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用于CoolSiC MOSFET
FF6MR20W2M1H_B70的
雙脈沖測試評估板
評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC SiC MOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電,ESS PFC,直流-直流變換器和太陽能等。
這是一個用于測試半橋配置的2kV CoolSiC EasyDUAL 2B MOSFET的雙脈沖測試評估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER驅動2kV SiC半橋電路。
產品型號:
■EVAL-FFXMR20W2M1HS
■EVAL-FFXMR20W2M1HR
所用器件:
■FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET
■1ED3890MC12M 2300V單通道高度靈活的隔離柵極驅動器,可通過I2C配置DESAT、軟關斷、UVLO、米勒鉗位、TLTO和故障
產品特點
用于評估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半橋模塊,采用CoolSiC溝槽柵SiC MOSFET技術
驅動IC 1ED3890MC12M帶I2C總線,用于參數調整
用于雙脈沖測試的大容量直流母線電容器
有兩種版本,可選擇使用Rogowski線圈或同軸分流器進行電流測量
應用價值
132 μF板載大容量薄膜電容
壓接式FF6MR20W2M1H模塊
負柵極驅動電壓可以調整
框圖
應用領域
電動汽車充電
ESS PFC
直流-直流變換器
太陽能應用
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