在數據采集中，某些變化緩慢的直流信號，需要長時間監測記錄信號變化歷史的場合，用性能可靠的移動存儲器接在工作現場進行數據自動記錄采集，待采集完成后取回并接到計算機讀取分析，是解決這類問題的最佳辦法。本文介紹的移動數據采集器，關鍵在于解決移動時掉電數據保持問題以及在大容量的存儲空間保證足夠的分辨率和記錄時長。

掉電數據保持常用的存儲器有EEPROM和FLASH，或者用SRAM存儲器加電池的辦法解決，但EEPROM讀寫速度低，容易受干擾，存在讀寫次數的限制(一般只有10萬次)，SRAM加電池的辦法則線路復雜，可靠性差，移動時容易造成數據丟失。

國產新型鐵電存儲器（FRAM）PB85RS2MC為電子技術、計算機技術的普及和發展開辟了許多新的可能性，它與EEPROM比較，具有諸多的優勢，例如重寫速度高達100萬，而功耗4.8毫安，它具備靜態隨機存儲器SRAM一樣的快速讀寫數據和低功耗操作的優點，又具有EEPROM存儲部樣的掉電數據保持的特性。幾乎可以把它當作SRAM來使用，采用這種存儲器做移動采集器具有可靠性高、讀寫速度快、使用壽命長的優點。

PB85RS2MC是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元，不需要電池就可以保持數據，該存儲器優秀的性能可以替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯），且PB85RS2MC有一定的價格優勢，國芯思辰可提供專業的技術支持。

國產鐵電存儲器PB85RS2MC性能特征：

?容量：2M bit，接口類型：SPI接口(模式0和模式3)

?工作電壓：2.7伏至3.6伏，工作頻率：25兆赫茲

?功耗：4.8毫安（25兆赫茲），待機功耗9微安

?高速讀特性：支持40MHz高速讀命令

?工作環境溫度范圍：-40℃至85℃

?封裝形式：8引腳SOP寬體208mil封裝，符合RoHS

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