)成分分析的強有力手段。它可以很好的剖析各個膜層的元素構成與分布，從而有利于反推工藝生長過程。EDS分析結果顯示，7 nm制程與14 nm制程在某些金屬層存在明顯的差異。

透射電鏡的優(yōu)勢之一是于特定晶向下的高分辨成像。左側圖為Fin的高分辨像，中間圖是Fin頂端的數(shù)碼放大圖，右側圖為Fin的EDS成分分析。由高分辨像可以看到單晶Si的周期性晶格排布，而其外層的HK則是以非晶形式存在。同時，由于Talos F200i不具備物鏡球差校正器，高分辨像中仍可見局部的離域襯度。更值得注意的是，通過高分辨像已無法區(qū)分HKMG中各膜層的分布了，而是必須借助成分分析加以區(qū)分HKMG各膜層（右側圖）。

季豐電子MA實驗室，我們擁有半導體行業(yè)精英級別的團隊。團隊以精益求精的態(tài)度，通過最合適設備的合理組合完成了以往只有使用高端設備才能達到的效果，通過專業(yè)的指導與分析，在不斷地失敗—再嘗試后，最終成功突破了機臺預設的極限，獲得了臺積電7 nm技術節(jié)點的高質(zhì)量照片與完整的EDS分析結果。

（注：由于版幅有限，若需更多、更高清照片與完整EDS分析結果，請聯(lián)系我司業(yè)務人員）

好了，今天的分享暫時就到這里。季豐電子MA團隊將進一步剖析更為先進的5nm工藝，敬請期待。季豐電子致力于為客戶提供全方位、高品質(zhì)的測試結果，疫情之下，我們共同堅守。

審核編輯 ：李倩