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PowerPAIR? 3x3FS封裝,30V對稱雙通道MOSFET

jf_69883107 ? 來源:jf_69883107 ? 作者:jf_69883107 ? 2023-02-06 15:34 ? 次閱讀

Vishay TrenchFET? Gen V MOSFET

節省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63%

有助于減少元器件數量并簡化設計

Vishay 推出兩款新型 30 V 對稱雙通道 n 溝道功率 MOSFET,將高邊和低邊 TrenchFET? Gen V MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS 單體封裝中。

Vishay Siliconix

SiZF5300DT

SiZF5302DT

適用于計算和通信應用功率轉換,在提高能效的同時,減少元器件數量并簡化設計。

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日前發布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件,節省 50% 基板空間,同時占位面積比 PowerPAIR 6x5F 封裝雙片 MOSFET 減小 63%。MOSFET 為 USB-C 電源筆記本電腦、服務器、直流冷卻風扇和通信設備同步降壓轉換器、負載點(POL)轉換電路和 DC/DC 模塊設計人員提供節省空間解決方案。這些應用中,SiZF5302DT高低邊 MOSFET 提供了 50% 占空比和出色能效的優質效果,特別是在 1 A 到 4 A 電流條件下。找正品元器件,上唯樣商城。而SiZF5300DT則是 12 A 到 15 A 重載的理想解決方案。

SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 利用 Vishay 的 30 V Gen V 技術實現優異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V 和 4.5 V 下典型導通電阻分別為 2.02 mΩ 和 2.93 mΩ, SiZF5302DT 相同條件下導通電阻分別為 2.7 mΩ 和 4.4 mΩ。兩款 MOSFET 4.5 V 條件下典型柵極電荷分別為 9.5 nC 和 6.7 nC。超低導通電阻與柵極電荷乘積,即 MOSFET 功率轉換應用重要優值系數(FOM),比相似導通電阻的前代解決方案低 35 %。高頻開關應用效率提高 2%,100 W 能效達到 98%。

與前代解決方案對比

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器件采用倒裝芯片技術增強散熱能力,獨特的引腳配置有助于簡化 PCB 布局,支持縮短開關回路,從而減小寄生電感。SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 經過 100% Rg 和 UIS 測試,符合 RoHS 標準,無鹵素。

器件規格表

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審核編輯黃宇

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