PowerPAIR3 x 3FS封裝80 V對稱雙通道MOSFET
RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平,提高功率密度、能效和熱性能
節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間,比 PowerPAIR 1212 封裝分立器件減少 50 %
有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計
日前,Vishay 推出新型 80 V 對稱雙通道 N 溝道功率 MOSFET,將高邊和低邊 TrenchFETGen IV MOSFET 組合在 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR3 x 3FS 單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換,在提高功率密度和能效的同時,增強熱性能,減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件,節(jié)省 50 % 基板空間。器件為設(shè)計人員提供節(jié)省空間的解決方案,用于同步降壓轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、DC / DC 轉(zhuǎn)換器半橋和全橋功率級,適用領(lǐng)域包括無線電基站、工業(yè)電機驅(qū)動、焊接設(shè)備和電動工具。這些應(yīng)用中,SiZF4800LDT 高低邊 MOSFET 提供 50 % 占空比優(yōu)化組合,同時 4.5 V 下邏輯電平導(dǎo)通簡化電路驅(qū)動。
為提高功率密度,該 MOSFET 在 4.5 V 條件下導(dǎo)通電阻典型值降至 18.5 mΩ,達到業(yè)內(nèi)先進水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低 16 %。SiZF4800LDT 低導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即 MOSFET 功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為 131 mΩ*nC,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開關(guān)應(yīng)用的效率。
器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力,熱阻比競品 MOSFET 低 54 %。SiZF4800LDT 導(dǎo)通電阻和熱阻低,連續(xù)漏電流達 36 A,比接近的競品器件高 38 %。MOSFET 獨特的引腳配置有助于簡化 PCB 布局,支持縮短開關(guān)回路,從而減小寄生電感。SiZF4800LDT 經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試,符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。
競品對比表
Vishay新型PowerPAIR3 x 3FS封裝 80 V 對稱雙通道N溝道功率MOSFET
審核編輯:劉清
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原文標(biāo)題:PowerPAIR? 3 x 3FS 封裝 80 V 對稱雙通道 N 溝道功率 MOSFET
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