米勒平臺造成的對管開啟
以下文章來源于Snail隨筆 ，作者Snail
在MOS管的上下橋驅動中，有這種現象。如下圖，一個管子處在米勒平臺的時候，會給另一個管子的Vgs電壓充電。我用的這個管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就有可能會導致上下兩個管直通。這是MOS管的固有現象，只能減小，不能消除。下面分析原因。
如下圖所示的電路示意圖，在X3米勒平臺的時候，X3已經開始導通，VBAT通過通過X3給X4的寄生電容C9，C8充電。這是X3開啟的時候，X4的Vgs有電壓的原因。
解決思路：通過降低R2，加快C8的泄放速度。如果這招還不能有效降低到閾值電壓以下，還可以通過加大驅動電阻R4，延長米勒平臺時間。增加C8電壓的泄放時間。整改后的波形如下圖所示：是在1.2V左右，低于MOS管的最小閾值電壓。避免誤導通。
歡迎不同觀點，大家一起探討！
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOS管
+關注
關注
108文章
2439瀏覽量
67569 -
電壓
+關注
關注
45文章
5637瀏覽量
116257 -
米勒平臺
+關注
關注
0文章
10瀏覽量
2148
原文標題：米勒平臺造成的對管開啟
文章出處：【微信號：芯長征科技，微信公眾號：芯長征科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
米勒效應會對MOSFET管造成怎樣的影響
米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值
MOS管的米勒效應：如何減小米勒平臺
從多個維度分析了米勒效應，針對Cgd的影響也做了定量的推導，今天我們再和大家一起，結合米勒效應的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
發表于 02-14 09:25
?1.2w次閱讀
說說MOSFET中的米勒效應
本文主要介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作
發表于 05-16 09:47
?2551次閱讀
關于MOS管、IGBT米勒平臺的分析
米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
揭秘MOS管開關時米勒效應的詳情
狀態) 所以就出現了所謂的圖騰驅動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應不可能完全消失。 MOS管中的米勒平臺實際上就是
發表于 12-19 13:55
【微信精選】功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)
產生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助于減小
發表于 07-26 07:00
詳解米勒平臺的米勒效應和形成原理
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍首”米勒效應（miller effect） 。
詳細分析MOSFET開關過程米勒效應的影響
本文介紹了米勒效應的由來，并詳細分析了MOSFET開關過程米勒效應的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應管柵極電荷的作用。
MOS管開關時的米勒效應基本原理
米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩定值
MOS管的米勒效應：感性負載
在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學應該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
工商網監
評論