TI LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋技術文檔
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于 開關模式電源應用中 < 75W 的有源鉗位反激式 (ACF) 轉換器。LMG2610 通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中 集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側 柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數量并 減小了布板空間。
非對稱 GaN FET 電阻針對 ACF 工作條件進行了優 化。可編程導通壓擺率可提供 EMI 和振鈴控制。與傳 統的電流檢測電阻相比，低側電流檢測仿真可降低功 耗，并允許將低側散熱焊盤連接到冷卻 PCB 電源接 地。
高側柵極驅動信號電平轉換器消除了外部解決方案中出 現的噪聲和突發模式功率耗散問題。智能開關 GaN 自 舉 FET 沒有二極管正向壓降，可避免高側電源過充， 并且反向恢復電荷為零。
LMG2610 具有低靜態電流和快速啟動時間，支持轉換 器輕負載效率要求和突發模式運行。保護特性包括 FET 導通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和 過熱關斷。
TI LMG2610數據表：
*附件：LMG2610 用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋.pdf
TI LMG2610應用手冊：
*附件：LMG2610用于有源鉗位反激式轉換器的集成 650V GaN 半橋.pdf
TI LMG2610用戶指南：
*附件：使用 UCC28782EVM-030 65W USB-C PD 高密度有源鉗位反.pdf
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
電源
+關注
關注
185文章
18028瀏覽量
253280 -
FET
+關注
關注
3文章
667瀏覽量
63433 -
GaN
+關注
關注
19文章
2099瀏覽量
75219 -
柵極驅動器
+關注
關注
8文章
787瀏覽量
39212
發布評論請先 登錄
相關推薦
技術文檔：LMG3616 具有集成驅動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關模式電源應用。該 LMG3616 通過將
技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋，具有集成驅動器、保護和電流感應功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W
借助高能效GaN轉換器，提高充電器和適配器設計的功率密度
功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導致選用本身效率更高的轉換器拓撲。本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術應
發表于 04-12 11:07
借助高能效GaN轉換器，提高充電器和適配器設計的功率密度
功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。這必然導致選用本身效率更高的轉換器拓撲。本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級（IPS）技術應
發表于 06-14 10:14
TI LMG2610詳解具有集成驅動器、保護和電流檢測功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
集成半橋功率 FET、柵極驅動器、自舉二極管和高側 柵極驅動電平轉換器，簡化了設計、減少了元件數量并 減小了布板空間。點擊下載*附件：
UCC28782有源鉗位反激式轉換器 65W USB-C PD EVM，具有 LMG2610 集成式 GaN 半橋
UCC28782EVM-030 采用了 UCC28782 有源鉗位反激式控制
LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流感應概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用。該
技術資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋，集成驅動器、保護和電流感應
LMG2650 是一個 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過在
PMP22244：具有 GaN 的 60W USB Type-C? 高密度有源鉗位反激式參考設計
此參考設計是一款適用于 USB Type-C 應用的高密度 60W 115VAC 輸入電源，使用 UCC28782 有源鉗位反
工商網監
評論