3月25日報道，英偉達即將自九月起大批量采購三星電子提供的12層HBM3E內存，該內存由三星獨家供應。

在GTC2024大會上，黃仁勛為三星電子12層HBM3E原件簽字評價“黃仁勛認證（JENSEN APPROVED）”。

雖然SK海力士在部分制造過程中遇到困難，未能如期推出12層HBM3E產品，但將在本月底啟動批量生產8層HBM3E。

此前，三星已于2月27日宣布研發(fā)出全球首款36GB 12H HBM3E DRAM內存。

據(jù)悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。

與此同時，應用該內存的人工智能訓練速率平均提高了34%，推理服務能力更是提高了超乎想象的11.5倍。

對比而言，威盛在2024年的技術型展會中，嶄新推出了B200和GB200系列芯片。

據(jù)黃仁勛介紹，B200芯片搭載了2，080億枚晶體管，借助臺積電4NP工藝，最大可支持約10萬億個人工智能參數(shù)，并實現(xiàn)單GPU達20PFLOPS的強大運算能力。