米勒平臺造成的對管開啟
以下文章來源于Snail隨筆 ，作者Snail
在MOS管的上下橋驅(qū)動中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個管子處在米勒平臺的時候，會給另一個管子的Vgs電壓充電。我用的這個管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就有可能會導(dǎo)致上下兩個管直通。這是MOS管的固有現(xiàn)象，只能減小，不能消除。下面分析原因。
如下圖所示的電路示意圖，在X3米勒平臺的時候，X3已經(jīng)開始導(dǎo)通，VBAT通過通過X3給X4的寄生電容C9，C8充電。這是X3開啟的時候，X4的Vgs有電壓的原因。
解決思路：通過降低R2，加快C8的泄放速度。如果這招還不能有效降低到閾值電壓以下，還可以通過加大驅(qū)動電阻R4，延長米勒平臺時間。增加C8電壓的泄放時間。整改后的波形如下圖所示：是在1.2V左右，低于MOS管的最小閾值電壓。避免誤導(dǎo)通。
歡迎不同觀點，大家一起探討！
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
109文章
2552瀏覽量
70436 -
電壓
+關(guān)注
關(guān)注
45文章
5703瀏覽量
117696 -
米勒平臺
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
11瀏覽量
2225
原文標題：米勒平臺造成的對管開啟
文章出處：【微信號：芯長征科技，微信公眾號：芯長征科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
米勒效應(yīng)會對MOSFET管造成怎樣的影響
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值
MOS管的米勒效應(yīng)：如何減小米勒平臺
從多個維度分析了米勒效應(yīng)，針對Cgd的影響也做了定量的推導(dǎo)，今天我們再和大家一起，結(jié)合米勒效應(yīng)的仿真，探討下如何減小米勒平臺。
發(fā)表于 02-14 09:25
?1.3w次閱讀
說說MOSFET中的米勒效應(yīng)
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來，并詳細分析了MOSFET開關(guān)過程米勒效應(yīng)的影響，幫助定性理解米勒平臺的形成機制。最后給出了場效應(yīng)管柵極電荷的作
發(fā)表于 05-16 09:47
?2972次閱讀
關(guān)于MOS管、IGBT米勒平臺的分析
米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
MOS管的米勒效應(yīng)-講的很詳細
。（MOS管不能很快得進入開關(guān)狀態(tài)）所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動！！選擇MOS時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。MOSFET中的米勒平臺實際上就是MOSFET處于“放
發(fā)表于 03-25 13:37
揭秘MOS管開關(guān)時米勒效應(yīng)的詳情
狀態(tài)) 所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動!!選擇MOS管時，Cgd越小開通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。 MOS管中的米勒平臺實際上就是
發(fā)表于 12-19 13:55
【微信精選】功率MOS管燒毀的原因(米勒效應(yīng))
產(chǎn)生很大感抗，這里面就有電容，電感，電阻組成震蕩電路（能形成2個回路），并且電流脈沖越強頻率越高震蕩幅度越大。所以最關(guān)鍵的問題就是這個米勒平臺如何過渡。Gs極加電容，減慢mos管導(dǎo)通時間，有助于減小
發(fā)表于 07-26 07:00
米勒平臺形成的原理
米勒平臺是開關(guān)管開通和關(guān)斷過程中出現(xiàn)的極短平臺，學(xué)習(xí)了解米勒平臺的形成的原理，對它有個直觀的認識
發(fā)表于 11-02 17:20
?11次下載
詳解米勒平臺的米勒效應(yīng)和形成原理
在描述米勒平臺（miller plateau）之前，首先來看看“罪魁禍首”米勒效應(yīng)（miller effect） 。
MOS管開關(guān)時的米勒效應(yīng)基本原理
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值
MOS管的米勒效應(yīng)：感性負載
在上一篇文章中詳細描述了帶阻性負載時米勒平臺是怎樣的，對各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負載時米勒平臺是怎樣的。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論