三星電子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM
三星電子近期研發的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現了三星在半導體技術領域的持續創新能力，也為整個存儲行業樹立了新的性能標桿。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）是一種專為高性能計算設計的內存技術，其特點在于極高的數據傳輸速率和低延遲。而HBM3E作為HBM的進化版本，更是在性能上有了顯著的提升。三星的這款36GB HBM3E 12H DRAM，不僅容量大，而且帶寬極高，非常適合用于處理大規模數據和復雜計算任務。
三星能夠實現如此高的性能，關鍵在于其采用了先進的熱壓縮非導電薄膜技術。這種技術允許三星在相同的面積內堆疊更多的DRAM層數，從而實現了更高的存儲密度。傳統的DRAM可能只能在相同面積內堆疊8層，但三星通過這一技術，成功地將層數提升到了12層。這不僅提高了存儲密度，還有助于提升整體性能。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27714瀏覽量
222666 -
DRAM
+關注
關注
40文章
2326瀏覽量
183868 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15875瀏覽量
181334 -
HBM3E
+關注
關注
0文章
78瀏覽量
299
發布評論請先 登錄
相關推薦
風景獨好？12層HBM3E量產，16層HBM3E在研，產業鏈涌動
海力士宣布公司已開始量產12H HBM3E芯片，實現了現有HBM產品中最大的36GB容量。該產品堆疊12顆
三星電子HBM3E商業化遇阻，或重新設計1a DRAM電路
近日，業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a
美光12層堆疊HBM3E 36GB內存啟動交付
美光科技近期宣布，其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付，標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
TrendForce:三星HBM3E內存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星電子否認HBM3e芯片通過英偉達測試
韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星
傳三星HBM3E尚無法通過英偉達認證
三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而，業界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
三星與AMD達成HBM3E采購大單，總金額達4萬億韓元
三星方面表示，預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存，而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E
三星重磅發布全新12層36GB HBM3e DRAM
12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
發表于 03-29 10:47
?582次閱讀
三星電子HBM存儲技術進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市
據業內透露，三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，
NVIDIA預定購三星獨家供應的大量12層HBM3E內存
據悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8
三星電子成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM—HBM3E 12H
2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——
三星發布首款12層堆疊HBM3E DRAM，帶寬高達1280GB/s，容量達36G
“隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道，
工商網監
評論