晶圓（wafer）是制造半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)性原材料。根據(jù)設(shè)計的電路圖，晶圓經(jīng)過切割、光刻、蝕刻、封裝、測試等不同工藝流程的處理，最終在晶圓上加工制成各種電路元件結(jié)構(gòu)、具備有特定電性功能，從而成為芯片。2016-2021年，中國大陸晶圓代工市場規(guī)模從327億元增長至668億元，年均復(fù)合增長率為15%，高于全球行業(yè)增長率，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額由2017年的7885億元增長至2021年的12423億元，年均復(fù)合增長率達12%，發(fā)展十分迅速。

半導(dǎo)體的快速發(fā)展離不開國家政策的扶持，2000年以來，國家不斷通過各種政策大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，2014年成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基，專項扶持投資集成電路芯片制造業(yè)，2015年集成電路作為“新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)”列入《中國制造2025》。2020-2023年，國家更是自上而下的多角度、全方位密集出臺相關(guān)政策，包括財稅調(diào)節(jié)、高校/實驗室技術(shù)研發(fā)支持，產(chǎn)業(yè)投資、人才補貼、低息貸款等，涉及半導(dǎo)體設(shè)計、制造、加工、設(shè)備、材料等各個環(huán)節(jié)，全力加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進程，迅速推動形成產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化浪潮。

晶圓的制造需要經(jīng)過多個加工工藝及流程，每個階段都要開展不同的測量測試以保證成為良品。在晶圓多項加工中，及時發(fā)現(xiàn)表面粗糙度不合格的晶圓并防止流到后續(xù)流程，對提升晶圓生產(chǎn)良率和節(jié)省成本十分重要，由于晶圓產(chǎn)品的特殊性，在晶圓上制成各種加工結(jié)構(gòu)都要求達到微米級甚至納米級進程，并且晶圓以大批量量產(chǎn)為主，這對晶圓表面的檢測精度和效率提出了極高的要求。

針對于此，優(yōu)可測作為國產(chǎn)測量儀器的領(lǐng)導(dǎo)品牌，推出晶圓粗糙度檢測解決方案，使用白光干涉三維形貌儀AM系列在晶圓加工的多個工藝段中，為晶圓微納表面提供高精度、高速度的國產(chǎn)檢測設(shè)備，精細還原表面三維形貌。例如，在晶圓成形前的硅棒切割、晶圓的研磨&減薄階段，優(yōu)可測憑借獨特的產(chǎn)品優(yōu)勢可檢測晶圓表面是否光滑、粗糙度是否達標；

優(yōu)可測的白光干涉三維形貌儀AM系列還具備以下獨特的優(yōu)勢：

1.精確捕捉，超高精度微觀3D形貌的能力

優(yōu)可測AM系列可用于對各種精密器件及材料表面進行亞納米級別測量，測量精度高達0.03m，以“面”的形式獲取表面3D形貌，3D高度還原材料表面的微觀形貌。

2.超高速 極大提高測量效率，可用于自動化產(chǎn)線

AM系列測量速度以秒級計算，開啟一鍵測量模式。搭配大量程高速納米壓電陶瓷器件，最高掃描速度400μm/秒，3200Hz；

3.大視野高精度，大范圍測量

白光干涉原理通過光干涉相位計算，任意放大倍率下均可獲得＜1nm的檢測精度。

4.豐富的測量工具，可定制化

涵蓋市場上通用的國際標準測量工具，可根據(jù)客戶實際需求進行軟硬件定制。

在整個芯片的全流程中，優(yōu)可測白光干涉三維形貌儀AM系列除了可以檢測晶圓的粗糙度，在晶圓的刻蝕、劃片、打標階段，可檢測表面切割深度、平面度、翹曲度、整體面型、PV值等；在光刻階段的掩膜版，可檢測其表面圖形是否完整、XY尺寸及其臺階高度是否達標；在bumping階段，可檢測凸點高度是否符合要求……

以上等等工藝中，優(yōu)可測都可提供高效穩(wěn)定的檢測能力，擁有更多延展場景的測量能力。

審核編輯黃宇