動手能力哪家強？

在推特上看到一個19歲的博主，耗時整整3年，純手工自制1200個晶體管的CPU。

這位叫做 Sam Zeloof 的美國大學生，最終打造出1200個晶體管的CPU！ 在10微米的多晶硅柵極工藝上實現，命名為Z2。 重點是，與英特爾上世紀70年代聞名于世的處理器4004使用了相同技術。

PS排陣列，車庫自制，超越「摩爾定律」 這款Z2芯片由第一代升級而來。 18年，17歲的他曾制作了首個集成電路Z1，有6個晶體管。

和以前一樣，整個過程在他的「車庫工廠」進行，使用不純的化學品，自制的設備，沒有無塵室。 首先，Zeloof 在 Photoshop 中布局了一個簡單的 10x10 晶體管陣列。

一列中的10個晶體管共享一個共同的柵極連接，每行串聯在一起，與相鄰的晶體管共享一個源極/漏極。

單個10微米 NMOS 晶體管樣子如下，金屬層有些不對齊，紅色的輪廓是多晶硅，藍色是源極/漏極。

之前，Zeloof 一直采用金屬柵極工藝制作。 鋁柵極是與其下面的硅溝道具有很大的功函數差異，從而導致高閾值電壓(>10V)。 比如，吉他失真踏板和環形振蕩器 LED 閃光器，由于這兩種材料閾值電壓值高，都需要一個或兩個 9V 電池來運行電路。

為了節省功耗，Zeloof 選用多晶硅柵極工藝，性能得到提升，自對準柵極就不會產生高閾值電壓。 這使得這些芯片與2.5V 和3.3V 邏輯電平兼容。

圖紙設計好后，接著切割晶片，對多晶硅柵極進行蝕刻。

Zeloof改進了工藝流程，采用自對準方法，選擇高溫擴散而不是離子注入進行摻雜。

因為硅片上已經有了各種材料，所以他只需要找到一層薄薄的 SiO2 (大約10nm) ，然后是厚一點的多晶硅 (300nm)。 結果顯示，Z2 比 Z1 有了飛躍性的進步。 改用多晶硅柵極工藝大大降低了功耗，但由于沒有純凈的化學品和沒有潔凈室，產量很低。

Zeloof 表示，「我已經做了15個芯片（1500個晶體管），并知道至少有一個完全功能的芯片和至少兩個大部分功能，這意味著良率低于 80%，而不是100%?！? 視頻開篇，Zeloof 調侃自己車庫造芯超越摩爾定律。

網友還順便嘲笑了「擠牙膏」廠英特爾，到了2025年

Zeloof ：我終于做到了5nm。 英特爾：這是我們最新的10nm+++++++ 工藝。 極客少年，造芯夢 那么，2018年，Sam Zeloof 究竟做了什么？ 盡管CPU芯片制造門檻越來越高，但天才少年Zeloof并沒有放棄夢想。 2018年，17歲的他還只是一名高三學生，但他已經成功制作了首個集成電路Z1，擁有6個晶體管，使用5微米的PMOS工藝。

在接受The Amp Hour采訪時，Zeloof提到此次發明的靈感源自于YouTube頻道，Jeri Ellsworth在個人頻道中演示了如何不用特殊工具來切割硅片、自制硅晶體管的方法。

受此啟發，Zeloof計劃在Jeri Ellsworth的基礎上來制作集成電路。

這樣一位傳奇的少年，可以說是一位資深的電子愛好者。 他在高中時就開始自己制作芯片，并在家里學習了制造芯片所需的信息和機器。 他從eBay上買來零部件和材料，打造成一個半導體制造實驗室。 這位才華橫溢的少年認為，嘗試制造芯片是一種了解半導體和晶體管內部運作情況的方法。

從2017年起，他開始在博客介紹自己的項目，Zeloof收到了很多積極的反饋。 一些上世紀70年代的資深工程師也為Zeloof提供了很多建議，希望他能開發出一種相對簡單的方法，克隆4004芯片技術，從而更好的為自己開發芯片服務。

Zeloof表示，「我開始閱讀舊書，研究一些舊的專利，因為新書介紹的制作流程需要非常昂貴的設備。」