在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

基于印刷方式下的微孔填充工藝的HTCC金屬化技術

jf_tyXxp1YG ? 來源:《電子工業專用設備》 ? 2022-12-22 15:22 ? 次閱讀

摘 要

Abstract

本文介紹了基于印刷方式下的微孔填充工藝的HTCC金屬化技術, 詳細介紹了印刷填孔工藝在HTCC金屬化的應用及國內印刷填孔設備。并將此印刷填孔工藝廣泛應用于HTCC行業的陶瓷金屬化, 取得了很好的實際應用效果。

0 引 言

高溫共燒陶瓷 (High Temperature co-fired Ceramic, HTCC) 是一種采用材料為鎢、鉬、錳等高熔點金屬發熱電阻漿料, 按照發熱電路設計的要求印刷于92%~96%的氧化鋁流延陶瓷生坯上, 并通過4%~8%的燒結助劑多層疊合, 在1 500~1 600℃的高溫下共燒成一體的多層陶瓷制造技術。具有耐腐蝕、耐高溫、壽命長、高效節能、溫度均勻、導熱性能良好、熱補償速度快等優點, 而且不含鉛、鎘、汞、六價鉻、多溴聯苯、多溴二苯醚等有害物質, 符合歐盟RoHS等環保要求。

因燒結溫度高, HTCC不能采用金、銀、銅等低熔點金屬材料, 必須采用鎢、鉬、錳等難熔金屬材料, 這些材料電導率低, 會造成信號延遲等缺陷, 所以不適合做高速或高頻微組裝電路的基板。但是, 由于HTCC基板具有結構強度高、熱導率高、化學穩定性好和布線密度高等優點, 因此在大功率微組裝電路中具有廣泛的應用前景。

印刷填孔過程是陶瓷金屬化及片式元件行業生產工藝流程中的重要環節之一, 近幾年隨著HTCC技術在電子、通訊、汽車、計算機和醫療等領域的廣泛應用, 精密印刷填孔設備在國內也得到了大力發展。圖1為典型的HTCC基板示意圖, 由此可知采用HTCC工藝制作的基板具有可實現集成電路芯片封裝、內埋置無源元件及高密度電路組裝的功能。

d97f441a-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖1 HTCC基板示意圖

1 HTCC技術工藝流程

HTCC與LTCC技術工藝流程非常相似, 典型的HTCC生產工藝流程包括漿料制備→流延成膜→切片→打孔→微孔填充→印制電極→印制無源元件→單層檢測→疊片→熱壓→切片 (批量生產) →排膠燒結→產品檢測等過程, 圖2為HTCC基板制造的工藝示意圖。

d9b1c96c-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖2 HTCC生產工藝示意圖

陶瓷的金屬化包括單層的表面金屬化和層與層間的金屬化。單層陶瓷的金屬化, 是在陶瓷表面牢固地粘附一層金屬薄膜, 使之實現陶瓷和金屬間的焊接, 在陶瓷表面形成電路, 不僅可以焊接, 而且能夠作為導線傳輸電流, 這種工藝采用印刷的方法。

HTCC多層基板互連通孔是通過微孔填充的方法形成的, 主要是對打孔后的生瓷片通孔完成金屬漿料填充, 達到電氣互聯導通目的, 最近幾年新開發的一種工藝是在在微孔中注漿并抽空心, 形成空心孔。實心孔與空心孔本質是實現層與層之間的連接的方式, 目前已經處于實際應用階段。

本文著重介紹在HTCC金屬化方面應用廣泛的微孔填充工藝, 并介紹填孔工藝的國內相關設備。

2 填孔工藝在HTCC金屬化的應用

2.1 填孔工藝

通孔填充是HTCC技術的關鍵工藝之一, 陶瓷基片層與層之間的連接填孔工藝, 即微孔填充工藝, 之前多采用擠壓方式, 由于經過長時間的擠壓作用, 漿料中的有機溶劑會大量揮發, 導致漿料粘度不斷增大, 觸變性變差, 填孔變得越來越難, 而且精度差、效率低, 這種工藝目前基本被淘汰。

LTCC微孔填充多采用印刷填孔的方式, 通過刮刀的運動將漿料壓入微孔中, 如圖3所示。填孔工作臺是采用多孔陶瓷, 工作時工作臺下面用真空機抽成負壓, 且在工作臺和填孔基片之間放一張濾紙, 防止金屬漿料從通孔漏到工作臺上。填孔絲網網版一般采用不銹鋼制作, 網版上的孔徑應略小于生瓷帶上通孔的孔徑, 這樣可提高盲孔的形成率。

d9da8776-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖3 LTCC填孔過程示意圖

在實際生產過程中填孔壓力根據漿料的種類和基板厚度不同, 所需壓力也不相同。在LTCC領域, 目前常規生瓷片的厚度為0.127 mm, 采用的漿料為銀漿, 黏度為2 800 Pa·s, 黏度值相對較低, 需要的填孔壓力在100~200 N之間, 采用印刷的方式可以完成。隨著基板厚度增加, 就需要更大的填孔壓力, 基板厚度與填孔直徑之比小于1.2時工藝性較好, 如果大于1.2, 工藝性就變差, 且填孔壓力隨之增加, 因此填孔設備需兼容不同厚度基板, 并適應不同黏度的填充漿料。

2.2 HTCC印刷填孔工藝及相關設備

在HTCC技術領域, 由于所采用的漿料大部分為熔點很高的鎢漿, 漿料黏度變為10 000 Pa·s以上, 黏度很高, 采用印刷的方式需要很高的壓力。同樣以0.127 mm厚度為例, 印刷壓力則達到1 000 N, 這就需要特殊的填孔機。

填孔的原理如圖4所示, 在刮刀向右運動時帶動漿料向右運動, 同時刮刀的壓力施加于漏板, 將漿料以很大壓力壓入漏板的孔中, 多孔陶瓷臺通過透氣紙從生瓷片底部抽真空, 有助于漿料填充在整個微孔的圓柱空腔里。下面的板從上到下依次為漏板、生瓷片、透氣紙及多孔陶瓷臺。

d9ff598e-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖4 HTCC填孔過程示意圖

影響HTCC印刷填孔質量的主要因素是, 除填孔設備滿足產品所需的技術指標要求外, 影響填孔質量的主要工藝參數有填孔壓力與速度、刮刀角度與硬度以及真空負壓與拖網延時等。

2.2.1 填孔壓力與速度 微孔填充過程中, 如果使用填孔漿料黏度較大, 一般對應的填孔壓力可達600 N以上, 填孔速度一般在20~50 mm/s之間, 并且保證基片通孔被擠壓填滿后邊沿漿料外邊沒有滲漏。而如果壓力太小或速度太快可能會導致所填基片通孔內部不飽滿, 燒結后影響導通效果。 2.2.2刮刀角度與硬度 在印刷填孔過程中刮刀角度如圖4所示, 且填孔刮刀的硬度一般為肖氏硬度70~90。 2.2.3 真空負壓與脫網延時

在基片填孔過程中多采用多孔陶瓷作為工作臺面, 這樣盡量保證真空負壓均勻, 而真空負壓的大小主要取決于所用漿料的黏度以及臺面紙的透氣性, 如果真空負壓太大會使填到基片通孔中的漿料被吸掉很大一部分, 導致填孔正面塌陷;如果真空負壓太小, 會使填孔底面漿料不夠飽滿;拖網延時也是影響填孔效果的一個重要參數, 拖網太快可能會導致所填漿料被帶出一部分, 一般大于1 s。

國內生產的填孔設備已達到國際先進水平, 完全滿足目前國內填孔工藝的要求。圖5為國內HTCC行業的某主流品牌自動對準填孔設備。采用印刷填孔的方式主要具有以下優點:

(1) 對準精度高;采用兩個高分辨率的CCD相機識別位置, 配以高精度三維運動工作臺校正位置, 對準精度可達10μm。以目前的填孔工藝, 最小孔徑準75μm, 可滿足定位要求。

(2) 填孔壓力大小精密可調;采用比例閥和精密減壓閥相結合的方式調節填孔壓力, 壓力精度可到1 N。

(3) 填孔精度高;采用平面度高及透氣性好的陶瓷工作臺吸附生瓷片, 工作臺與漏板的平行度優于30μm, 保證填孔的一致性。

(4) 效率高;采用自動上、下料的模式, 實現了自動化生產, 提高了效率。

da2cc2c0-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖5 TY-360型自動對準填孔機

目前主流工藝中HTCC組件微孔填充的孔徑大小都在準100μm, 而未來幾年主流工藝微孔填充大小在準30~50μm以內, 孔徑變化趨勢越來越小, 要求設備的印刷壓力越來越大 (1 200 N) 。

圖6為HTCC基片填孔的效果圖。填孔孔徑準75μm, 壓力1 000 N, 采用0.127 mm厚度的生瓷片。

da5146a4-8123-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖6 HTCC基片孔徑準75μm放大30倍圖

3 結 論

文中介紹了基于印刷方式下的微孔填充工藝的HTCC金屬化技術, 詳細介紹了印刷填孔工藝在HTCC金屬化的應用及國內印刷設備。并將此印刷填孔工藝廣泛應用于HTCC行業的陶瓷金屬化, 取得了很好的實際應用效果。

審核編輯 :李倩

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電路設計
    +關注

    關注

    6701

    文章

    2531

    瀏覽量

    213713
  • 熱導率
    +關注

    關注

    0

    文章

    44

    瀏覽量

    9419

原文標題:微孔填充工藝在HTCC金屬化方面的研究

文章出處:【微信號:中科聚智,微信公眾號:中科聚智】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    微孔霧化技術自動掃頻追頻-集成芯片

    1K赫茲范圍。 2025年新出的微孔霧化集成芯片(型號LX8201-0B),因為其獨特的掃頻/追頻技術,能更加精準匹配到微孔陶瓷片的最佳諧振頻率,掃頻精度能低于200赫茲;芯片控制的微孔
    發表于 05-28 11:23

    溝槽填充技術介紹

    (void),溝槽的填充工藝技術也不斷發展。從圖中可見,集成電路芯片的制造過程中包含很多種填充技術上的挑戰,包括淺溝槽隔離、接觸孔和溝槽。根據填充
    的頭像 發表于 05-21 17:50 ?201次閱讀
    溝槽<b class='flag-5'>填充</b><b class='flag-5'>技術</b>介紹

    最全最詳盡的半導體制造技術資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

    第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻:氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻:對準和曝光 第15章 光刻:光刻膠顯影和先進的光刻技術 第16章
    發表于 04-15 13:52

    陶瓷基板五大工藝技術深度剖析:DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC的卓越表現

    在電子封裝技術的快速發展中,陶瓷基板因其出色的電絕緣性、高熱導率和良好的機械性能,成為了高端電子設備中不可或缺的關鍵材料。為了滿足不同應用場景的需求,陶瓷基板工藝技術不斷演進,形成了DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC這五
    的頭像 發表于 03-31 16:38 ?915次閱讀
    陶瓷基板五大<b class='flag-5'>工藝技術</b>深度剖析:DPC、AMB、DBC、<b class='flag-5'>HTCC</b>與LTCC的卓越表現

    效率突破24.32%!江蘇大學J Mater Sci發文:雙面鍍銅金屬化n-TOPCon太陽能電池的穩定性研究

    太陽能電池金屬化。鍍銅接觸在成本上具有優勢,但存在可靠性問題,研究發現優化鍍銅工藝制備的太陽能電池效率比傳統絲網印刷銀漿工藝更高,且在濕熱和熱循環測試中表現出良好穩定性。
    的頭像 發表于 03-26 09:04 ?654次閱讀
    效率突破24.32%!江蘇大學J Mater Sci發文:雙面鍍銅<b class='flag-5'>金屬化</b>n-TOPCon太陽能電池的穩定性研究

    LOXIM微孔霧化驅動集成電路_芯片LX8201-0B

    的封裝方式,結合標準外圍電路,能有效驅動控制市?上各種微孔霧化?;基于獨特的電路設計和軟件追頻技術,其在功耗以及成本上均具有明顯的優勢。 (芯片) (封裝尺寸圖) (標準外部電路圖) 該技術
    發表于 02-26 11:24

    集成電路工藝中的金屬介紹

    本文介紹了集成電路工藝中的金屬。 集成電路工藝中的金屬 概述 在芯片制造領域,金屬化這一關鍵環節指的是在芯片表面覆蓋一層
    的頭像 發表于 02-12 09:31 ?1170次閱讀
    集成電路<b class='flag-5'>工藝</b>中的<b class='flag-5'>金屬</b>介紹

    美能網版智能影像測試儀亮相N型高效電池大會,彰顯電池金屬化技術應用優勢

    2025年1月10日,在江蘇無錫舉辦的第三屆N型高效電池與金屬化技術大會上,美能光伏攜帶其新品——網版智能影像測試儀亮相,吸引了眾多參會者的目光。公司產品經理胡超在大會上進行了主題分享,全面展示了該
    的頭像 發表于 01-11 09:05 ?459次閱讀
    美能網版智能影像測試儀亮相N型高效電池大會,彰顯電池<b class='flag-5'>金屬化</b><b class='flag-5'>技術</b>應用優勢

    改進絲網印刷工藝,晶硅太陽能電池正面銀電極金屬化效率高達22.1%

    傳統的平面絲網印刷是大規模生產晶硅太陽能電池的主要金屬化方法,因其生產能力強和成本效益高。光伏行業要求進一步減小印刷銀電極(接觸指)的寬度,需要新的優化。使用細線絲網(屏幕開口寬度低至15μm)對晶
    的頭像 發表于 12-27 09:03 ?1149次閱讀
    改進絲網<b class='flag-5'>印刷工藝</b>,晶硅太陽能電池正面銀電極<b class='flag-5'>金屬化</b>效率高達22.1%

    金屬層1工藝的制造流程

    金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線,第一層金屬互連線的目的是實現把不同區域的接觸孔連起來,以及把不同區域的通孔1連起來。第一金屬層是大馬士
    的頭像 發表于 11-15 09:12 ?866次閱讀
    <b class='flag-5'>金屬</b>層1<b class='flag-5'>工藝</b>的制造流程

    金屬層2工藝是什么

    金屬層2(M2)工藝金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層
    的頭像 發表于 10-24 16:02 ?766次閱讀
    <b class='flag-5'>金屬</b>層2<b class='flag-5'>工藝</b>是什么

    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點金屬化層上的潤濕反應

    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點金屬化層上的潤濕反應涉及多個方面,以下是對這一過程的詳細分析: 我們對4種不同的共晶焊料(SnPb、SnAg、SnAgCu 和 SnCu)在電鍍制備的厚Cu(15 μm)UBM層上的反應進行比較分析。
    的頭像 發表于 08-12 13:08 ?600次閱讀
    無鉛共晶焊料在厚Cu凸點<b class='flag-5'>下</b><b class='flag-5'>金屬化</b>層上的潤濕反應

    芯片底部填充工藝流程有哪些?

    芯片底部填充工藝流程有哪些?底部填充工藝(Underfill)是一種在電子封裝過程中廣泛使用的技術,主要用于增強倒裝芯片(FlipChip)
    的頭像 發表于 08-09 08:36 ?2251次閱讀
    芯片底部<b class='flag-5'>填充</b><b class='flag-5'>工藝</b>流程有哪些?

    金屬化薄膜電容氧化時方阻會變大嗎

    金屬化薄膜電容器的氧化會導致其表面形成一層氧化物膜。這層氧化物膜通常是絕緣性質的,且比金屬本身的電導率低。因此,當金屬化薄膜電容器表面發生氧化時,這層氧化物膜會增加電容器的表面電阻(表面方阻),從而
    的頭像 發表于 08-05 14:13 ?1056次閱讀

    底部填充工藝在倒裝芯片上的應用

    底部填充工藝在倒裝芯片(FlipChip)上的應用是一種重要的封裝技術,旨在提高封裝的可靠性和延長電子產品的使用壽命。以下是該工藝的主要應用和優勢:增強可靠性:倒裝芯片封裝中的焊點(常
    的頭像 發表于 07-19 11:16 ?1192次閱讀
    底部<b class='flag-5'>填充</b><b class='flag-5'>工藝</b>在倒裝芯片上的應用
    主站蜘蛛池模板: 欧美一级视频免费 | 日本一本一道久久香蕉免费 | 天天草夜夜操 | 性黄视频 | 很黄很黄叫声床戏免费视频 | 亚洲成a人片毛片在线 | 一级 黄 色 毛片 | 欧美成人性色 | 精品国产麻豆免费人成网站 | 午夜国产精品理论片久久影院 | 婷婷色网 | 天天综合天天色 | 国产亚洲卡二卡3卡4卡乱码 | 日本黄色片免费看 | 国产午夜免费一区二区三区 | 狠狠色丁香久久综合婷婷 | 高清色| 亚洲综合激情另类专区 | 大又大粗又爽又黄少妇毛片 | 国产专区青青草原亚洲 | 美女喷白浆 | sss欧美华人整片在线观看 | 在线观看亚洲成人 | 一级毛片一级毛片一级毛片aa | 一级毛片免费毛片一级毛片免费 | 五月激情啪啪网 | 8888奇米四色在线 | 亚洲精品视频网 | 国内精品久久久久影院男同志 | 久久国产精品99久久久久久牛牛 | 天天av天天翘天天综合网 | 黑人破乌克兰美女处 | 一级a级国产不卡毛片 | 亚洲 另类色区 欧美日韩 | 日韩天天干| 永久网站色视频在线观看免费 | 四虎影院黄色片 | 国产天堂网 | 国产一卡二卡3卡4卡四卡在线视频 | 日日操夜夜操天天操 | 日本不卡在线一区二区三区视频 |