如果 SRAM 縮放不可行，未來的芯片性能可能會受到阻礙。

幾乎所有處理器都依賴某種形式的 SRAM 緩存。緩存作為一種高速存儲解決方案，由于其緊鄰處理核心的戰(zhàn)略位置，訪問時間非常快。擁有快速且可訪問的存儲可以顯著提高處理性能，并減少核心工作所浪費的時間。 在第 68 屆年度 IEEE 國際 EDM 會議上，臺積電揭示了 SRAM 縮放方面的巨大問題。該公司正在為 2023 年開發(fā)的下一個節(jié)點 N3B 將包括與其前身 N5 相同的 SRAM 晶體管密度，后者用于 AMD 的Ryzen 7000 系列等 CPU 。 目前正在為 2024 年開發(fā)的另一個節(jié)點 N3E 并沒有好多少，其 SRAM 晶體管尺寸僅減少了 5%。

根據(jù) WikiChip 的一份報告，討論了半導體行業(yè)中 SRAM 收縮問題的嚴重性。臺積電的 SRAM Scaling 已經(jīng)大幅放緩。臺積電報告說，盡管邏輯晶體管密度繼續(xù)縮小，但其 SRAM 晶體管的縮放比例已經(jīng)完全趨于平穩(wěn)，以至于 SRAM 緩存在多個節(jié)點上保持相同的大小。它會迫使處理器 SRAM 緩存在微芯片芯片上占用更多空間。這反過來可能會增加芯片的制造成本，并阻止某些微芯片架構(gòu)變得盡可能小。 對于未來的 CPU、GPU 和 SoC 來說，這是一個主要問題，由于 SRAM 單元面積縮放緩慢，它們可能會變得更加昂貴。

SRAM 縮放速度變慢

臺積電在今年早些時候正式推出其 N3 制造技術時表示，與其 N5（5 納米級）工藝相比，新節(jié)點的邏輯密度將提高 1.6 倍和 1.7 倍。它沒有透露的是，與 N5 相比，新技術的 SRAM 單元幾乎無法縮放。根據(jù) WikiChip，它從臺積電在國際電子設備會議 (IEDM) 上發(fā)表的一篇論文中獲得信息TSMC 的 N3 具有 0.0199μm2 的 SRAM 位單元尺寸，與 N5 的 0.021μm2SRAM 位單元相比僅小約 5%。改進后的 N3E 變得更糟，因為它配備了 0.021 μm2 SRAM 位單元（大致相當于 31.8 Mib/mm2），這意味著與 N5 相比根本沒有縮放。 同時，英特爾的 Intel 4（最初稱為 7nm EUV）將 SRAM 位單元大小從 0.0312μm2 減少到 0.024μm2，對于 Intel 7（以前稱為 10nm Enhanced SuperFin），我們?nèi)栽谡務?27.8 Mib/mm 2，這有點落后于 TSMC 的 HD SRAM 密度。 此外， WikiChip 回憶起 Imec 的演示文稿，該演示文稿顯示在帶有分支晶體管的“超過 2nm 節(jié)點”上的 SRAM 密度約為 60 Mib/mm2。這種工藝技術還需要數(shù)年時間，從現(xiàn)在到那時，芯片設計人員將不得不開發(fā)具有英特爾和臺積電宣傳的 SRAM 密度的處理器。

現(xiàn)代芯片中的 SRAM 負載

現(xiàn)代 CPU、GPU 和 SoC 在處理大量數(shù)據(jù)時將大量 SRAM 用于各種緩存，從內(nèi)存中獲取數(shù)據(jù)效率極低，尤其是對于各種人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 工作負載。但是現(xiàn)在即使是智能手機的通用處理器、圖形芯片和應用處理器也帶有巨大的緩存：AMD 的 Ryzen 9 7950X 總共帶有 81MB 的緩存，而 Nvidia 的 AD102 使用至少 123MB 的 SRAM 用于 Nvidia 公開披露的各種緩存。 展望未來，對緩存和 SRAM 的需求只會增加，但對于 N3（將僅用于少數(shù)產(chǎn)品）和 N3E，將無法減少 SRAM 占用的裸片面積并降低新的更高成本節(jié)點與 N5 相比。從本質(zhì)上講，這意味著高性能處理器的裸片尺寸將會增加，它們的成本也會增加。同時，就像邏輯單元一樣，SRAM 單元也容易出現(xiàn)缺陷。在某種程度上，芯片設計人員將能夠通過 N3 的 FinFlex 創(chuàng)新（在一個塊中混合和匹配不同種類的 FinFET 以優(yōu)化其性能、功率或面積）來減輕更大的 SRAM 單元。 臺積電計劃推出其密度優(yōu)化的 N3S 工藝技術，與 N5 相比，該技術有望縮小 SRAM 位單元的尺寸，但這將在 2024 年左右發(fā)生，我們想知道這是否會為 AMD、Apple 設計的芯片提供足夠的邏輯性能，英偉達和高通。

緩解措施

在成本方面緩解 SRAM 區(qū)域擴展放緩的方法之一是采用多小芯片設計，并將較大的緩存分解為在更便宜的節(jié)點上制造的單獨裸片。這是 AMD 對其 3D V-Cache 所做的事情，盡管原因略有不同。另一種方法是使用替代內(nèi)存技術，如 eDRAM 或 FeRAM 用于緩存，盡管后者有其自身的特點。 無論如何，在未來幾年，基于 FinFET 節(jié)點的 3nm 及更高節(jié)點的 SRAM 縮放速度放緩似乎是芯片設計人員面臨的主要挑戰(zhàn)。

編輯：黃飛