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更低損耗、更快反向保護!思瑞浦推出汽車級理想二極管ORing控制器TPS65R01Q

思瑞浦3PEAK ? 2024-07-18 08:37 ? 次閱讀

聚焦高性能模擬芯片嵌入式處理器半導體供應商思瑞浦3PEAK(股票代碼:688536)發(fā)布汽車級理想二極管ORing控制器TPS65R01Q

TPS65R01Q擁有20mV正向調(diào)節(jié)功能,降低系統(tǒng)損耗。快速反向關斷(Typ:0.39μs),在電池反向和各種汽車電氣瞬變條件下提供保護。

TPS65R01Q可廣泛應用于工業(yè)控制企業(yè)電源汽車主機ADAS儀表盤HUD等多個終端場景。

TPS65R01Q產(chǎn)品優(yōu)勢

電池反向保護、快速關斷、零直流反向電流

電源系統(tǒng)設計中,直接使用電池供電的模塊或子系統(tǒng),在感性負載與電池斷開連接期間出現(xiàn)動態(tài)反極性或電池安裝過程中出現(xiàn)反接時,會導致連接的模塊、子系統(tǒng)電路遭到損壞。

TPS65R01具有電池反向保護功能,可承受最大-65V的反向電壓,有效保護與電池相連接的模塊和子系統(tǒng)。

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反向保護延時:Trev_Delay(380ns)


e5f28a9c-449d-11ef-817b-92fbcf53809c.pngTrev_Delay VS Temp

降低正向功耗

傳統(tǒng)的串聯(lián)肖特基二極管雖然能夠提供反向電壓保護,但當負載電流增加時,二極管的結溫會顯著升高,這不僅會加劇熱問題,還可能因高溫導致反向漏電流上升,進而影響整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此,熱管理在系統(tǒng)設計中顯得尤為重要。

TPS65R01Q具備20mV正向調(diào)節(jié)功能,相比于肖特基二極管的VF值(0.3V左右@1A),TPS65R01Q的正向電壓更低,這意味著在相同條件下,熱損耗顯著減少。這種改進不僅提升了系統(tǒng)的可靠性,還有助于降低系統(tǒng)設計和運行的成本。

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低靜態(tài)功耗

TPS65R01Q常溫下正常工作電流典型值60μA全溫度范圍內(nèi)不超過100μA。

e61287ca-449d-11ef-817b-92fbcf53809c.png

更好的冷啟動性能

在汽車冷啟動期間,電池電壓會降低到4V左右,在這種情況下,使用PMOS(P型金屬氧化物半導體)方案可能會導致PMOS的溝道電阻急劇增加,從而在PMOS兩端產(chǎn)生較大的電壓降,這可能會引起斷路,導致系統(tǒng)重新啟動。

TPS65R01具有出色的冷啟動性能,即使在冷啟動運行期間輸入電壓低于4V(仍高于3.2V)時,也能確保外部NMOS保持完全增強狀態(tài)。

e621abba-449d-11ef-817b-92fbcf53809c.png

Vin從12V降到3.5VTPS65R01正向調(diào)節(jié)功能正常

ORing電源平滑切換

下圖展示了在雙電源配置中,當 VIN1 固定在12V,而 VIN2 在4V至60V之間進行動態(tài)切換時,系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)從 VIN1 到 VIN2 的平滑切換,確保輸出在切換過程中保持穩(wěn)定。

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VIN1 @12V,VIN2 @4V to 60V

TPS65R01Q典型應用

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單電源應用

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雙電源應用

TPS65R01Q產(chǎn)品特性

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寬輸入電壓:3.2V-60V

最大-65V的反向電壓承受能力

正向調(diào)制電壓:20mV

反向關斷電壓:-11mV

最大關斷電流:2.3A

反向關斷延時:390ns

正向恢復延時:1.5μs

支持多顆NMOS并聯(lián)

溫度范圍:-40℃ to 125℃

封裝:SOT23-6

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TPS65R01Q雙電源EVM Board

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