派恩杰半導(dǎo)體EZ1B封裝模塊測(cè)試評(píng)估板

Easy 1B 封裝是一種間接冷卻模塊設(shè)計(jì)，適用于印刷電路板 （PCB），它也是用于工業(yè)和汽車市場(chǎng)惡劣環(huán)境的理想封裝。

派恩杰設(shè)計(jì)專用測(cè)試評(píng)估板可以對(duì)模塊進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)，通過(guò)外部PWM信號(hào)控制還可以實(shí)現(xiàn)功率加載測(cè)試，其外觀以及相應(yīng)引腳定義如下所示：

EZ1B封裝模塊測(cè)試評(píng)估板

測(cè)試原理

雙脈沖信號(hào)可以使用可編程信號(hào)發(fā)生器或微控制器/ DSP板生成。由于該測(cè)試涉及高開(kāi)關(guān)應(yīng)力和高電流，建議將雙脈沖測(cè)試柵極信號(hào)設(shè)置為單觸發(fā)模式或使用較長(zhǎng)的重復(fù)周期（例如>50-100ms），以避免測(cè)試過(guò)程中電壓應(yīng)力過(guò)大。

按照以下說(shuō)明快速開(kāi)始評(píng)估分SiC 模塊，所需設(shè)備和部件如下：

? 帶寬為500MHz 或更高的四通道示波器

?高帶寬（500MHz或更高）無(wú)源探頭測(cè)試Vgs

?高帶寬（500MHz）高壓探頭（>1200V）測(cè)試Vds

?高帶寬 （500MHz） 電流同軸分流器，用于測(cè)試設(shè)備電流 ID

?用于電感電流測(cè)量的交流/直流電流探頭

?12V 直流電源

?能夠產(chǎn)生測(cè)試脈沖的信號(hào)發(fā)生器

?高壓電源（0-1000VDC），帶電流限制。

?外接功率電感器（推薦空心電感器50-200uH）

用于低邊開(kāi)關(guān)QD2測(cè)試的雙脈沖測(cè)試電路如所示，啟動(dòng)過(guò)程如下：

1. 將 DUT 和同軸分流器安裝到評(píng)估板上。

2. 將跳線設(shè)置為所需的電源電壓，將Drv_Enable信號(hào)設(shè)置為低電平。

3.連接電源（最高800V），輔助電源12V（0.3A）和鉗位電感。函數(shù)發(fā)生器連接到JM7（PWML），PWMH的信號(hào)（JM2的引腳5）應(yīng)連接到GND。

4. 插入所需的探頭（電壓/電流）。

5. 在可編程信號(hào)發(fā)生器中編輯雙脈沖波形。使用公式IL=（Vbus*τ1）/L計(jì)算第一個(gè)脈沖的脈沖寬度，然后用示波器測(cè)試雙脈沖。

6.上電：打開(kāi)高壓電源的輸出。從低電壓開(kāi)始，慢慢地使電壓上升，直到達(dá)到所需的高電壓。在斜坡期間，密切觀察示波器上的電壓和電流波形。

7.測(cè)試：根據(jù)要求進(jìn)行雙脈沖測(cè)試。

8. 斷電：測(cè)試完成后，將高壓電源電壓緩慢降至0V，然后關(guān)閉輸出。之后，關(guān)閉12V偏置電源和信號(hào)發(fā)生器輸出。

PAIA1250AM

測(cè)試結(jié)果

測(cè)試波形如下所示， PNJ的PAIA1250AM（L=100uH，Rg=8.2Ω，Vgs=+15V/-3V）在800V/50A下雙脈沖測(cè)試的硬開(kāi)關(guān)波形：

開(kāi)關(guān)損耗如下所示：

加載效率測(cè)試情況如下所示，PNJ的PAIA1250AM在BUCK模式下，將占空比設(shè)置為0.5，輸入為800V，輸出為400V（外部LC，L=1mH，C=80uF;Rg=5.1Ω，Vgs=+15V/-3V，fs=65/100KHz，死區(qū)時(shí)間=200ns）

第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料前沿技術(shù)探討交流平臺(tái)，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。所有內(nèi)容都是SiC/GaN功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體創(chuàng)始人黃興博士和派恩杰工程師原創(chuàng)。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術(shù)總監(jiān)

美國(guó)北卡州立大學(xué)博士，師承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE終身會(huì)員，美國(guó)科學(xué)院院士，IGBT發(fā)明者，奧巴馬授予國(guó)家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)拢┡cDr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 發(fā)射極關(guān)斷晶閘管（ETO）的發(fā)明者）。10余年碳化硅與氮化鎵功率器件經(jīng)驗(yàn)，在世界頂尖碳化硅實(shí)驗(yàn)室參與美國(guó)自然科學(xué)基金委FREEDM項(xiàng)目、美國(guó)能源部Power America項(xiàng)目，曾任職于Qorvo Inc.、聯(lián)合碳化硅。2018年成立派恩杰半導(dǎo)體，立志于幫助中國(guó)建立成熟的功率器件產(chǎn)業(yè)鏈。

派恩杰半導(dǎo)體

成立于2018年9月的第三代半導(dǎo)體功率器件設(shè)計(jì)和方案商，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)JC-70會(huì)議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導(dǎo)體功率器件國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)新能源整車廠和Tier 1，其余產(chǎn)品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級(jí)計(jì)算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲(chǔ)能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

審核編輯 ：李倩