電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年10月，英飛凌以8.3億美元完成對(duì)功率GaN公司GaN Systems的收購(gòu)，成為了功率GaN領(lǐng)域史上最大規(guī)模的一筆收購(gòu)，這筆收購(gòu)的價(jià)值甚至比2022年整個(gè)功率GaN市場(chǎng)規(guī)模還高出數(shù)倍。

這一筆大規(guī)模交易的背后，是對(duì)功率GaN市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Φ目春谩Ｏ啾扔赟iC的功率應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化較早，GaN材料最初在LED、射頻等領(lǐng)域經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的發(fā)展，功率GaN的市場(chǎng)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是從19年才真正上規(guī)模。

因此功率GaN市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Ρ粡V泛看好，集邦咨詢的預(yù)測(cè)顯示，到2026年，全球功率GaN市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)從2022年的1.8億美元增長(zhǎng)至13.3億美元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

IDM還是Fabless？

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，全球營(yíng)收排名前十的廠商基本都是IDM模式，擁有自己的垂直整合產(chǎn)線，包括英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美、三菱電機(jī)、富士電機(jī)等。不過(guò)考慮到成本和風(fēng)險(xiǎn)，其實(shí)也有廠商會(huì)將一部分低端產(chǎn)品線產(chǎn)品交給代工廠生產(chǎn)。

SiC功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的狀況與整體硅基功率半導(dǎo)體類似，由于SiC材料端在器件中的成本占比高，所以SiC領(lǐng)域廠商的主流模式是IDM，并且逐步從晶圓制造到上游的外延、襯底等領(lǐng)域布局。

但功率GaN領(lǐng)域，目前來(lái)看是以Fabless為主的，頭部廠商中包括納微半導(dǎo)體、EPC、Transphorm，以及被英飛凌收購(gòu)前的GaN systems等，都采用了Fabless模式，產(chǎn)品在臺(tái)積電等晶圓代工廠進(jìn)行生產(chǎn)。

當(dāng)然，PI、英諾賽科、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等廠商則在功率GaN方面選擇了IDM的模式，但除了英諾賽科是初創(chuàng)公司之外，其他IDM功率GaN廠商都基本在布局功率GaN之前就有了良好的垂直整合制造基礎(chǔ)。

GaN功率器件目前主流是采用Si襯底，能夠利用現(xiàn)有硅基功率半導(dǎo)體的設(shè)備和工藝，所以傳統(tǒng)的硅基功率IDM廠商在轉(zhuǎn)向GaN的時(shí)候增加的成本并不高。

功率半導(dǎo)體從工藝上看，IDM模式有一定的優(yōu)勢(shì)，在擁有從設(shè)計(jì)到制造的產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合能力后，能夠更快地迭代功率器件，更好地導(dǎo)入新工藝，構(gòu)建特色工藝產(chǎn)線的Know-How形成差異化競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)以及成本優(yōu)勢(shì)。

但實(shí)際狀況中，F(xiàn)abless模式也并沒(méi)有顯著的劣勢(shì)。Fabless模式的功率半導(dǎo)體公司通過(guò)與代工廠的深度合作共同推進(jìn)工藝開(kāi)發(fā)，同時(shí)由于沒(méi)有重資產(chǎn)投入，可以令設(shè)計(jì)公司更加專注于設(shè)計(jì)研發(fā)，也就能夠吸引更多功率半導(dǎo)體新玩家選擇。

從產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程來(lái)看，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域GaN仍處于應(yīng)用和市場(chǎng)開(kāi)拓階段，而SiC、Si等已經(jīng)發(fā)展很長(zhǎng)時(shí)間，市場(chǎng)相對(duì)較為成熟。同時(shí)功率GaN領(lǐng)域我們也能夠看到有眾多的初創(chuàng)公司參與，F(xiàn)abless輕資產(chǎn)投入對(duì)初創(chuàng)企業(yè)較為友好，并且初創(chuàng)公司普遍在產(chǎn)品規(guī)劃上初期較為專注于特定市場(chǎng)以及產(chǎn)品，產(chǎn)品線規(guī)模小，F(xiàn)abless模式還能避免由于半導(dǎo)體市場(chǎng)周期導(dǎo)致的產(chǎn)線產(chǎn)能利用率波動(dòng)。

英飛凌收購(gòu)GaN Systems后，GaN Systems首席執(zhí)行官曾表示，將GaN Systems的代工渠道與英飛凌的內(nèi)部制造能力相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)最大的增長(zhǎng)能力。而英飛凌未來(lái)會(huì)怎樣分配功率GaN業(yè)務(wù)自產(chǎn)和代工的比例，也值得后續(xù)關(guān)注。

氮化鎵IDM產(chǎn)能擴(kuò)張加速

從手機(jī)充電器開(kāi)始，經(jīng)過(guò)了四年多的發(fā)展，功率GaN已經(jīng)拓展到更多的應(yīng)用場(chǎng)景中，市場(chǎng)規(guī)模的高速增長(zhǎng)，促使各大廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能。

目前國(guó)內(nèi)功率GaN龍頭英諾賽科今年出貨量暴增。根據(jù)官方公布的數(shù)據(jù)，截至去年12月，英諾賽科歷史累計(jì)功率GaN器件出貨量才1.2億顆，到了今年8月出貨量就突破3億顆，也就是僅僅半年多的時(shí)間，就已經(jīng)超過(guò)了過(guò)去四年的累計(jì)出貨量。

伴隨著出貨量的暴增，必然有產(chǎn)能上的提高。今年上半年英諾賽科向電子發(fā)燒友網(wǎng)透露，當(dāng)時(shí)蘇州和珠海工廠的產(chǎn)能合計(jì)約為每月一萬(wàn)片，而到了8月產(chǎn)能已經(jīng)提升到1.5萬(wàn)片/月。

剛剛完成對(duì)GaN Systems收購(gòu)的英飛凌，早在2022年初就宣布計(jì)劃投資20億歐元，在馬來(lái)西亞建造第三個(gè)廠區(qū)，提升SiC、GaN的制造能力。新廠區(qū)主要設(shè)計(jì)外延和晶圓切割等前端工藝，預(yù)計(jì)第一批晶圓將在2024年下半年下線。

另外，近期異軍突起的國(guó)內(nèi)GaN初創(chuàng)公司譽(yù)鴻錦也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了1.5萬(wàn)片/月產(chǎn)能的IDM中試線，覆蓋外延、晶圓制造、期間封裝等芯片制造全流程。



此前電子發(fā)燒友網(wǎng)曾實(shí)地拜訪了譽(yù)鴻錦位于江西撫州的產(chǎn)線，據(jù)了解，目前該產(chǎn)線擁有從晶體生長(zhǎng)、襯底加工、外延沉積、芯片制造、模組封測(cè)相關(guān)設(shè)備600余臺(tái)套，擁有襯底、外延和芯片產(chǎn)品完備的檢測(cè)設(shè)備20余臺(tái)，其中關(guān)鍵設(shè)備MOCVD就有20多臺(tái)，目前自研的MOCVD設(shè)備已經(jīng)上線并進(jìn)入最后的調(diào)試階段，并進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)展示。

同時(shí)，園區(qū)內(nèi)二期產(chǎn)線也正在建設(shè)中，預(yù)計(jì)今年年底實(shí)現(xiàn)封頂，首批產(chǎn)線將在2024年底建成，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能達(dá)到6萬(wàn)-7萬(wàn)片。而二期工廠整體達(dá)產(chǎn)后，月產(chǎn)能將達(dá)到25萬(wàn)片，可能將成為全球最大的GaN IDM工廠。

小結(jié)：

隨著功率GaN市場(chǎng)的高速增長(zhǎng)，未來(lái)幾年內(nèi)將會(huì)有更多IDM廠商加大產(chǎn)能投資的規(guī)模。經(jīng)歷了近幾年SiC領(lǐng)域的產(chǎn)能擴(kuò)張熱潮后，在GaN市場(chǎng)巨大發(fā)展空間的驅(qū)動(dòng)下，為了保障產(chǎn)能供應(yīng)，或許還會(huì)有新的功率GaN Fabless廠商開(kāi)始投資產(chǎn)線，走向類似于Fab-Lite的模式。有機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)，2026年SiC產(chǎn)能趨于飽和，GaN領(lǐng)域的投資熱潮將會(huì)迎來(lái)新一輪增長(zhǎng)期。