金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第一層金屬或者第三層金屬連接起來。

1）M2 光刻處理。通過微影技術(shù)將 M2掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，形成 M2 光刻膠圖案，M2 區(qū)域上保留光刻膠。VIA1作為M2光刻曝光對準(zhǔn)。圖4-113所示為電路的版圖，與圖4-108比較，它多一層 M2，工藝的剖面圖是沿 AA"方向。圖4-114所示為 M2 光刻的剖面圖。圖4-115所示為M2顯影的剖面圖。

2）量測 M2光刻的關(guān)鍵尺寸。

3）量測M2 的套刻，收集曝光之后的M2 光刻與VIA1 的套刻數(shù)據(jù)。

4）檢查顯影后曝光的圖形。

5）M2 干法刻蝕。利用干法刻蝕去除沒有被光刻膠覆蓋的金屬，保留有光刻膠區(qū)域的金屬形成金屬互連線。刻蝕的氣體是Cl2。刻蝕最終停在氧化物上，終點偵查器會偵查到刻蝕氧化物的副產(chǎn)物。圖4-116所示為 M2刻蝕的剖面圖。

6）去除光刻膠。除了前面提到的干法刻蝕利用氧氣形成等離子漿分解大部分光刻膠，還要通過濕法刻蝕利用有機溶劑去除金屬刻蝕殘留的氯離子，因為氯離子會與空氣接觸形成HCI 腐蝕金屬。圖4-117所示為去除光刻膠后的剖面圖。

7）量測M2 刻蝕關(guān)鍵尺寸。

8）淀積SiO2。通過 PECVD 淀積一層厚度約為1000A的SiO2。淀積的方式是利用 TEOS在400°C發(fā)生分解反應(yīng)形成二氧化硅淀積層。SiO2可以保護金屬，防止后續(xù)的 HDP CVD 工藝損傷金屬互連線。圖4-118所示為淀積 SiO2的剖面圖。