本文簡(jiǎn)單介紹了熱氧化與PECVD生成氧化硅的方式以及熱氧化方式與PECVD的性能比較。

用PECVD做的氧化硅與熱氧的氧化硅刻蝕速率同，熱氧的氧化硅速率明顯較慢，這是為什么？

熱氧化與PECVD生成氧化硅的方式

熱氧化是在高溫下通過(guò)化學(xué)反應(yīng)在硅表面生成氧化硅的方式。有干濕氧兩種方式，方程式為：

干氧化 Si + O? → SiO?

濕氧化 Si + 2H?O → SiO? + 2H?

由于是用熱量來(lái)維持反應(yīng)，因此需要高溫，在1100℃左右。

而PECVD是在相對(duì)低溫下利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)在基片表面沉積氧化硅薄膜的方式。反應(yīng)氣體可以是硅烷或TEOS等，方程式為：

SiH? + 2O? → SiO? + 2H?O

由于用等離子的方式，反應(yīng)溫度可以大幅度的下降。

熱氧化方式與PECVD的性能比較

熱氧化的氧化硅具有致密性，均勻性好，缺陷少，與硅基底結(jié)合強(qiáng)，應(yīng)力小，純度高等優(yōu)點(diǎn)。

當(dāng)與化學(xué)藥劑發(fā)生反應(yīng)時(shí)，熱氧化硅致密的結(jié)構(gòu)能夠更有效阻止藥液對(duì)本身的侵蝕。PECVD生成的氧化硅應(yīng)力較大，缺陷多，使刻蝕液更容易滲透和反應(yīng)，從而提高了刻蝕速率。