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三星西安廠計劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設備

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-03 11:48 ? 次閱讀
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據業界2日透露,三星電子計劃對中國西安nand閃存工廠進行改造,將目前正在生產的128段(v6) nand閃存生產線擴大到236段(v8)。三星決定從明年初開始更換設備,并向業界通報了到2025年分階段完成的目標。

三星決定在因經濟不景氣而堆積庫存的128段nand中減少舊型產品,供應未來需求較多的236段nand等,正在加快向先進工程的轉型。

隨著西安工廠的升級,平澤第1工廠(p1)的nand工藝也將從128段轉換為236段,已經開始轉換。

西安工程升級備受關注的原因是此前禁止向中國出口可以生產200段以上nand的設備的《美國半導體設備法》。

西安工廠是占三星nand生產量約40%的核心工廠。128 nand由于市場狀況的惡化,生產越多,庫存就越堆積。三星急需改進工程。

今年10月,美國將三星和sk海力士指定為“經過驗證的最終用戶(veu)”,三星無需另外申請也可以進口設備。之后,三星決定改編工廠的前臺生產線。

nand閃存端口的數量是指堆疊的內存單元的數量,這個數量越多,容量就越大。三星電子目前擁有的236段nand閃存計劃明年初批量生產約300段的新一代nand閃存(v9)。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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