電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)在早前的報道中,對于HBM產能是否即將過剩,業(yè)界有不同的聲音,但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產品升級的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進展 ? 9月26日SK
發(fā)表于 10-06 01:03
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其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題,并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發(fā)了外界的廣泛關注。據推測,三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲,這標志著三星即將正式邁入
發(fā)表于 02-18 11:00
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三星電子在近期舉行的業(yè)績電話會議中,透露了其高帶寬內存(HBM)的最新發(fā)展動態(tài)。據悉,該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現(xiàn)大規(guī)模生產和銷售,并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比,
發(fā)表于 02-06 17:59
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近日,SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創(chuàng)新產品的全面生產測試已經正式啟動,為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產與供應奠定了
發(fā)表于 12-26 14:46
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在近日舉辦的SK AI Summit 2024活動中,SK hynix(SK海力士)透露了一項令人矚目的新產品計劃。據悉,該公司正在積極開發(fā)HBM3e 16hi產品,這款產品的每顆HBM芯片容量高達48GB,將為用戶帶來前所未有的存儲體驗。
發(fā)表于 11-14 18:20
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近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
發(fā)表于 11-05 15:01
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近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進程遲緩的消息,據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言,1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產供應的絆腳石
發(fā)表于 10-23 17:15
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市場調研機構集邦科技對HBM(高帶寬存儲器)的長期發(fā)展持樂觀態(tài)度。據其預測,明年HBM3e將占據整體HBM市場的近九成份額,這將推動HBM產
發(fā)表于 10-22 17:23
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美光科技近期宣布,其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付,標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續(xù)送達主要行業(yè)合作伙伴手中,以全面融入并驗證其在整個AI生態(tài)系統(tǒng)中的效能。
發(fā)表于 09-09 17:42
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近日,知名市場研究機構TrendForce在最新發(fā)布的報告中宣布了一項重要進展:三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證,并正式開啟出貨流程。具體而言,三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
發(fā)表于 09-05 17:15
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自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩(wěn)坐行業(yè)領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式啟動12層HBM3E的量產。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
發(fā)表于 09-05 16:31
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9月4日最新資訊,據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露,三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程,并正式啟動了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出貨,該產品主要面向英偉達H200系列應用。同時,三星電子還
發(fā)表于 09-04 15:57
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近日,有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而,三星電子迅速對此傳聞進行了回應,明確表示該報道并不屬實。
發(fā)表于 08-08 10:06
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三星電子公司近日宣布了一項重要計劃,即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e的量產工作,并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露,隨著HBM3e芯片的逐步放量
發(fā)表于 08-02 16:32
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1. 三星:HBM3e 先進芯片今年量產,營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示,該公司預計其
發(fā)表于 08-01 11:08
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