韓國媒體The Elec于5月10日透露,三星電子已經對其HBM內存開發部門實行了“雙軌制”改革,旨在提升HBM業務的競爭力。
具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
新成立的HBM開發團隊由DRAM開發副總裁Hwang Sang-joon領導,直接向存儲器業務部總裁李禎培匯報工作,并已吸引了部分人才加入。
作為AI算力芯片的重要支持,HBM內存已成為行業焦點。下一代HBM4內存將在多個方面做出重大改變,包括堆疊層數增加到12層甚至16層,以及Base Die走向定制化,以滿足用戶需求。
值得注意的是,IT之家最近報道稱,SK海力士已將其HBM4內存的12層堆疊版本的量產時間提前至2025年下半年,而三星電子目前仍預計在2026年實現這一目標。
此次三星組建HBM4獨立團隊,旨在解決內存開發難題,縮短開發周期,從而在HBM4節點重新確立HBM內存的競爭地位,爭奪市場份額。
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