①按照計(jì)劃，合資廠將于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2028年全面建成。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約合227.8億人民幣）；②三安光電還將單獨(dú)建造和運(yùn)營一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，用以滿足合資器件廠的襯底需求。

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》6月7日訊（記者 郭輝）今日，全球知名的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體和國內(nèi)化合物半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三安光電共同宣布，雙方已簽署協(xié)議，將在重慶建立一個(gè)新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。

按照計(jì)劃，合資廠將于2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計(jì)在2028年全面建成。該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約合227.8億人民幣）。

項(xiàng)目未來5年的資本支出約為24億美元，關(guān)于資金來源，包括來自意法半導(dǎo)體和三安光電的資金投入、來自重慶政府的支持以及由合資企業(yè)向外貸款。

與此同時(shí)，三安光電首席執(zhí)行官Simon Lin表示，將利用自研SiC襯底工藝，單獨(dú)新建造和運(yùn)營一個(gè)新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足上述合資廠的襯底需求。

2021年6月，總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目一期正式點(diǎn)亮投產(chǎn)；2022年7月，項(xiàng)目二期開建，總投資為80億元，將于今年貫通，達(dá)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到36萬片。《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者了解到，目前項(xiàng)目二期會(huì)在8英寸工藝方面進(jìn)行研發(fā)投入，并在上述第二座工廠規(guī)模使用。

在碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期，意法半導(dǎo)體與三安光電將通過合作，加強(qiáng)垂直整合來提升器件產(chǎn)品在車用等特殊場(chǎng)景的可靠性問題。

意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示，三安光電未來的8英寸襯底制造廠與前端的合資公司以及意法半導(dǎo)體在中國深圳的現(xiàn)有后端工廠相結(jié)合，將使意法半導(dǎo)體能夠?yàn)橹袊蛻籼峁┮粋€(gè)完全垂直整合的SiC價(jià)值鏈。

三安光電是中國第一家、全球第三家實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合的企業(yè)，產(chǎn)業(yè)鏈布局包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝，碳化硅產(chǎn)能已達(dá)1.2萬片/月。“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期實(shí)現(xiàn)垂直整合，能夠很好應(yīng)對(duì)不同場(chǎng)景的可靠性問題。”一名產(chǎn)業(yè)人士如是稱。

三安光電碳化硅器件在國內(nèi)上車進(jìn)展加速。三安光電碳化硅MOSFET代工業(yè)務(wù)已與龍頭新能源汽車及配套企業(yè)展開合作，與某知名車企簽署芯片戰(zhàn)略采購意向協(xié)議總金額達(dá)38億元，另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報(bào)顯示，已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進(jìn)。產(chǎn)品方面，三安光電車規(guī)級(jí)1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰(zhàn)略客戶處進(jìn)行模塊驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于2024年正式上車量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體方面，汽車業(yè)務(wù)被視為意法半導(dǎo)體在2027年實(shí)現(xiàn)200億美元收入目標(biāo)的關(guān)鍵支撐。意法半導(dǎo)體CEO在去年年底的訪華行程中，拜訪了多位國內(nèi)汽車和工業(yè)戰(zhàn)略客戶，包括長安汽車、賽力斯汽車、寧德時(shí)代、固德威、威邁斯新能源、埃泰克汽車電子等。另外，與意法半導(dǎo)體形成合作的中國廠商包括：比亞迪、吉利、長城、現(xiàn)代、小鵬等OEM，以及臺(tái)達(dá)、華為、匯川、廣達(dá)、欣銳科技、陽光電源、威邁斯新能源等。

意法半導(dǎo)體表示，工業(yè)和汽車是業(yè)務(wù)組合中增長勢(shì)頭最為強(qiáng)勁的兩個(gè)市場(chǎng)，著力推進(jìn)并重點(diǎn)關(guān)注這兩個(gè)高增長市場(chǎng)是公司近幾年的戰(zhàn)略方向。

“國內(nèi)碳化硅仍有較大降本空間。”產(chǎn)業(yè)人士告訴《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》記者，碳化硅襯底目前占碳化硅芯片成本的約60%，因此降低襯底成本是重點(diǎn)。目前碳化硅襯底生產(chǎn)工藝仍面臨三大瓶頸：一是晶體質(zhì)量，二是長晶效率，三是切磨拋的損耗。價(jià)格下降除了生產(chǎn)技術(shù)良率要提升，此外整個(gè)設(shè)備原材料的國產(chǎn)化和技術(shù)創(chuàng)新也會(huì)帶來成本降低。“隨著產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)和產(chǎn)學(xué)研合作，未來有很大降本空間。”