美光公司發(fā)布了一系列新產(chǎn)品的發(fā)展藍圖，其中包括服務器、臺式電腦和移動芯片的ddr5-12800 ddr和英偉達的新一代gpu的gddr7。

美光公司的新發(fā)展藍圖延長到了2028年，并在去年7月之前的發(fā)展藍圖上追加了2年。部分內(nèi)容已經(jīng)重組，還增加了一些新產(chǎn)品。最有趣的新特征之一是hbm next中的hbm4。美光公司的hbm3 gen 2目前以1.2 tb/s的速度運行，有8個堆棧。在2026年推出的hbm4將提供超過1.5 tb/s的帶寬，并有12到16個堆棧。到2027年，第二代hbm4e將擁有更多的容量和2tb /s的帶寬。

為了游戲玩家，gddr7的到來時間已經(jīng)改變，新的發(fā)展藍圖將于2024年底部署。美光公司表示，該產(chǎn)品將在2024年上半年上市，但在新發(fā)展藍圖中，該產(chǎn)品的上市時間被推遲了幾個月。與目前最快的gddr6x模塊（最大容量16gb，帶寬24gb/s）相比，gddr7的容量和帶寬都有所增加。最初的gddr7容量將增加到24g，速度為32gb/s。帶寬和容量將在2年后的2026年下半年增加到36千兆（gb）。英偉達表示，Blackwell將于2025年上市，新一代geforce rtx 50將使用美光gddr7。

在ddr5內(nèi)存方面，美光公司為消費者和數(shù)據(jù)中心內(nèi)存開發(fā)了另外的路線，并以昨天公布的新的32gb芯片設計為基礎。該大容量模塊將用于128gb ddr5-8000，并于2026年支援給臺式電腦用戶。同時，還在開發(fā)服務器用8000mt/s速度的多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組（MCRDIMM）產(chǎn)品。該設計的最高點為256gb內(nèi)存，為12800mb/s，預計將于2025年底上市。

在移動通信方面，美光公司計劃在2024年底之前采用戴爾推出的camm標準。美光公司計劃到2026年為止使用85333mb/s存儲器，因此比起帶寬，將重點放在了增加容量上。第一代設計將從16千兆（gb）增加到128千兆（gb），到2026年后期，每個模塊的容量將增加到192千兆（gb）以上。