TPS22918-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和可配置的快速輸出放電功能。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作,并支持
2 A 的最大連續(xù)電流。該開關(guān)由開和關(guān)輸入控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號(hào)連接。
*附件:tps22918-q1.pdf
該器件的可配置上升時(shí)間減少了由大大容量負(fù)載電容引起的浪涌電流,從而減少或消除了電源壓降。TPS22918-Q1 具有可配置的快速輸出放電 (QOD) 引腳,該引腳可控制器件的下降時(shí)間,從而為斷電和排序提供設(shè)計(jì)靈活性。
TPS22918-Q1 采用小型引線 SOT-23 封裝 (DBV),可目視檢查焊點(diǎn)。該器件的額定工作溫度范圍為 –40°C 至 +105°C 的自由空氣溫度。
特性
- 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- 集成單通道負(fù)載開關(guān)
- 適用于汽車應(yīng)用:
- 器件溫度等級(jí) 2:-40°C 至 +105°C 環(huán)境工作溫度范圍
- 功能安全能力
- 提供有助于功能安全系統(tǒng)設(shè)計(jì)的文檔
- 輸入電壓范圍:1 V 至 5.5 V
- 低導(dǎo)通電阻 (R
上)- R
上V 時(shí) = 52 mΩ(典型值)在= 5 伏 - R
上V 時(shí) = 53 mΩ(典型值)在= 3.3 伏
- R
- 最大連續(xù)開關(guān)電流 2A
- 低靜態(tài)電流
- V 時(shí)為 8.3 μA(典型值)
在= 3.3 伏
- V 時(shí)為 8.3 μA(典型值)
- 低控制輸入閾值支持使用 1 V 或更高的 GPIO
- 可配置的快速輸出放電 (QOD)
- 帶 CT 引腳的可配置上升時(shí)間
- 小型 SOT23-6 封裝 (DBV)
- 2.9mm × 2.8mm,間距為 0.95mm,
高度為 1.45mm(帶引線)
- 2.9mm × 2.8mm,間距為 0.95mm,
- ESD 性能測(cè)試符合 AEC Q100 標(biāo)準(zhǔn)
- ±2 kV HBM 和 ±750 V CDM
參數(shù)
1. 產(chǎn)品概述
TPS22918-Q1是一款5.5V、2A、52mΩ單通道負(fù)載開關(guān),適用于汽車電子、信息娛樂系統(tǒng)、儀表板以及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)等領(lǐng)域。該器件具備AEC-Q100認(rèn)證,適合在-40°C至+105°C的環(huán)境溫度下工作,并具備功能安全能力。
2. 主要特性
- ?低導(dǎo)通電阻?:在V IN = 5V時(shí),典型導(dǎo)通電阻為52mΩ。
- ?高開關(guān)電流?:最大連續(xù)開關(guān)電流為2A。
- ?低靜態(tài)電流?:在V IN = 3.3V時(shí),典型靜態(tài)電流為8.3μA。
- ?低控制輸入閾值?:支持1V或更高的GPIO控制信號(hào)。
- ? 可配置快速輸出放電(QOD) ?:通過QOD引腳控制輸出放電速率。
- ?可配置上升時(shí)間?:通過CT引腳配置開關(guān)的上升時(shí)間,減少大容性負(fù)載引起的浪涌電流。
- ?小封裝?:采用SOT-23(6)封裝,尺寸為2.9mm × 2.8mm,高度為1.45mm(帶引腳)。
3. 功能描述
- ?開關(guān)控制?:ON引腳為活性高電平控制輸入,具有低閾值,可直接與低電壓控制信號(hào)接口。
- ? 快速輸出放電(QOD) ?:QOD引腳可通過三種方式配置:短接到VOUT引腳、使用外部電阻連接到VOUT引腳、或斷開以禁用QOD功能。
- ?可調(diào)上升時(shí)間?:通過CT引腳連接到地的電容器設(shè)置每個(gè)通道的上升時(shí)間,減少因大容性負(fù)載引起的電源壓降。
4. 電氣特性
- ?工作電壓范圍?:1V至5.5V。
- ?導(dǎo)通電阻?:在V IN = 5V,I OUT = -200mA時(shí),典型值為52.5mΩ。
- ?靜態(tài)電流?:在V IN = 5V時(shí),典型值為8.7μA;在V IN = 3.3V時(shí),典型值為8.3μA。
- ?關(guān)斷電流?:在V IN = 5V時(shí),典型值為0.55μA。
5. 開關(guān)特性
- ?開啟時(shí)間?:在V IN = 5V,C IN = 1μF,C OUT = 0.1μF,CT = 1000pF時(shí),典型值為19.5μs。
- ?關(guān)閉時(shí)間?:在相同條件下,典型值為2μs。
- ?上升時(shí)間?:在V IN = 5V時(shí),典型值為25μs至40μs(取決于CT值)。
- ?下降時(shí)間?:在相同條件下,典型值為2μs。
6. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 汽車電子
- 信息娛樂系統(tǒng)
- 儀表板
- 高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)
7. 布局與熱設(shè)計(jì)
- ?布局指南?:建議VIN和VOUT跡線盡可能短且寬,以容納高電流。VIN和VOUT引腳必須使用低ESR陶瓷旁路電容器旁路到地。
- ?熱考慮?:最大IC結(jié)溫必須限制在150°C以下。使用寬跡線并盡可能縮短所有跡線,以最小化寄生電效應(yīng)和結(jié)到環(huán)境的熱阻抗。
8. 設(shè)計(jì)資源與支持
-
MOSFET
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封裝
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輸入電壓
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16892 -
浪涌電流
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具有可調(diào)節(jié)上升時(shí)間的 5.5V、4A/6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān)TPS22958x數(shù)據(jù)表

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5.5V、2A、導(dǎo)通電阻為 52mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22918-Q1數(shù)據(jù)表

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