韓國媒體The Elec于5月10日透露，三星電子已經(jīng)對其HBM內(nèi)存開發(fā)部門實(shí)行了“雙軌制”改革，旨在提升HBM業(yè)務(wù)的競爭力。

具體而言，現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

新成立的HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)由DRAM開發(fā)副總裁Hwang Sang-joon領(lǐng)導(dǎo)，直接向存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部總裁李禎培匯報(bào)工作，并已吸引了部分人才加入。

作為AI算力芯片的重要支持，HBM內(nèi)存已成為行業(yè)焦點(diǎn)。下一代HBM4內(nèi)存將在多個(gè)方面做出重大改變，包括堆疊層數(shù)增加到12層甚至16層，以及Base Die走向定制化，以滿足用戶需求。

值得注意的是，IT之家最近報(bào)道稱，SK海力士已將其HBM4內(nèi)存的12層堆疊版本的量產(chǎn)時(shí)間提前至2025年下半年，而三星電子目前仍預(yù)計(jì)在2026年實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

此次三星組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì)，旨在解決內(nèi)存開發(fā)難題，縮短開發(fā)周期，從而在HBM4節(jié)點(diǎn)重新確立HBM內(nèi)存的競爭地位，爭奪市場份額。